有机发光二极管和包含其的有机发光装置制造方法及图纸

本公开涉及一种有机发光二极管，其包括：第一电极；面向所述第一电极的第二电极；第一发射部分，其包括第一发射材料层和空穴注入层并且位于第一电极和所述第二电极之间，其中所述空穴注入层包括第一空穴注入材料和第二空穴注入材料，且位于第一电极和第一发射材料层之间，并且其中所述第一空穴注入材料是引达省衍生物，所述第二空穴注入材料包括具有不同结构的芴衍生物中的至少一种。构的芴衍生物中的至少一种。构的芴衍生物中的至少一种。

【技术实现步骤摘要】
有机发光二极管和包含其的有机发光装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2020年12月21日在韩国提交的第10
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2020
‑
0179673号韩国专利申请的权益，其通过引用的方式全文并入本文中。


[0003]本公开涉及有机发光二极管(OLED)，更具体而言，涉及具有低驱动电压和高发光效率及寿命的OLED以及包含该OLED的有机发光装置。

技术介绍

[0004]目前，对占用面积小的平板显示装置的需求不断上升。在平板显示装置中，包括OLED的有机发光显示装置的技术发展迅速。
[0005]OLED通过将电子从作为电子注入电极的阴极和将空穴从作为空穴注入电极的阳极注入有机发射层，使电子与空穴结合，产生激子，并将激子从激发态转变为基态来发光。柔性透明基板，例如塑料基板，可以用作在其上形成元件的基底基板。此外，OLED可以在比操作其它显示装置所需的电压更低的电压(例如，10V或更低)下操作，并且具有较低的功耗。此外，来自OLED的光具有极佳的颜色纯度。
[0006]OLED可以包括第一电极作为阳极，面向第一电极的第二电极作为阴极，以及在所述第一和第二电极之间的有机发光层。
[0007]为了提高OLED的发光效率，有机发射层可以包括依序堆叠在第一电极上的空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射材料层(EML)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)。
[0008]在OLED中，来自作为阳极的第一电极的空穴通过HIL和HTL传输到EML中，来自作为阴极的第二电极的电子通过EIL和ETL传输到EML中。空穴和电子在EML中结合形成激子，并且激子从激发态转变为基态而发光。
[0009]为提供低OLED的驱动电压和足够的发光效率以及寿命，需要足够的空穴注入效率和足够的空穴传输效率。

技术实现思路

[0010]本公开的实施方案涉及OLED和有机发光装置，其基本上消除了与相关常规技术的限制和缺陷有关的一个或多个问题。
[0011]本公开的其它特征和优点在下面的描述中阐述，并且从描述中其将显而易见，或者通过本公开的实践而清楚可见。本公开的目的和其它优点通过本文以及附图中描述的特征来实现和获得。
[0012]为了实现根据本公开实施方案的目的的这些和其它优点，如本文所述，本公开的一个方面是一种有机发光二极管，其包括第一电极；面向所述第一电极的第二电极；以及第一发射部分，所述第一发射部分包括第一发射材料层和空穴注入层并且位于所述第一和第二电极之间，其中所述空穴注入层包括第一空穴注入材料和第二空穴注入材料，并且位于
第一电极和所述第一发射材料层之间，其中所述第一空穴注入材料是式1
‑
1的有机化合物：[式1
‑
1]其中R1和R2各自独立地选自氢(H)、氘(D)、卤素和氰基，其中R3至R6各自独立地选自卤素、氰基、丙二腈、C1
‑
C10卤代烷基和C1
‑
C10卤代烷氧基，并且R3和R4中的至少一个以及R5和R6中的至少一个是丙二腈，其中X和Y各自独立地为被以下至少一种取代的苯基：C1
‑
C10烷基、卤素、氰基、丙二腈、C1
‑
C10卤代烷基和C1
‑
C10卤代烷氧基，其中第二空穴注入材料包括式2中的第一化合物和式3中的第二化合物中的至少一种：
[0013][式2][0014]和
[0015][式3][0016]其中在式2中，X1和X2各自独立地选自C6
‑
C30芳基和C5
‑
C30杂芳基，并且L1选自C6
‑
C30亚芳基和C5
‑
C30杂亚芳基，其中a为0或1，其中R1至R14中每一个独立地选自H、D、C1
‑
C10烷基、C6
‑
C30芳基和C5
‑
C30杂芳基，或R1至R14中相邻的两个彼此连接形成稠环；其中在式3中，Y1和Y2各自独立地选自C6
‑
C30芳基和C5
‑
C30杂芳基，L1选自C6
‑
C30亚芳基和C5
‑
C30杂亚芳基，其中b为0或1，且其中R21至
R34中的每一个独立地选自H、D、C1
‑
C10烷基、C6
‑
C30芳基和C5
‑
C30杂芳基，或者R21至R34中相邻的两个彼此连接形成稠环。
[0017]本公开的另一方面是一种有机发光二极管，其包括：第一电极；面向第一电极的第二电极；第一发射部分，其包括第一发射材料层且位于所述第一和第二电极之间；第二发射部分，其包括第二发射材料层且位于所述第一发射部分和第二电极之间；以及第一p型电荷产生层，其包括第一电荷产生材料和第二电荷产生材料且位于所述第一和第二发射部分之间，其中所述第一电荷产生材料是式1
‑
1的有机化合物：[式1
‑
1]其中R1和R2各自独立地选自氢(H)、氘(D)、卤素和氰基，其中R3至R6各自独立地选自卤素、氰基、丙二腈、C1
‑
C10卤代烷基和C1
‑
C10卤代烷氧基，并且R3和R4中的至少一个以及R5和R6中的至少一个是丙二腈，其中X和Y各自独立地为被以下至少一种取代的苯基：C1
‑
C10烷基、卤素、氰基、丙二腈、C1
‑
C10卤代烷基和C1
‑
C10卤代烷氧基，其中所述第二电荷产生材料包括式2中的第一化合物和式3中的第二化合物中的至少一种：
[0018][式2][0019]和
[0020][式3][0021]其中在式2中，X1和X2各自独立地选自C6
‑
C30芳基和C5
‑
C30杂芳基，L1选自C6
‑
C30亚芳基和C5
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C30杂亚芳基，其中a为0或1，其中R1至R14中每一个独立地选自H、D、C1
‑
C10烷基、C6
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C30芳基和C5
‑
C30杂芳基，或R1至R14中相邻的两个彼此连接形成稠环；其中在式3中，Y1和Y2各自独立地选自C6
‑
C30芳基和C5
‑
C30杂芳基，L1选自C6
‑
C30亚芳基和C5
‑
C30杂亚芳基，其中b为0或1，且其中R21至R34中的每一个独立地选自H、D、C1
‑
C10烷基、C6
‑
C30芳基和C5
‑
C30杂芳基，或者R21至R34中相邻的两个彼此连接形成稠环。
[0022]本公开的另一方面是一种有机发光装置，其包括：基板；位于所述基板上的上述有机发光二极管；和覆盖有机发光二极管的封装膜。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种有机发光二极管，包括：第一电极；面向所述第一电极的第二电极；和第一发射部分，所述第一发射部分包括第一发射材料层和空穴注入层，且位于所述第一电极和所述第二电极之间，其中所述空穴注入层包括第一空穴注入材料和第二空穴注入材料，且位于所述第一电极和所述第一发射材料层之间，其中所述第一空穴注入材料是式1
‑
1中的有机化合物：[式1
‑
1]其中R1和R2各自独立地选自氢(H)、氘(D)、卤素和氰基，其中R3至R6中的每一个独立地选自卤素、氰基、丙二腈、C1
‑
C10卤代烷基和C1
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C10卤代烷氧基，并且R3和R4中的至少一个和R5和R6中的至少一个是丙二腈，其中X和Y各自独立地为被C1
‑
C10烷基、卤素、氰基、丙二腈、C1
‑
C10卤代烷基和C1
‑
C10卤代烷氧基中的至少一个取代的苯基，其中所述第二空穴注入材料包括式2中的第一化合物和式3中的第二化合物中的至少一种：[式2]和[式3]
其中在式2中，X1和X2各自独立地选自C6
‑
C30芳基和C5
‑
C30杂芳基，且L1选自C6
‑
C30亚芳基和C5
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C30杂亚芳基，其中a为0或1，其中R1至R14中的每一个独立地选自H、D、C1
‑
C10烷基、C6
‑
C30芳基和C5
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C30杂芳基，或者R1至R14中相邻的两个彼此连接以形成稠环，其中在式3中，Y1和Y2各自独立地选自C6
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C30芳基和C5
‑
C30杂芳基，L1选自C6
‑
C30亚芳基和C5
‑
C30杂亚芳基，其中b为0或1，并且其中R21至R34中的每一个独立地选自H、D、C1
‑
C10烷基、C6
‑
C30芳基和C5
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C30杂芳基，或者R21至R34中相邻的两个彼此连接以形成稠环。2.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中所述空穴注入层包括所述第一空穴注入材料、所述第一化合物和所述第二化合物，并且其中所述第一空穴注入材料的重量百分比小于所述第一化合物和所述第二化合物中的每一个的重量百分比。3.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中所述空穴注入层包括所述第一空穴注入材料、所述第一化合物和所述第二化合物，并且其中所述第一化合物的重量百分比等于或大于所述第二化合物的重量百分比。4.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中所述第一空穴注入材料由式1
‑
2至1
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4中之一表示：[式1
‑
2]
[式1
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3]和[式1
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4]其中在式1
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4中，X1至X3中的每一个和Y1至Y3中的每一个独立地选自H、C1
‑
C10烷基、卤素、氰基、丙二腈、C1
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C10卤代烷基和C1
‑
C10卤代烷氧基，并且满足以下条件中的至少一个：i)X1和Y1不同，和ii)X2不同于Y2和Y3，或X3不同于Y2和Y3。5.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中所述第一空穴注入材料是式4中的化合物之一：[式4]
6.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中所述第一化合物是式5中的化合物之一：[式5]
7.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中所述第二化合物是式6中的化合物之一：[式6]
8.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中，所述第一空穴注入材料的重量百分比小于所述第二空穴注入材料的重量百分比。9.根据权利要求1所述的有机发光二极管，还包括：第二发射部分，所述第二发射部分包括第二发射材料层，且位于所述第一发射部分和所述第二电极之间；和第一p型电荷产生层，所述第一p型电荷产生层包括第一p型电荷产生材料和第二p型电荷产生材料，且位于所述第一发射部分和所述第二发射部分之间。10.根据权利要求9所述的有机发光二极管，其中所述第一p型电荷产生材料是式1
‑
1中的有机化合物，且所述第二p型电荷产生材料包括式2中的第三化合物和式3中的第四化合物中的至少一种。11.根据权利要求10所述的有机发光二极管，其中，在所述第一p型电荷产生层中，所述第一p型电荷产生材料的重量百分比小于所述第二p型电荷产生材料的重量百分比。12.根据权利要求10所述的有机发光二极管，其中，所述第一p型电荷产生层包括所述第一p型电荷产生材料、所述第三化合物和所述第四化合物，以及其中所述第一p型电荷产生材料的重量百分比小于所述第三化合物和所述第四化合物中的每一个的重量百分比。13.根据权利要求10所述的有机发光二极管，其中，所述第一p型电荷产生层包括所述第一p型电荷产生材料、所述第三化合物和所述第四化合物，以及其中所述第三化合物的重量百分比等于或大于所述第四化合物的重量百分比。
14.根据权利要求10所述的有机发光二极管，其中所述空穴注入层包括所述第一空穴注入材料、所述第一化合物和所述第二化合物，且所述第一p型电荷产生层包括所述第一p型电荷产生材料、所述第三化合物和所述第四化合物，以及其中所述第一化合物相对于所述第二化合物的重量百分比比率小于所述第三化合物相对于所述第四化合物的重量百分比比率。15.根据权利要求14所述的有机发光二极管，其中所述第一化合物和所述第二化合物具有相同的重量百分比，并且所述第三化合物的重量百分比大于所述第四化合物的重量百分比。16.根据权利要求9所述的有机发光二极管，其中，所述第一发射材料层具有440～480nm的发射波长范围，且所述第二发射材料层具有500～550nm的发射波长范围。17.根据权利要求9所述的有机发光二极管，还包括：第三发射部分，所述第三发射部分包括第三发射材料层，且位于所述第二发射部分和所述第二电极之间；和第二p型电荷产生层，所述第二p型电荷产生层包括第三p型电荷产生材料和第四p型电荷产生材料，且位于所述第二发射部分和所述第三发射部分之间。18.根据权利要求17所述的有机发光二极管，其中所述第三p型电荷产生材料是式1
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1中的有机化合物，且所述第四p型电荷产生...

【专利技术属性】
技术研发人员：申智彻，徐正大，金信韩，刘璇根，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：