显影方法和基片处理系统技术方案

本发明专利技术提供一种显影方法和基片处理系统。本发明专利技术的进行基片的显影处理的显影方法包括：向含金属涂敷膜被曝光成规定图案后的所述基片供给包含有机溶剂的显影液的步骤；和向被供给了所述显影液的所述基片供给包含有机溶剂的清洗液的步骤，在所述清洗液中的所述含金属涂敷膜的溶解性比在所述显影液中的所述含金属涂敷膜的溶解性小。根据本发明专利技术，能够减少在含金属涂敷膜的显影处理时产生的基片表面的残渣物的量。残渣物的量。残渣物的量。

【技术实现步骤摘要】
显影方法和基片处理系统


[0001]本专利技术涉及显影方法和基片处理系统。

技术介绍

[0002]专利文献1公开了一种涂敷显影方法，其特征在于，包括：在基片的表面涂敷含有金属的抗蚀剂来形成抗蚀膜，并对该抗蚀膜进行曝光的步骤；向所述基片的表面供给显影液来对所述抗蚀膜进行显影的显影步骤；和在所述显影步骤之前，在未形成所述抗蚀膜的基片的周缘部中的至少周端面和背面侧周缘部，形成防止其与所述显影液接触的第一保护膜的步骤。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2019
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047131号公报。

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的问题
[0007]本专利技术所涉及的技术是能够减少在含金属涂敷膜的显影处理时产生的基片表面的残渣物的量。
[0008]用于解决问题的技术手段
[0009]本专利技术的一个方式是一种进行基片的显影处理的显影方法，包括：向含金属涂敷膜被曝光成规定图案后的所述基片供给包含有机溶剂的显影液的步骤；和向被供给了所述显影液的所述基片供给包含有机溶剂的清洗液的步骤，在所述清洗液中的所述含金属涂敷膜的溶解性比在所述显影液中的所述含金属涂敷膜的溶解性小。
[0010]专利技术效果
[0011]根据本专利技术，能够减少在含金属涂敷膜的显影处理时产生的基片表面的残渣物的量。
附图说明
[0012]图1是示意性地表示实施方式的基片处理系统的概略结构的俯视图。
[0013]图2是示意性地表示基片处理系统的概略结构的主视图。
[0014]图3是示意性地表示基片处理系统的概略结构的后视图。
[0015]图4是示意性地表示实施方式的显影液供给装置的概略结构的侧面剖视图。
[0016]图5是示意性地表示实施方式的清洗液供给装置的概略结构的侧面剖视图。
[0017]图6是示意性地表示实施方式的热处理装置的概略结构的侧面剖视图。
[0018]图7是示意性地表示实施方式的紫外线照射装置的概略结构的侧面剖视图。
[0019]图8是表示实施方式的显影方法中的基片上的含金属涂敷膜的状态的说明图。
[0020]图9是表示曝光部和未曝光部的含金属涂敷膜的状态的说明图。
[0021]附图标记说明
[0022]1ꢀꢀꢀ
基片处理系统
[0023]30
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显影液供给装置
[0024]32
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清洗液供给装置
[0025]200 控制部
[0026]R
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含金属抗蚀膜
[0027]W
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晶片
具体实施方式
[0028]在半导体器件的制造工艺中，对半导体晶片(以下记为“晶片”)执行光刻步骤，其包括通过涂敷抗蚀剂来进行的抗蚀膜的形成，抗蚀膜的曝光，和通过曝光后的抗蚀膜的显影来进行的抗蚀剂图案的形成。近年来，在该光刻步骤中，正在研究为了形成更微细的抗蚀剂图案而使用含有金属的抗蚀液。
[0029]但是，在被曝光成规定图案的含金属抗蚀膜的显影处理中，未被显影液充分溶解的抗蚀剂溶解物容易作为残渣物残留在晶片上，这样的残渣成为其后的蚀刻步骤中的图案缺陷的原因。特别是，含金属抗蚀膜即使在未曝光部中也容易在与曝光部的边界处一点点地进行金属原子与氧原子的聚合反应，该聚合反应部相对于显影液是难溶的，因此在晶片上容易残留残渣物。在以往的显影方法中，由于难以除去这样的残渣物，因此使用含金属抗蚀液的半导体的量产化是困难的。
[0030]因此，本专利技术所涉及的技术是能够减少在含金属涂敷膜的显影处理时产生的基片表面的残渣物的量。
[0031]以下，参照附图对用于实施本实施方式的显影方法及其显影方法的基片处理系统进行说明。另外，在本说明书和附图中，对具有实质上相同的功能和结构的要素标注相同的附图标记来表示，并且省略对这些要素的重复说明。
[0032]图1是示意性地表示本实施方式的基片处理系统的概略结构的俯视图。另外，图2和图3是示意性地表示基片处理系统1的内部概略结构的主视图和后视图。
[0033]如图1所示，基片处理系统1具有：盒站10，其用于送入送出收纳有作为基片的多张晶片W的盒C；和处理站11，其包括对晶片W实施规定处理的多种处理装置。并且，基片处理系统1具有将盒站10、处理站11以及在处理站11和与其相邻的曝光装置12之间进行晶片W的交接的接口站13连接成一体的结构。
[0034]在盒站10设置有盒载置台20。在盒载置台20上设置有，在向基片处理系统1的外部送入送出盒C时用于载置盒C的多个盒载置板21。
[0035]在盒站10设置有能够在沿图1的X方向延伸的运送路径22上移动的晶片运送装置23。晶片运送装置23也能够在上下方向和绕铅垂轴(θ方向)移动，能够在各盒载置板21上的盒C与后述的处理站11的第三区块G3的交接装置之间运送晶片W。
[0036]在处理站11设置有包括各种装置的多个例如4个区块G1、G2、G3、G4。例如在处理站11的正面侧(图1的X方向负方向侧)设置有第一区块G1，在处理站11的背面侧(图1的X方向正方向侧)设置有第二区块G2。另外，在处理站11的盒站10侧(图1的Y方向负方向侧)设置有第三区块G3，在处理站11的接口站13侧(图1的Y方向正方向侧)设置有第四区块G4。
[0037]如图2所示，在第一区块G1中设置有多个液处理装置，例如显影液供给装置30、抗蚀剂涂敷装置31、清洗液供给装置32。显影液供给装置30进行晶片W的显影处理。抗蚀剂涂敷装置31向晶片W供给含有金属(例如Sn)的抗蚀液来作为含金属处理液，形成含金属抗蚀膜来作为含金属涂敷膜。清洗液供给装置32向晶片W供给包含有机溶剂的清洗液来清洗晶片W。这些显影液供给装置30、抗蚀剂涂敷装置31、清洗液供给装置32的数量、配置能够任意地选择。
[0038]在这些显影液供给装置30、抗蚀剂涂敷装置31、清洗液供给装置32中，例如在晶片W上进行使用了规定的处理液或涂敷液的旋涂。在旋涂中，例如从喷嘴向晶片W上排出处理液或涂敷液，并且使晶片W旋转，来使处理液或涂敷液在晶片W的表面扩散。
[0039]如图3所示，在第二区块G2中，热处理装置40、周边曝光装置41、紫外线照射装置42在上下方向和水平方向上排列设置。热处理装置40进行晶片W的加热、冷却这样的热处理。周边曝光装置41对晶片W的外周部进行曝光。紫外线照射装置42对晶片W照射紫外线。这些热处理装置40、周边曝光装置41、紫外线照射装置42的数量、配置能够任意选择。
[0040]例如在第三区块G3中，从下方起依次设置有多个交接装置50、51、52、53、54、55、56。另外，在第四区块G4中，从下方起依次设置有多个交接装置60、61、62。
[0041]如图1和图3所示，在被第一区块G1～第四区块G4包围的区域中形成有晶片运送区域D。在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种进行基片的显影处理的显影方法，其特征在于，包括：向含金属涂敷膜被曝光成规定图案后的所述基片供给包含有机溶剂的显影液的步骤；和向被供给了所述显影液的所述基片供给包含有机溶剂的清洗液的步骤，在所述清洗液中的所述含金属涂敷膜的溶解性比在所述显影液中的所述含金属涂敷膜的溶解性小。2.如权利要求1所述的显影方法，其特征在于：所述显影液和所述清洗液的至少任一者为2种以上的有机溶剂的混合液。3.如权利要求1所述的显影方法，其特征在于：所述显影液为2
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庚酮。4.如权利要求3所述的显影方法，其特征在于：所述清洗液为甲基异丁基甲醇或丙二醇单甲醚乙酸酯。5.如权利要求1所述的显影方法，其特征在于：所述显影液为丙二醇单甲醚乙酸酯与乙酸的混合液。6.如权利要求5所述的显影方法，其特征在于：所述清洗液为选自2
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庚酮、甲基异丁基甲醇、丙二醇单甲醚乙酸酯、丙二醇单甲醚、丙二醇单甲醚乙酸酯与丙二醇单甲醚的混合液、乙酸正丁酯、异丙醇中的任意者的处理液。7.如权利要求1～6中任一项所述的显影方法，其特征在于，还包括：向被供给了所述清洗液的所述基片照射波长为190～400nm的紫外线的步骤；在所述紫外线的照射过程中或照射后，加热所述基片的步骤；和向加热后的所述基片供给包含有机溶剂的图案清洗液的步骤。8.如权利要求7所述的显影方法，其特征在于：所述图案清洗液是碱性的处理液或包含有机酸的处理液。9.一种进行基片的显影处理的基片处理系统，其特征在于，包括：向所述基片供给包含有机溶剂的显影液的显影液供给部；向所述基片供给包含有机溶剂的清洗液的清洗液供给部；和控制所述显影液供给部和所述清洗液供给部的动作的控制部，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：龟井佑矢，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：