一种高精度耐高温MOS集成电路制造技术

本发明专利技术提供了一种高精度耐高温MOS集成电路，包括电流产生电路和修正补偿电路。本发明专利技术可在工作电压变化的情况下，稳定的产生与温度变化成正比的电流。本发明专利技术具有温度补偿及温度曲率修正功能，使电路输出的基准电压在较宽的温度范围内基本保持不变，具有较高的输出精度。度。度。

【技术实现步骤摘要】
一种高精度耐高温MOS集成电路


[0001]本专利技术涉及集成电路系统的设计，尤其涉及的是，一种高精度耐高温MOS集成电路的设计。

技术介绍

[0002]在模拟集成电路和数模混合集成电路中，基准电压源集成电路有着广泛的应用范围，常应用于线性稳压器、电源变换器以及数模转换器等集成电路系统的设计中。基准电压源集成电路要求在工作电压及环境温度变化的情况下，准确稳定的输出基准电压供给后续电路。但当基准电压源集成电路应用于环境温度变化范围较宽的场合时，其输出的基准电压依然会出现一定程度的变化，失去了其应有的精度。本专利技术针对上述问题，提出了一种具有修正补偿功能的基准电压源集成电路，其所输出的基准电压在较宽的温度范围内具有较高的精度。

技术实现思路

[0003]本专利技术所要解决的技术问题是提供了一种高精度耐高温MOS集成电路。
[0004]本专利技术的技术方案如下：一种高精度耐高温MOS集成电路包括电流产生电路和修正补偿电路。电流产生电路包括MOS管M1至M25、电容点C1、电阻R1至R4。修正补偿电路包括MOS管M26至M51、电容C2至C3、电阻R5至R8，输出端口VREF。电流产生电路可在工作电压变化的情况下，准确稳定地产生并输出与环境温度变化成正比的电流I1，以及偏置电流I
b
。修正补偿电路可产生对电流I1进行温度补偿的电流I2，以及在较宽温度范围内对基准电流进行修正的电流I
n
。修正补偿电路通过输出端口VREF输出在较宽温度范围内基本不变的基准电压V/>REF
。
[0005]一种高精度耐高温MOS集成电路中，电流产生电路包括MOS管M1至M25、电容点C1、电阻R1至R4。MOS管M3、M8、M11、M14、M12、M15均采用N沟道MOS管，并基于上述MOS管相关电路连接结构，电流产生电路可在低温度段环境范围内稳定工作并具有较小的功耗。基于MOS管M1、M2、M6、M7、M10、M11、M13、M14、M17、M18、M22、M23以及电阻R2、R3的相关电路连接结构，电流产生电路的工作过程基本不受工作电源电压VDD变化的。基于MOS管M10至M25、电阻R1至R4、电容C1的相关电路连接结构，MOS管M3漏源极所在支路稳定地产生与温度变化成正比的电流I1，并通过MOS管M7与M40的电流镜结构输入到修正补偿电路中。电流产生电路通过MOS管M25与M33的电流镜结构将MOS管M20漏源极所在支路产生的电流I
b
作为偏置电流输入到修正补偿电路中。
[0006]电流产生电路中，MOS管M1的源极连接电源VDD，MOS管M1的栅极连接MOS管M6的栅极，MOS管M1的漏极连接MOS管M2的源极。MOS管M2的源极连接MOS管M1的栅极，MOS管M2的栅极连接MOS管M7的栅极，MOS管M2的漏极连接MOS管M3的漏极。MOS管M3的漏极连接MOS管M2的漏极，MOS管M3的栅极连接MOS管M3的漏极，MOS管M3的源极连接MOS管M4的漏极。MOS管M4的漏极连接MOS管M3的源极，MOS管M4的栅极连接MOS管M4的漏极，MOS管M4的源极连接MOS管M5
的源极。MOS管M5的源极连接MOS管M4的源极，MOS管M5的栅极连接MOS管M9的栅极，MOS管M5的漏极接地。MOS管M6的源极连接电源VDD，MOS管M6的栅极连接MOS管M1的漏极，MOS管M6的漏极连接MOS管M7的源极。MOS管M8的漏极连接MOS管M7的漏极，MOS管M8的栅极连接MOS管M8的漏极，MOS管M8的源极连接MOS管M9的源极。MOS管M9的源极连接MOS管M8的源极，MOS管M9的栅极接地，MOS管M9的漏极接地。MOS管M10的源极连接电源VDD，MOS管M10的栅极连接MOS管M13的是栅极，MOS管M10的漏极连接MOS管M11的漏极。电阻R2的上端连接电阻的R3的上端，电阻R2的下端连接MOS管M10的漏极。电阻R3的上端连接MOS管M10的栅极，电阻R3的下端连接MOS管M13的漏极。MOS管M11的漏极连接MOS管M23的栅极电阻R2的下端，MOS管M11的栅极连接MOS管M14的栅极，MOS管M11的源极连接MOS管M12的漏极。MOS管M12的漏极连接MOS管M7的栅极，MOS管M12的栅极连接MOS管M3的栅极，MOS管M12的源极连接MOS管M16的漏极。电容C1的上端连接MOS管M15的源极，电容C1的下端连接电阻R1的上端，电阻R1的下端接地。MOS管M13的源极连接电源VDD，MOS管M13的栅极电阻R2的上端，MOS管M13的漏极连接MOS管M14的漏极。MOS管M14的漏极连接MOS管M13的漏极，MOS管M14的栅极连接MOS管M11的漏极，MOS管M14的源极连接MOS管M15的漏极。MOS管M15的漏极连接MOS管M14的源极，MOS管M15的栅极连接MOS管M18的栅极，MOS管M15的源极连接MOS管M16的漏极。MOS管M16的漏极连接MOS管M15的源极，MOS管M16的栅极连接MOS管M25的栅极，MOS管M16的源极接地。MOS管M17的源极连接电源VDD，MOS管M17的栅极连接MOS管M22的栅极，MOS管M17的漏极连接MOS管M18的漏极。MOS管M18的源极连接MOS管M17的漏极，MOS管M18的栅极连接MOS管M23的栅极，MOS管M18的漏极连接MOS管M19的漏极。MOS管M19的漏极连接MOS管M18的漏极，MOS管M19的栅极连接MOS管M19的漏极，MOS管M19的源极连接MOS管M20的漏极。MOS管M20的漏极连接MOS管M19的源极，MOS管M20的栅极连接MOS管M24的栅极，MOS管M20的源极连接MOS管M21的漏极。MOS管M21的漏极连接MOS管M20的源极，MOS管M21的栅极连接MOS管M25的栅极，MOS管M21的源极接地。MOS管M22的源极连接电源VDD，MOS管M22的栅极连接MOS管M22的漏极，MOS管M22的漏极连接MOS管M23的源极。MOS管M23的源极连接MOS管M17的栅极，MOS管M23的栅极连接MOS管M23的漏极，MOS管M23的漏极连接MOS管M24的漏极。MOS管M24的漏极连接MOS管M18的栅极，MOS管M24的栅极连接MOS管M20的漏极，MOS管M24的源极连接MOS管M25的漏极。MOS管M25的漏极连接MOS管M24的源极，MOS管M25的栅极连接MOS管M16的栅极，MOS管M25的源极连接电阻R4的上端，电阻R4的下端接地。
[0007]一种高精度耐高温MOS集成电路中，修正补偿电路包括MOS管M26至M51、电容C2至C3、电阻R5至R8，输出端口VREF。
[0008]基于MOS管M26至M39、电容C2、电阻R5的相关电路连接结构，MOS管M38漏源极所在支路产生对电流I1进行温度补偿的电流I2，能较明显的减小环境温度变化对电流I1的影响。基于MOS管M40至M48、电阻R6的相关电路连接结构，MOS管M本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高精度耐高温MOS集成电路，其特征在于，其包括电流产生电路和修正补偿电路；电流产生电路可在工作电压变化的情况下，准确稳定地产生并输出与环境温度变化成正比的电流I1，以及偏置电流I
b
；修正补偿电路可产生对电流I1进行温度补偿的电流I2，以及在较宽温度范围内对基准电流进行修正的电流I
n
；修正补偿电路通过输出端口VREF输出在较宽温度范围内基本不变的基准电压V
REF
。2.根据权利要求1所述一种高精度耐高温MOS集成电路，其特征在于，电流产生电路包括MOS管M1至M25、电容点C1、电阻R1至R4；MOS管M1的源极连接电源VDD，MOS管M1的栅极连接MOS管M6的栅极，MOS管M1的漏极连接MOS管M2的源极；MOS管M2的源极连接MOS管M1的栅极，MOS管M2的栅极连接MOS管M7的栅极，MOS管M2的漏极连接MOS管M3的漏极；MOS管M3的漏极连接MOS管M2的漏极，MOS管M3的栅极连接MOS管M3的漏极，MOS管M3的源极连接MOS管M4的漏极；MOS管M4的漏极连接MOS管M3的源极，MOS管M4的栅极连接MOS管M4的漏极，MOS管M4的源极连接MOS管M5的源极；MOS管M5的源极连接MOS管M4的源极，MOS管M5的栅极连接MOS管M9的栅极，MOS管M5的漏极接地；MOS管M6的源极连接电源VDD，MOS管M6的栅极连接MOS管M1的漏极，MOS管M6的漏极连接MOS管M7的源极；MOS管M8的漏极连接MOS管M7的漏极，MOS管M8的栅极连接MOS管M8的漏极，MOS管M8的源极连接MOS管M9的源极；MOS管M9的源极连接MOS管M8的源极，MOS管M9的栅极接地，MOS管M9的漏极接地；MOS管M10的源极连接电源VDD，MOS管M10的栅极连接MOS管M13的是栅极，MOS管M10的漏极连接MOS管M11的漏极；电阻R2的上端连接电阻的R3的上端，电阻R2的下端连接MOS管M10的漏极；电阻R3的上端连接MOS管M10的栅极，电阻R3的下端连接MOS管M13的漏极；MOS管M11的漏极连接MOS管M23的栅极电阻R2的下端，MOS管M11的栅极连接MOS管M14的栅极，MOS管M11的源极连接MOS管M12的漏极；MOS管M12的漏极连接MOS管M7的栅极，MOS管M12的栅极连接MOS管M3的栅极，MOS管M12的源极连接MOS管M16的漏极；电容C1的上端连接MOS管M15的源极，电容C1的下端连接电阻R1的上端，电阻R1的下端接地；MOS管M13的源极连接电源VDD，MOS管M13的栅极电阻R2的上端，MOS管M13的漏极连接MOS管M14的漏极；MOS管M14的漏极连接MOS管M13的漏极，MOS管M14的栅极连接MOS管M11的漏极，MOS管M14的源极连接MOS管M15的漏极；MOS管M15的漏极连接MOS管M14的源极，MOS管M15的栅极连接MOS管M18的栅极，MOS管M15的源极连接MOS管M16的漏极；MOS管M16的漏极连接MOS管M15的源极，MOS管M16的栅极连接MOS管M25的栅极，MOS管M16的源极接地；MOS管M17的源极连接电源VDD，MOS管M17的栅极连接MOS管M22的栅极，MOS管M17的漏极连接MOS管M18的漏极；MOS管M18的源极连接MOS管M17的漏极，MOS管M18的栅极连接MOS管M23的栅极，MOS管M18的漏极连接MOS管M19的漏极；MOS管M19的漏极连接MOS管M18的漏极，MOS管M19的栅极连接MOS管M19的漏极，MOS管M19的源极连接MOS管M20的漏极；MOS管M20的漏极连接MOS管M19的源极，MOS管M20的栅极连接MOS管M24的栅极，MOS管M20的源极连接MOS管M21的漏极；MOS管M21的漏极连接MOS管M20的源极，MOS管M21的栅极连接MOS管M25的栅极，MOS管M21的源极接地；MOS管M22的源极连接电源VDD，MOS管M22的栅极连接MOS管M22的漏极，MOS管M22的漏极连接MOS管M23的源极；MOS管M23的源极连接MOS管
M17的栅极，MOS管M23的栅极连接MOS管M23的漏极，MOS管M23的漏极连接MOS管M24的漏极；MOS管M24的漏极连接MOS管M18的栅极，MOS管M24的栅极连接MOS管M20的漏极，MOS管M24的源极连接MOS管M25的漏极；MOS管M25的漏极连接MOS管M24的源极，MOS管M25的栅极连接MOS管M16的栅极，MOS管M25的源极连接电...

【专利技术属性】
技术研发人员：高剑，张雍，
申请(专利权)人：深圳市容圣微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：