半导体存储器结构的处理方法技术

本申请公开一种半导体存储器结构的处理方法，包括以下步骤：提供所述半导体存储器结构，所述半导体存储器结构包括：第一隔离结构，所述第一隔离结构内形成有多个分立的位线结构；第二隔离结构，位于所述第一隔离结构上方，且所述第二隔离结构内形成有多个分立的导电结构，且每一所述位线结构上方对应设置有一所述导电结构；对所述第二隔离结构表面进行清洗，以去除在形成所述半导体存储器结构的过程中残留在所述第二隔离结构表面的导电颗粒，所述清洗至少包括：进行热处理。进行热处理。进行热处理。

【技术实现步骤摘要】
半导体存储器结构的处理方法


[0001]本申请涉及半导体存储器结构领域，具体涉及半导体存储器结构的处理方法。

技术介绍

[0002]在半导体存储器生产的过程中，常需要在金属层之间形成绝缘层以形成多个单独的金属插塞的情况。在这些情况中，经常也需要回退金属层上的绝缘层，以使得金属插塞的侧壁外露的需求。这时，很容易在两个金属插塞之间的绝缘层上表面形成由导电颗粒构成的导电线路，导致两个金属插塞之间短接，引起之后制备的半导体存储器结构出现电性缺陷。亟需提出一种新的半导体存储器制备方法，以减小出现电性缺陷的几率。

技术实现思路

[0003]鉴于此，本申请提供一种半导体存储器结构的处理方法，能够减小。
[0004]本申请提供的一种半导体存储器结构的处理方法，包括以下步骤：提供所述半导体存储器结构，所述半导体存储器结构包括：第一隔离结构，所述第一隔离结构内形成有多个分立的位线结构；第二隔离结构，位于所述第一隔离结构上方，且所述第二隔离结构内形成有多个分立的导电结构，且每一所述位线结构上方对应设置有一所述导电结构；对所述第二隔离结构表面进行清洗，以去除在形成所述半导体存储器结构的过程中残留在所述第二隔离结构表面的导电颗粒，所述清洗至少包括：进行热处理。
[0005]可选的，所述对所述第二隔离结构表面进行清洗还至少包括以下步骤：对所述第二隔离结构表面进行湿法清洗和干法清洗中的至少一种。
[0006]可选的，先对所述第二隔离结构表面进行湿法清洗，再对所述第二隔离结构表面进行干法清洗，或：先对所述第二隔离结构表面进行干法清洗，再对所述第二隔离结构表面进行湿法清洗。
[0007]可选的，所述热处理包括包括第一热处理和第二热处理，且所述第一热处理和第二热处理分别用于在湿法清洗和/或干法清洗后进行。
[0008]可选的，所述热处理包括：为所述第二隔离结构表面提供预设温度的气体环境。
[0009]可选的，所述预设温度大于或等于400℃，和/或，所述气体环境包括氮气环境。
[0010]可选的，所述气体环境中提供的气体中包含含氮的等离子体。
[0011]可选的，所述为所述第二隔离结构表面提供预设温度的气体环境包括以下步骤：向所述半导体存储器结构所在的腔室内通入氮气，且氮气流速大于或等于0.75SLM。
[0012]可选的，所述湿法清洗包括使用氢氟酸溶液清洗所述第二隔离结构表面，且所述氢氟酸溶液中氢氟酸与水的比例大于或等于1:600，和/或，所述干法清洗包括：使用包含氧自由基或氧离子的气体对所述第二隔离结构表面进行灰化处理，所述气体包括氢气或氮气的至少一种。
[0013]可选的，所述热处理的总时长大于或等于1小时。
[0014]在该实施例中，在形成多个分立的导电结构后，对所述第二隔离结构表面进行清
洗，从而可以去除在形成所述半导体存储器结构的过程中残留在所述第二隔离结构表面的导电颗粒，并且，由于所述清洗至少包括：进行热处理，清洗效果得到保障。
附图说明
[0015]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0016]图1为本申请一实施例中所述半导体存储器结构的处理方法的步骤流程示意图。
[0017]图2为本申请一实施例中所述半导体存储器结构未进行第二隔绝结构制备时的结构示意图。
[0018]图3为本申请一实施例中所述半导体存储器结构进行了第二隔绝结构制备时的结构示意图。
[0019]图4为本申请一实施例中所述半导体存储器结构进行了清洗后的结构示意图。
[0020]图5为本申请一实施例中所述半导体存储器结构的部分结构的放大示意图。
具体实施方式
[0021]以下结合附图以及实施例，对所述半导体存储器结构的处理方法作进一步的说明。
[0022]请参阅图1，为本申请一实施例中所述半导体存储器结构的处理方法的步骤流程示意图。
[0023]在该实施例中，所述半导体存储器结构的处理方法包括以下步骤：步骤S101：提供所述半导体存储器结构，所述半导体存储器结构包括：第一隔离结构(131、161、162、163)，所述第一隔离结构(131、161、162、163)内形成有多个分立的位线结构；第二隔离结构201，位于所述第一隔离结构(131、161、162、163)上方，且所述第二隔离结构201内形成有多个分立的导电结构200，且每一所述位线结构上方对应设置有一所述导电结构200；步骤S102：对所述第二隔离结构201表面进行清洗，以去除在形成所述半导体存储器结构的过程中残留在所述第二隔离结构201表面的导电颗粒，所述清洗至少包括：进行热处理。
[0024]在该实施例中，由于对所述第二隔离结构201表面进行清洗时至少进行了热处理，有助于洗去所述第二隔离结构201表面的导电颗粒，从而防止该第二隔离结构201表面的导电颗粒引发的短接问题。
[0025]如图2所示，所述半导体存储器件结构包括衬底101、形成在所述衬底101内的有源区1021、浅沟道隔离结构102，以及形成在所述衬底101表面的多个分立的位线结构，各个所述分立的位线结构被所述第一隔离结构(131、161、162、163)隔开。所述位线结构上形成有导电结构200，可以连接至所述位线，作为所述半导体存储器连接至外界电信号的焊盘等。所述导电结构200至少包括位于所述衬底101上方的部分。
[0026]衬底101可以包括半导体材料，并且可以包括IV族半导体和/或III
‑
V化合物半导体。例如，衬底101可以是或者可以包括硅(Si)衬底、锗(Ge)衬底或硅锗(SiGe)衬底，并且可以包括多层，诸如绝缘体上硅(SOI)衬底、或绝缘体上锗(GOI)衬底。此外，衬底101可以包括
一个或更多个半导体层或结构，并且可以包括半导体器件的有源或可操作部分。
[0027]所述浅沟道隔离结构102可以包括例如氧化物(例如硅氧化物(SiO2))、氮化物(例如硅氮化物(Si3N4))或氮氧化物(例如硅氮氧化物(SiON))。
[0028]在图2所示的实施例中，所述位线结构包括第一材料层130，所述第一材料层130的下底面接触所述有源区1021，并位于在两个浅沟槽隔离结构之间。所述第一材料层130为导电材料，所述导电材料包括杂质掺杂的多晶硅或未掺杂杂质的多晶硅等。实际上所述第一材料层130也可以是其他掺杂有N型或P型掺杂离子的半导体材料，例如掺杂非晶硅层等，也可根据需要设所述第一材料层130的具体材料。
[0029]所述位线结构还包括形成在所述第一材料层130上表面的金属层151，所述金属层151可以是单个金属层或多个金属层的堆叠结构，可以是氮化钛层、钨层、铜层中的至少一种。
[0030]相邻两位线结构之间设本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体存储器结构的处理方法，其特征在于，包括以下步骤：提供所述半导体存储器结构，所述半导体存储器结构包括：第一隔离结构，所述第一隔离结构内形成有多个分立的位线结构；第二隔离结构，位于所述第一隔离结构上方，且所述第二隔离结构内形成有多个分立的导电结构，且每一所述位线结构上方对应设置有一所述导电结构；对所述第二隔离结构表面进行清洗，以去除在形成所述半导体存储器结构的过程中残留在所述第二隔离结构表面的导电颗粒，所述清洗至少包括：进行热处理。2.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述对所述第二隔离结构表面进行清洗还至少包括以下步骤：对所述第二隔离结构表面进行湿法清洗和干法清洗中的至少一种。3.根据权利要求2所述的处理方法，其特征在于，先对所述第二隔离结构表面进行湿法清洗，再对所述第二隔离结构表面进行干法清洗，或：先对所述第二隔离结构表面进行干法清洗，再对所述第二隔离结构表面进行湿法清洗。4.根据权利要求2所述的处理方法，其特征在于，所述热处理包括包括第一热处理和第二热处理，且所述第一热处理和第二热处理...

【专利技术属性】
技术研发人员：何新悦，刘自豪，李臻，
申请(专利权)人：福建省晋华集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：