光纤制造技术

本发明专利技术涉及的光纤具有芯部(10)、包围芯部的内包层(21)、以及包围内包层的外包层(22)。芯部相对于纯二氧化硅的平均相对折射率差Δ1、内包层相对于纯二氧化硅的平均相对折射率差Δ2、以及外包层相对于纯二氧化硅的平均相对折射率差Δ3满足Δ1＞Δ3≥Δ2的关系。内包层半径r2相对于芯部半径r1的比r2/r1为4.5以上且5.5以下。相对于纯二氧化硅的相对折射率差的最小值Δmin为

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光纤


[0001]本专利技术涉及光纤。本申请要求基于2020年3月17日提出的日本申请第2020
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46648号的优先权，引用所述日本申请记载的全部记载内容。

技术介绍

[0002]在ITU
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T(International Telecommunication Union Telecommunication Standardization Sector，国际电联电信标准化部门)G.657中，规定了耐弯曲性优异的光纤的标准。在该标准中，设想在FTTx(Fiber To The x，光纤到某地)等接入系统中在对弯曲条件要求严格的情况下使用光纤。例如，在ITU
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T G.657 A1中，规定了弯曲半径10mm和15mm的弯曲损耗的上限值。在ITU
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T G.657 A2中，规定了弯曲半径7.5mm、10mm以及15mm的弯曲损耗的上限值。
[0003]为了提高耐弯曲性，已知有采用在包层中具有凹陷结构的折射率分布的方法。根据凹陷结构，能够一边将截止波长限制在规定的波长以下，一边增大芯部和包层的折射率差，因此耐弯曲性提高。在专利文献1中，作为实现凹陷结构的方法之一，公开了在外包层部添加氯(Cl)的方法。
[0004]在专利文献2中，公开了通过在芯部与包层间的边界采用折射率从芯部向包层逐渐降低的折射率分布来改善耐弯曲性的方法。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：美国专利申请公开第2019/0119143号说明书；
[0008]专利文献2：日本特开2017
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26698号公报。

技术实现思路

[0009]本专利技术的一个实施方式的光纤具有芯部、包围芯部的内包层、以及包围内包层的外包层。芯部相对于纯二氧化硅的平均相对折射率差Δ1、内包层相对于纯二氧化硅的平均相对折射率差Δ2、以及外包层相对于纯二氧化硅的平均相对折射率差Δ3满足Δ1＞Δ3≥Δ2的关系。内包层半径r2相对于芯部半径r1的比r2/r1为4.5以上且5.5以下。相对于纯二氧化硅的相对折射率差的最小值Δmin为
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0.030％以上且
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0.010％以下。相对折射率差为最小值Δmin的半径rmin为r1＜rmin＜r2。当将芯部半径r1处的相对折射率差设为Δ(r1)时，(Δmin
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Δ(r1))/(rmin
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r1)为
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0.002％/μm以下。
附图说明
[0010]图1为表示实施方式的光纤的剖面和折射率分布的图。
[0011]图2为表示相对折射率差的第一斜率与弯曲损耗的关系的图表。
[0012]图3为表示相对折射率差的第二斜率与弯曲损耗的关系的图表。
[0013]图4为表示内包层半径相对于芯部半径的比与传输损耗的关系的图表。
具体实施方式
[0014][本专利技术要解决的问题][0015]从提高耐弯曲性的观点出发，需要加强将光波封闭到芯部中的能力。也就是说，在凹陷结构中，为了增大芯部和包层的折射率差，需要在芯部和内包层中添加使折射率发生变化的大量的掺杂物。在专利文献1公开的方法中，也需要在外包层部添加大量的Cl。因此，传输损耗恶化。
[0016]专利文献2记载的方法实质上等价于增大芯径，光的功率分布与掺杂物的重叠增大。因此，传输损耗恶化。
[0017]因此，本专利技术的目的在于提供一种能够兼顾低弯曲损耗和低传输损耗的光纤。
[0018][本专利技术的效果][0019]根据本专利技术，可以提供一种能够兼顾低弯曲损耗和低传输损耗的光纤。
[0020][本专利技术的实施方式的说明][0021]首先列述本专利技术的实施方式进行说明。一个实施方式的光纤具有芯部、包围芯部的内包层、以及包围内包层的外包层。芯部相对于纯二氧化硅的平均相对折射率差Δ1、内包层相对于纯二氧化硅的平均相对折射率差Δ2、以及外包层相对于纯二氧化硅的平均相对折射率差Δ3满足Δ1＞Δ3≥Δ2的关系。内包层半径r2相对于芯部半径r1的比r2/r1为4.5以上且5.5以下。相对于纯二氧化硅的相对折射率差的最小值Δmin为
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0.030％以上且
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0.010％以下。相对折射率差为最小值Δmin的半径rmin为r1＜rmin＜r2。当将芯部半径r1处的相对折射率差设为Δ(r1)时，(Δmin
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Δ(r1))/(rmin
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r1)为
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0.002％/μm以下。另外，作为本专利技术中记载的折射率，能够使用将各半径处的折射率的测量值例如以0.5μm区间进行移动平均后的值。
[0022]在上述实施方式的光纤中，由于Δ1＞Δ3≥Δ2，所以能够设置芯部和内包层的相对折射率差。由于比r2/r1为4.5以上，所以能够抑制传输损耗。如果比r2/r1为5.5以下，则能够抑制弯曲损耗。由于折射率分布的斜率(以下称为“第一斜率”。)(Δmin
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Δ(r1))/(rmin
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r1)为
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0.002％/μm以下，所以能够抑制弯曲损耗。因此，能够兼顾低弯曲损耗和低传输损耗。
[0023]当将相对于纯二氧化硅的相对折射率差为零的半径设为r0时，在r0≥r1的情况下，斜率(以下称为“第二斜率”。)Δmin/(rmin
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r0)也可以为
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0.002％/μm以下。
[0024]平均相对折射率差Δ2可以为
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0.025％以上且
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0.010％以下。在此情况下，容易增大芯部和内包层的相对折射率差。
[0025]外包层中的氯的平均浓度可以为500wtppm以下。在此情况下，能够抑制Cl引起的发泡。
[0026]平均相对折射率差Δ1可以为0.35％以上且0.45％以下。在此情况下，容易增大芯部和内包层的相对折射率差。
[0027]半径rmin可以为7μm以上且15μm以下。在此情况下，容易兼顾低弯曲损耗和低传输损耗。
[0028]芯部半径r1可以为4μm以上且5μm以下。在此情况下，第一斜率(Δmin
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Δ(r1))/(rmin
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r1)或第二斜率Δmin/(rmin
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r0)容易成为
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0.002％/μm以下。
[0029][本专利技术的实施方式的详细内容][0030]以下一边参照附图一边说明本专利技术的光纤的具体例子。另外，本专利技术不限于这些示例，而是由权利要求的范围表示，意在包含与权利要求的范围等同的含义和范围内的所有变更。在附图的说明中，对相同的要素附加相同的标记并省略重复的说明。
[0031]如上所述，在凹陷结构中，存在由于在芯部和内包层中添加的大量的掺杂物而使传输损耗恶化的问题。进而，根据本专利技术人的经验和研究，在专利本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种光纤，其具有芯部、包围所述芯部的内包层、以及包围所述内包层的外包层，所述芯部相对于纯二氧化硅的平均相对折射率差Δ1、所述内包层相对于纯二氧化硅的平均相对折射率差Δ2、以及所述外包层相对于纯二氧化硅的平均相对折射率差Δ3满足Δ1＞Δ3≥Δ2的关系，内包层半径r2相对于芯部半径r1的比r2/r1为4.5以上且5.5以下，相对于纯二氧化硅的相对折射率差的最小值Δmin为
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0.030％以上且
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0.010％以下，所述相对折射率差为最小值Δmin的半径rmin为r1＜rmin＜r2，当将芯部半径r1处的所述相对折射率差设为Δ(r1)时，(Δmin
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Δ(r1))/(rmin
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r1)为
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0.002％/μm以下。2.根据权利要求1所述的光纤，其中，当将相对于纯二氧化硅的相对折射率差为零的半径设为r0时，r0≥r1，Δmin/(rmin
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r0)为
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0.002％/μm以下。3.根据权利要求1或2所述的光纤，其中，所述平均相对折射率差Δ2为
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0.025％以上且
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0.010％以下。4.根据权利要求1至3中任一项所述的光纤，其中，所述外包层中的氯的平均浓度为500wtppm以下。5.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：川口雄挥，长谷川健美，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：