一种异型半导体纳米电热膜发热体制造技术

本实用新型专利技术公开了一种异型半导体纳米电热膜发热体，包括基体，所述基体内的左右两侧均镀有电极，所述基体上表面的中部镀有半导体纳米电热膜，所述半导体纳米电热膜的两端与两个电极通电部位固定连接，所述半导体纳米电热膜的数量大于一个，所述基体上表面的外侧和两个相邻的半导体纳米电热膜之间均使用半导体纳米电热膜阻隔液防止镀膜的处理或在镀膜后可以进行激光除膜和打磨喷砂处理形成未镀膜绝缘基体，本异型半导体纳米电热膜发热体，大大提高了发热面积在基体上的占比，在相同面积下就提高了热效能和性价比，且在面状发热均匀度，过载电流的承载，美观度方面都有了很大的提升。提升。提升。

【技术实现步骤摘要】
一种异型半导体纳米电热膜发热体


[0001]本技术涉及电热膜
，具体为一种异型半导体纳米电热膜发热体。

技术介绍

[0002]透明半导体纳米电热膜是新一代的发热材料。它的发热方式不同于传统金属电阻丝。它零感抗，纯电阻发热，可接受1V
‑
1000V电压输入，供电电源不分正负，交直流均可使用。并且以面状发热打破了传统的线状发热形态，热传递效果好，电热转换效率高：80％～97％，具有较好的节能优势。其具有抗酸碱腐蚀，抗氧化，阻燃，防潮，膜层硬度高，需金刚砂以上的硬度打磨才会破坏膜层，膜层无毒、无有害辐射、无任何污染等物化性质。
[0003]如图4所示传统圆形制作形式由于电流都往中心集中，对电热膜均匀性要求很高，若半导体纳米电热膜电阻均匀性相差
±
15Ω，长期使用则存在电流短路破坏电热膜的风险。且这种方式接线中心温度会较高，必须使用高温接线的方式，但老化程度还是会较大。在使用过程中也存在弊端，由于中心是电极接线位置，中心是不发热的。由于发热面积的分布的局限性，市场需求度会受影响；如图5所示传统圆形制作形式由于电极制作必须平行，(平面电路的通电原理是只走线路最短的路径，所以两端电极必须平行，才不会造成尖端放电的现象。)则会浪费大量的发热区域，只有中心方形区域才能发热，这样制作发热面积的比例较低，则会造成产品性价比较差，其他异性的半导体纳米电热膜发热体还未制作，难点就在于电极电路的设计和分布。

技术实现思路

[0004]鉴于现有技术中所存在的问题，本技术公开了一种异型半导体纳米电热膜发热体，采用的技术方案是，包括基体，所述基体内的左右两侧均镀有电极，所述基体上表面的中部镀有半导体纳米电热膜，所述半导体纳米电热膜的两端与两个电极通电部位固定连接，所述半导体纳米电热膜的数量大于一个，所述基体上表面的外侧和两个相邻的半导体纳米电热膜之间均使用半导体纳米电热膜阻隔液防止镀膜的处理或在镀膜后可以进行激光除膜和打磨喷砂处理形成未镀膜绝缘基体，未镀膜绝缘基体分隔每一个电热膜区域的绝缘段原理只是分隔不过电即可，分隔绝缘段区域不用太宽，可以细窄，保证绝缘不发热区域面积小，不要影响温度均匀性即可。
[0005]作为本技术的一种优选技术方案，每个所述半导体纳米电热膜的面积相等，半导体纳米电热膜的个数为任意个数，半导体纳米电热膜面积相等是为了确保他们之间的功率都相等，发热时每个面积的发热温度都相同，这种制作方式的温度不均匀度相差较低，因为电热膜面积的平均分隔可以减少了功率密度的误差，且每个区域的半导体纳米电热膜独立工作，通电电流平均分散至各个区域，很大的降低了过载电流的风险，稳定性更高。
[0006]作为本技术的一种优选技术方案，所述电极两端采用高温接线的方式与外部的导线连接。
[0007]作为本技术的一种优选技术方案，所述电极为台阶状，且两个电极与每个半
导体纳米电热膜通电部位相互平行，半导体纳米电热膜两侧的通电电极是两侧平行的，上下半导体纳米电热膜之间互相独立，不存在尖端放电的风险，稳定安全。
[0008]作为本技术的一种优选技术方案，所述基体的侧面做有绝缘处理，可防止使用时出现漏电等危险情况。
[0009]作为本技术的一种优选技术方案，所述基体的材质为玻璃、陶瓷和经绝缘层处理后的金属。
[0010]本技术的有益效果：本技术通过在一整个面状发热的基础上平均分隔成每一段独立的小型发热段且共用一个电极的便捷方式，相对于在异型基体上镀膜一整个面状电热膜，此方法大大提高了发热面积在基体上的占比，在相同面积下就提高了热效能和性价比，且在面状发热均匀度，过载电流的承载，美观度方面都有了很大的提升，所有发热面都共用一对电极，简便稳定，性价比更高，最终可形成美观的中间透明均匀发热的异型发热体。
附图说明
[0011]图1为本技术圆形半导体纳米电热膜结构示意图；
[0012]图2为本技术三角形半导体纳米电热膜结构示意图；
[0013]图3为本技术菱形半导体纳米电热膜结构示意图；
[0014]图4为现有半导体纳米电热膜结构示意图；
[0015]图5为现有半导体纳米电热膜发热体示意图。
[0016]图中：1基体、2电极、3半导体纳米电热膜、4未镀膜绝缘基体。
具体实施方式
[0017]实施例1
[0018]如图1至图5所示，本技术公开了一种异型半导体纳米电热膜发热体，采用的技术方案是，包括基体1，所述基体1内的左右两侧均镀有电极 2，所述基体1上表面的中部镀有半导体纳米电热膜3，所述半导体纳米电热膜 3的两端与两个电极2通电部位固定连接，所述半导体纳米电热膜的数量大于一个，所述基体1上表面的外侧和两个相邻的半导体纳米电热膜3之间均使用半导体纳米电热膜阻隔液防止镀膜的处理或在镀膜后可以进行激光除膜和打磨喷砂处理形成未镀膜绝缘基体4，未镀膜绝缘基体分隔每一个电热膜区域的绝缘段原理只是分隔不过电即可，分隔绝缘段区域不用太宽，可以细窄，保证绝缘不发热区域面积小，不要影响温度均匀性即可，在计算到基体1上下两端半导体纳米电热膜3面积无法满足时则不使用，进行绝缘处理即可，基体1可以为任意形状。
[0019]作为本技术的一种优选技术方案，每个所述半导体纳米电热膜3 的面积相等，半导体纳米电热膜3的个数为任意个数，半导体纳米电热膜3面积相等是为了确保他们之间的功率都相等，发热时每个面积的发热温度都相同，这种制作方式的温度不均匀度相差较低，因为电热膜面积的平均分隔可以减少了功率密度的误差，且每个区域的半导体纳米电热膜3独立工作，通电电流平均分散至各个区域，很大的降低了过载电流的风险，稳定性更高。
[0020]作为本技术的一种优选技术方案，所述电极2两端采用高温接线的方式与外
部的导线连接。
[0021]作为本技术的一种优选技术方案，所述电极2为台阶状，且两个电极2与每个半导体纳米电热膜3通电部位相互平行，半导体纳米电热膜3两侧的通电电极2是两侧平行的，上下半导体纳米电热膜3之间互相独立，不存在尖端放电的风险，稳定安全。
[0022]作为本技术的一种优选技术方案，所述基体1的侧面做有绝缘处理，可防止使用时出现漏电等危险情况。
[0023]作为本技术的一种优选技术方案，所述基体1的材质为玻璃、陶瓷和经绝缘层处理后的金属。
[0024]本技术中仅说明圆形发热体、三角形发热体和平行四边形发热体的构成及原理，在实际使用时基体1可以是任意的形状。
[0025]在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种异型半导体纳米电热膜发热体，其特征在于，包括基体(1)，所述基体(1)内的左右两侧均镀有电极(2)，所述基体(1)上表面的中部镀有半导体纳米电热膜(3)，所述半导体纳米电热膜(3)的两端与两个电极(2)通电部位固定连接，所述半导体纳米电热膜(3)的数量大于一个，所述基体(1)上表面的外侧和两个相邻的半导体纳米电热膜(3)之间均使用半导体纳米电热膜阻隔液防止镀膜的处理或在镀膜后可以进行激光除膜和打磨喷砂处理形成未镀膜绝缘基体(4)。2.根据权利要求1所述的一种异型半导体纳米电热膜发热体，其特征在于：每个所述半导体纳米电热膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗浩，杨小华，蔡建财，
申请(专利权)人：福建晶烯新材料科技有限公司，
类型：新型
国别省市：