一种超宽带红外增透膜制造技术

本实用新型专利技术涉及一种超宽带红外增透膜，包括在基底材料上由里向外依次堆叠的第一ZnS膜层、第一Ge膜层、第一YbF3膜层、第二Ge膜层、第二YbF3膜层、第三Ge膜层、第三YbF3膜层和第二ZnS膜层，较之前的现有技术，本实用新型专利技术具有以下有益效果：本实用新型专利技术的超宽带红外增透膜强度和硬度均较高，可适应各种恶劣的环境变化，而且在3um到12um的波段内光的平均反射率均低于2％。于2％。于2％。

【技术实现步骤摘要】
一种超宽带红外增透膜


[0001]本技术涉及一种超宽带红外增透膜。

技术介绍

[0002]红外光学系统通常由多个红外光学元件组成，大多数红外光学窗口材料的透过率都比较低，例如锗Ge的透过率T＝47％，硅Si的透过率＝53％，硒化锌ZnSe的透过率＝68％，硫化锌ZnS的透过率＝75％。多个红外光学元件的组合意味着红外光学系统的通光量极低，光学系统基本无法工作，因此降低红外材料表面反射率，提高透过率，对提高红外光学系统性能有着极其重要的意义。
[0003]红外增透膜通常根据光学系统使用的红外窗口波段进行设计，常用的红外窗口波段有中波红外3
‑
5um(大气窗口)和长波红外8
‑
12um。波长越长、波段越宽则会带来膜层越厚，相对反射率也会越高，膜层应力越不匹配，膜层牢固度越差等问题。而且大多数光学系统窗片都是暴露在大气环境中直接使用，部分区域恶劣的自然环境会破坏其表面，降低透过率，严重的甚至会导致光学系统失效。因此红外增透膜必须高强度高硬度，以便能适应各种恶劣的环境变化。

技术实现思路

[0004]本技术涉及一种超宽带红外增透膜，它可应用在红外光学材料上，在3um到12um的波段内光的平均反射率均低于2％，而且强度高、硬度高，可适应各种恶劣的环境变化。
[0005]本技术通过以下技术方案实现：
[0006]一种超宽带红外增透膜，包括在基底材料上由里向外依次堆叠的第一ZnS膜层、第一Ge膜层、第一YbF3膜层、第二Ge膜层、第二YbF3膜层、第三Ge膜层、第三YbF3膜层和第二ZnS膜层，
[0007]所述的第一ZnS膜层的膜厚为68.79
‑
71.60nm；
[0008]所述的第一Ge膜层的膜厚为194.56
‑
202.50nm；
[0009]所述的第一YbF3膜层的膜厚为166.57
‑
173.37nm；
[0010]所述的第二Ge膜层的膜厚为134.99
‑
140.50nm；
[0011]所述的第二YbF3膜层的膜厚为337.83
‑
351.62nm；
[0012]所述的第三Ge膜层的膜厚为65.08
‑
67.74nm；
[0013]所述的第三YbF3膜层的膜厚为741.71
‑
771.98nm；
[0014]所述的第二ZnS膜层的膜厚为49.49
‑
51.51nm。
[0015]所述的基底材料为Ge基底。
[0016]较之前的现有技术，本技术具有以下有益效果：
[0017]本技术的超宽带红外增透膜的第一ZnS膜层可提高膜层与基底材料的附着力，第二ZnS膜层可提高膜层强度和硬度，Ge膜层和YbF3膜层分别作为高低折射率材料组成
增透膜的主膜堆，因此本技术的超宽带红外增透膜强度和硬度均较高，可适应各种恶劣的环境变化，而且在3um到12um 的波段内光的平均反射率均低于2％。
附图说明
[0018]图1是本技术结构示意图。
[0019]图2是实施例1的带有超宽带红外增透膜的Ge基底的反射光谱曲线。
[0020]图3是实施例2的带有超宽带红外增透膜的Ge基底的反射光谱曲线。
[0021]图4是实施例3的带有超宽带红外增透膜的Ge基底的反射光谱曲线。
具体实施方式
[0022]下面结合附图和具体实施例对本技术进一步阐述。
[0023]实施例1
[0024]一种超宽带红外增透膜，包括在基底材料上由里向外依次堆叠的第一 ZnS膜层、第一Ge膜层、第一YbF3膜层、第二Ge膜层、第二YbF3膜层、第三Ge膜层、第三YbF3膜层和第二ZnS膜层，
[0025]所述的基底材料为Ge基底。
[0026]所述的第一ZnS膜层的膜厚为68.79nm；
[0027]所述的第一Ge膜层的膜厚为194.56nm；
[0028]所述的第一YbF3膜层的膜厚为166.57nm；
[0029]所述的第二Ge膜层的膜厚为134.99nm；
[0030]所述的第二YbF3膜层的膜厚为337.83nm；
[0031]所述的第三Ge膜层的膜厚为65.08nm；
[0032]所述的第三YbF3膜层的膜厚为741.71nm；
[0033]所述的第二ZnS膜层的膜厚为49.49nm。
[0034]实施例2
[0035]与实施例1不同的是，所述的第一ZnS膜层的膜厚为71.60nm；
[0036]所述的第一Ge膜层的膜厚为202.50nm；
[0037]所述的第一YbF3膜层的膜厚为173.37nm；
[0038]所述的第二Ge膜层的膜厚为140.50nm；
[0039]所述的第二YbF3膜层的膜厚为351.62nm；
[0040]所述的第三Ge膜层的膜厚为67.74nm；
[0041]所述的第三YbF3膜层的膜厚为771.98nm；
[0042]所述的第二ZnS膜层的膜厚为51.51nm。
[0043]实施例3
[0044]与实施例1不同的是，所述的第一ZnS膜层的膜厚为70.20nm；
[0045]所述的第一Ge膜层的膜厚为198.53nm；
[0046]所述的第一YbF3膜层的膜厚为169.97nm；
[0047]所述的第二Ge膜层的膜厚为137.74nm；
[0048]所述的第二YbF3膜层的膜厚为344.73nm；
[0049]所述的第三Ge膜层的膜厚为66.41nm；
[0050]所述的第三YbF3膜层的膜厚为756.84nm；
[0051]所述的第二ZnS膜层的膜厚为50.50nm。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种超宽带红外增透膜，其特征在于：包括覆盖在基底(9)上且由里向外依次堆叠的第一ZnS膜层(1)、第一Ge膜层(2)、第一YbF3膜层(3)、第二Ge膜层(4)、第二YbF3膜层(5)、第三Ge膜层(6)、第三YbF3膜层(7)和第二ZnS膜层(8)，所述的第一ZnS膜层(1)的膜厚为68.79
‑
71.60nm；所述的第一Ge膜层(2)的膜厚为194.56
‑
202.50nm；所述的第一YbF3膜层(3)的膜厚为166.57
‑
173.37nm；所述的第二Ge...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱元强，陈钢，叶沈航，方星，廖以旺，
申请(专利权)人：福建福特科光电股份有限公司，
类型：新型
国别省市：