全桥式驱动装置制造方法及图纸

技术编号:3383378 阅读:163 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种全桥式驱动装置,包括有一控制芯片,输出一第一控制信号与一第二控制信号;一全桥式开关组件,包括第一至第四N通道场效晶体管,该全桥式开关组件耦接于一直流电源、一变压器的一次侧及二个驱动电路。其一驱动电路包括有一第一截止开关根据第一控制信号截止第一N信道场效晶体管;一第一充电路径耦接于该直流电源与该第二N通道场效晶体管;一第一放电路径耦接于该第一N通道场效晶体管的闸-源极间。其另一驱动电路包括有一第二截止开关根据该第二控制信号截止该第三N通道场效晶体管;一第二充电路径耦接于该直流电源与该第四N通道场效晶体管;及一第二放电路径耦接于该第三N通道场效晶体管的闸-源极间。(*该技术在2016年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种全桥式驱动装置,其特征在于,连接于一变压器一次侧与一直流电源,包括有:一控制芯片,设有一第一输出端与一第二输出端,该第一输出端与该第二输出端分别输出占空比小于50%的一第一控制信号与一第二控制信号;一第一截止开关,耦接于 该控制芯片的第一输出端;一第一二极管,其阳极耦接于该直流电源;一第一电阻,耦接于该第一二极管的阴极与该第一截止开关;一第一电容,耦接于该第一二极管的阴极与该变压器一次侧的一端;一第一N通道场效晶体管,该第一N 通道场效晶体管的闸极耦接于该第一截止开关,该第一N通道场效晶体管的汲极耦接于该直流电源,该第一N通道场效晶体管的源极耦接于该变压器一次侧的一端;一第二N通道场效晶体管,该第二N通道场效晶体管的闸极耦接于该第一输出端,该第二N通道场效 晶体管的汲极耦接于该第一N通道场效晶体管的源极,该第二N通道场效晶体管的源极耦接到一参考端;一第二截止开关,耦接于该控制芯片的第二输出端;一第二二极管,其阳极耦接于该直流电源;一第二电阻,耦接于该第二二极管的阴极与该 第二截止开关;一第二电容,耦接于该第二二极管的阴极与该变压器一次侧的另一端;一第三N通道场效晶体管,该第三N通道场效晶体管的闸极耦接于该第二截止开关,该第三N通道场效晶体管的汲极耦接于该直流电源,该第三N通道场效晶体管的源极 耦接于该变压器一次侧的另一端;及一第四N通道场效晶体管,该第四N通道场效晶体管的闸极耦接于该第二输出端,该第四N通道场效晶体管的汲极耦接于该第三N通道场效晶体管的源极,该第四N通道场效晶体管的源极耦接到该参考端。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:陈振刚王政雄
申请(专利权)人:联昌电子企业股份有限公司
类型:实用新型
国别省市:71[中国|台湾]

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