干法刻蚀机台的设备前端模块的颗粒堆积物清理检测系统技术方案

本实用新型专利技术提供一种干法刻蚀机台的设备前端模块的颗粒堆积物清理检测系统，包括：检测盒，设置在干法刻蚀机台的设备前端模块上；酸性指示剂，装填在检测盒之内，能够吸附设备前端模块的颗粒堆积物并且与颗粒堆积物产生化学反应；PH值探测器，安装在检测盒上并且能够与酸性指示剂相接触，以检测酸性指示剂的PH值；控制面板，与PH值探测器连接，用于接收PH值探测器的检测值，控制面板将检测值与预设值相比较，以判断是否需要对干法刻蚀机台的设备前端模块的颗粒堆积物进行清理。本实用新型专利技术避免了过早及滞后对颗粒堆积物进行清理造成的不利影响，降低了人工成本、提高了干法刻蚀机台的利用率，提高了晶圆刻蚀工艺的效率和质量。提高了晶圆刻蚀工艺的效率和质量。提高了晶圆刻蚀工艺的效率和质量。

【技术实现步骤摘要】
干法刻蚀机台的设备前端模块的颗粒堆积物清理检测系统


[0001]本技术涉及半导体集成电路
，特别涉及一种干法刻蚀机台的设备前端模块的颗粒堆积物清理检测系统。

技术介绍

[0002]干法刻蚀机台为半导体芯片制造工艺的刻蚀设备，主要应用于半导体芯片制造的前段工艺，晶圆需要通过设备前端模块(EFEM)送入干法刻蚀机台内部，具体为晶圆通过设备前端模块的装载盘(Load Port)装载到晶圆传送盒(Foup)上送入干法刻蚀机台的内部，在打开晶圆传送盒的门板时，发现门板位置存在一定腐蚀现象，其一部分原因是由于刻蚀气体释放(outgassing)的氢溴酸(HBr)颗粒(particle)在门板打开时掉落堆积导致，在关闭门板之后，在刻蚀气体的气流引导下掉落至晶圆边缘上，在晶圆边缘形成颗粒映射缺陷，从而影响了晶圆的浅沟槽隔离(STI)等刻蚀工艺，因此需要对设备前端模块的颗粒堆积物定期进行清理，但由于每个机台的颗粒堆积物的堆积程度不同，则不能对所有机台进行统一清理，过早的清理造成人工成本的增加、降低了设备的利用率，滞后的清理则影响晶圆刻蚀工艺的质量。因此，如何判定每个机台的颗粒堆积物是否需要清理成为本领域亟需解决的技术问题。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于，提供了一种干法刻蚀机台的设备前端模块的颗粒堆积物清理检测系统，以解决如何判定干法刻蚀机台的设备前端模块的颗粒堆积物是否需要清理的问题。
[0004]为达到上述目的，本技术提供一种干法刻蚀机台的设备前端模块的颗粒堆积物清理检测系统，包括：
[0005]检测盒，设置在干法刻蚀机台的设备前端模块上；
[0006]酸性指示剂，装填在所述检测盒之内，能够吸附设备前端模块的颗粒堆积物并且与颗粒堆积物产生化学反应；
[0007]PH值探测器，安装在所述检测盒上并且能够与所述酸性指示剂相接触，以检测所述酸性指示剂的PH值；
[0008]控制面板，与所述PH值探测器连接，用于接收所述PH值探测器的检测值，所述控制面板将检测值与预设值相比较，以判断是否需要对干法刻蚀机台的设备前端模块的颗粒堆积物进行清理。
[0009]进一步的，本技术提供的干法刻蚀机台的设备前端模块的颗粒堆积物清理检测系统，当PH值探测器的检测值大于预设值时，所述控制面板判断不需要对干法刻蚀机台的设备前端模块的颗粒堆积物进行清理。
[0010]进一步的，本技术提供的干法刻蚀机台的设备前端模块的颗粒堆积物清理检测系统，当PH值探测器的检测值小于或者等于预设值时，所述控制面板判断需要对干法刻
蚀机台的设备前端模块的颗粒堆积物进行清理。
[0011]进一步的，本技术提供的干法刻蚀机台的设备前端模块的颗粒堆积物清理检测系统，还包括：
[0012]报警器，与所述控制面板连接，当所述控制面板判断需要对干法刻蚀机台的设备前端模块的颗粒堆积物进行清理时，所述报警器发出颗粒堆积清理报警信号。
[0013]进一步的，本技术提供的干法刻蚀机台的设备前端模块的颗粒堆积物清理检测系统，所述报警器为声光报警器或者语音报警器。
[0014]进一步的，本技术提供的干法刻蚀机台的设备前端模块的颗粒堆积物清理检测系统，所述检测盒为不带盖的盒体。
[0015]进一步的，本技术提供的干法刻蚀机台的设备前端模块的颗粒堆积物清理检测系统，所述检测盒与干法刻蚀机台的设备前端模块可拆卸连接。
[0016]进一步的，本技术提供的干法刻蚀机台的设备前端模块的颗粒堆积物清理检测系统，所述酸性指示剂为颗粒状的溴酚蓝。
[0017]本技术提供的干法刻蚀机台的设备前端模块的颗粒堆积物清理检测系统，包括检测盒、酸性指示剂、PH值探测器和控制面板，通过PH值探测器检测检测盒内与干法刻蚀机台的设备前端模块的颗粒堆积物发生化学反应的酸性指示剂的PH值，通过控制面板比较PH检测值与预设值，从而判断是否需要对干法刻蚀机台的设备前端模块的颗粒堆积物进行清理。与现有技术相比，本技术避免了过早及滞后对颗粒堆积物进行清理造成的不利影响，降低了人工成本、提高了干法刻蚀机台的利用率，提高了晶圆刻蚀工艺的效率和质量。
[0018]为达到上述目的，本技术还提供一种干法刻蚀机台的设备前端模块的颗粒堆积物清理检测系统，包括：
[0019]检测盒，设置在干法刻蚀机台的设备前端模块上；
[0020]酸性指示剂，装填在所述检测盒之内，能够吸附设备前端模块的颗粒堆积物并且与颗粒堆积物产生化学反应。
[0021]进一步的，本技术提供的干法刻蚀机台的设备前端模块的颗粒堆积物清理检测系统，所述酸性指示剂为溴酚蓝，所述颗粒堆积物为氢溴酸。
[0022]本技术提供的干法刻蚀机台的设备前端模块的颗粒堆积物清理检测系统，包括检测盒以及装填在检测盒内的酸性指示剂，根据酸性指示剂与吸附的颗粒堆积物发生化学反应后颜色变化通过肉眼判断是否需要对干法刻蚀机台的设备前端模块的颗粒堆积物进行清理。与现有技术相比，本技术避免了过早及滞后对颗粒堆积物进行清理造成的不利影响，降低了人工成本、提高了干法刻蚀机台的利用率，提高了晶圆刻蚀工艺的效率和质量。而且具有判断方法简单的效果。
附图说明
[0023]图1是干法刻蚀机台的设备前端模块的颗粒堆积物清理检测系统的组成结构示意图；
[0024]图2是干法刻蚀机台及其上的检测盒的主视结构示意图；
[0025]图3是干法刻蚀机台及其上的检测盒的侧视结构示意图。
具体实施方式
[0026]以下结合附图和具体实施例对本技术提出的金属线的挖孔结构及方法作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本技术实施例的目的。
[0027]实施例一
[0028]请参考图1至图3，本技术实施例一提供一种干法刻蚀机台的设备前端模块的颗粒堆积物清理检测系统200，可以包括：
[0029]检测盒210，设置在干法刻蚀机台100的设备前端模块110上。其中检测盒210包括但不限于不带盖的盒体，可以是能够实现对颗粒堆积物渗透的其它形状。
[0030]酸性指示剂220，装填在所述检测盒210之内，能够吸附设备前端模块110的颗粒堆积物并且与颗粒堆积物产生化学反应。其中颗粒堆积物氢溴酸(HBr)，酸性指示剂220为颗粒状的溴酚蓝，PH值为4.6时为蓝紫色，PH值为3.0时为黄色。外观呈球状，其中球体直径约3mm，内部为Al2O3吸附剂，外表面为溴酚蓝PH指示剂涂层。可以根据不同的颗粒堆积物适配不同的酸性指示剂。
[0031]PH值探测器230，安装在所述检测盒210上并且能够与所述酸性指示剂220相接触，以检测所述酸性指示剂220的PH值。
[0032]控制面板240，与所述PH值探测器230连接，用于接收所述PH值本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种干法刻蚀机台的设备前端模块的颗粒堆积物清理检测系统，其特征在于，包括：检测盒，设置在干法刻蚀机台的设备前端模块上；酸性指示剂，装填在所述检测盒之内，能够吸附设备前端模块的颗粒堆积物并且与颗粒堆积物产生化学反应；PH值探测器，安装在所述检测盒上并且能够与所述酸性指示剂相接触，以检测所述酸性指示剂的PH值；控制面板，与所述PH值探测器连接，用于接收所述PH值探测器的检测值，所述控制面板将检测值与预设值相比较，以判断是否需要对干法刻蚀机台的设备前端模块的颗粒堆积物进行清理。2.如权利要求1所述的干法刻蚀机台的设备前端模块的颗粒堆积物清理检测系统，其特征在于，当PH值探测器的检测值大于预设值时，所述控制面板判断不需要对干法刻蚀机台的设备前端模块的颗粒堆积物进行清理。3.如权利要求1所述的干法刻蚀机台的设备前端模块的颗粒堆积物清理检测系统，其特征在于，当PH值探测器的检测值小于或者等于预设值时，所述控制面板判断需要对干法刻蚀机台的设备前端模块的颗粒堆积物进行清理。4.如权利要求3所述的干法刻蚀机台的设备前端模块的颗粒堆积物清理检测系统，其特征在于，还包括：报警器，与所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：张军，徐作杰，姜祎祎，张德伟，汤介峰，荆泉，陈力钧，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：