半导体工艺设备制造技术

本申请实施例提供了一种半导体工艺设备。该半导体工艺设备包括；工艺腔室、排气管、第一吹扫组件及第二吹扫组件；排气管的进气端与工艺腔室连接，排气管的排气端与厂务排气连接，用于排出工艺腔室内的工艺气体；第一吹扫组件及第二吹扫组件沿排气管的排气方向依次设置，用于向排气管内通入稀释气体，以对工艺气体进行稀释，第二吹扫组件的出气方向与排气方向之间呈一预设夹角；第一吹扫组件还用于在排气管内形成一气流保护层，气流保护层位于第一吹扫组件及第二吹扫组件之间，用于阻挡第二吹扫组件通入的稀释气体进入工艺腔室内。本申请实施例实现了避免对工艺腔室的压力环境造成影响，进而提高了工艺效果。进而提高了工艺效果。进而提高了工艺效果。

【技术实现步骤摘要】
半导体工艺设备


[0001]本申请涉及半导体加工
，具体而言，本申请涉及一种半导体工艺设备。

技术介绍

[0002]目前，半导体工艺设备的工艺腔室内需要通入特殊气体，例如在工艺腔室内输入氢气，并且最初的设计都是在工艺腔室把特殊气体进行稀释，但是实验发现当工艺腔室内特殊气体(氢气)的含量越高对工艺结果越好，所以在工艺腔室通入纯度较高的特殊气体，而将稀释工作放到工艺腔室的排气端。
[0003]现有技术中的排气管与工艺腔室连接，吹扫管路与排气管连接，用于向排气管内通入大量的吹扫气体，以对工艺腔室内排出的特殊气体进行稀释，并且通过排气管排放至厂务排气。但是在实际应用时，当吹扫管路的吹扫气体流量越大，吹扫管路的出气口在排气管内形成负腔对工艺腔室的压力影响就越大，经过测试显示最大压降达到29Torr(托，1托≈133.32帕)，从而严重影响工艺腔室压力环境，进而严重影响了工艺结果。

技术实现思路

[0004]本申请针对现有方式的缺点，提出一种半导体工艺设备，用以解决现有技术存在的由于吹扫管路在排气管内形成负腔，从而严重影响工艺腔室压力环境及工艺结果的技术问题。
[0005]第一个方面，本申请实施例提供了一种半导体工艺设备，包括；工艺腔室、排气管、第一吹扫组件及第二吹扫组件；所述排气管的进气端与所述工艺腔室连接，所述排气管的排气端与厂务排气连接，用于排出所述工艺腔室内的工艺气体；所述第一吹扫组件及所述第二吹扫组件沿所述排气管的排气方向依次设置，用于向所述排气管内通入稀释气体，以对所述工艺气体进行稀释，所述第二吹扫组件的出气方向与所述排气方向之间呈一预设夹角；所述第一吹扫组件还用于在所述排气管内形成一气流保护层，所述气流保护层位于所述第一吹扫组件及所述第二吹扫组件之间，用于阻挡所述第二吹扫组件通入的稀释气体进入所述工艺腔室内。
[0006]于本申请的一实施例中，所述第一吹扫组件包括有第一导向管及第一连通部件，所述第一导向管设置于所述排气管内，并且沿所述排气管的轴向延伸设置；所述第一导向管为圆台结构；所述第一导向管相对较小的一端靠近所述进气端设置，并且通过所述第一连通部件与气源连接，所述第一导向管相对较大的一端用于在所述排气管内形成所述气流保护层。
[0007]于本申请的一实施例中，所述第二吹扫组件包括有第二导向管及第二连通部件，所述第二导向管设置于所述排气管内，并且沿所述排气管的轴向延伸设置；所述第二导向管的一端为封闭结构，另一端通过所述第二连通部件与气源连接，并且所述第二导向管的周壁上具有导流结构，用于使所述第二导向管的出气方向与所述排气方向之间呈所述预设夹角。
[0008]于本申请的一实施例中，所述第二连通部件位于所述第二导向管与所述第一导向管之间，并且所述第二连通部件与所述第一导向管相对较大的一端之间具有第一间距；所述第一导向管较大的一端沿周壁倾斜方向与所述排气管内周壁之间具有第二间距，所述第一间距大于所述第二间距。
[0009]于本申请的一实施例中，所述导流结构的出气方向沿所述排气管的径向设置，以使所述预设夹角呈90度；或者，所述导流结构的出气方向朝向所述排气端的方向倾斜，以使所述预设夹角为小于90度。
[0010]于本申请的一实施例中，所述导流结构的开口总面积为第一面积，所述第二导向管的导向通道的横截面积为第二面积，所述第一面积大于等于第二面积。
[0011]于本申请的一实施例中，所述导流结构包括有开设于所述第二导向管周壁上的多个导流孔，多个所述导流孔对称的开设于所述第二导向管的周壁上，并且多个所述导流孔沿所述第二导向管的轴向均匀排布。
[0012]于本申请的一实施例中，所述第一导向管相对较大的一端沿轴向的正投影面积为第三面积，所述排气管的排气通道的横截面积为第四面积，所述第三面积小于等于所述第四面积的二分之一。
[0013]于本申请的一实施例中，所述第一连通部件包括有第一转向块及第一连通管，所述第一转向块设置于所述排气管内，并且相邻两侧面分别用于连接所述第一导向管及所述第一连通管；所述第一连通管的一端与所述第一转向块连接，另一端位于所述排气管外侧用于连接气源。
[0014]于本申请的一实施例中，所述第二连通部件包括有第二转向块及第二连通管，所述第二转向块设置于所述排气管内，并且相邻两侧面分别用于连接所述第二导向管及所述第二连通管；所述第二连通管的一端与所述第二转向块连接，另一端位于所述排气管外侧用于连接气源。
[0015]本申请实施例提供的技术方案带来的有益技术效果是：
[0016]本申请实施例通过在排气管内设置有第一吹扫组件及第二吹扫组件，并且使第一吹扫组件及第二吹扫组件沿排气管的排气方向依次设置，以及使第二吹扫组件的出气方向与排气管的排气方向之间呈预设夹角，防止第二吹扫组件向排气管通入稀释气体时，造成排气管内的气流加速，避免排气管内气流较高对工艺腔室的压力环境造成影响，从而大幅提高工艺效果。第一吹扫组件可以在排气管内形成有气流保护层，可以防止第二吹扫组件通入的稀释气体倒灌入工艺腔室内，从而防止对工艺腔室造成污染及影响工艺结果。
[0017]本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。
附图说明
[0018]本申请上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
[0019]图1A为本申请实施例提供的一种半导体工艺设备的整体结构示意图；
[0020]图1B为本申请实施例提供的一种排气管与第一吹扫组件及第二吹扫组件配合的结构示意图；
[0021]图2为本申请实施例提供的一种第一吹扫组件的结构示意图；
[0022]图3为本申请实施例提供的一种第二吹扫组件的结构示意图；
[0023]图4为本申请实施例提供的一种排气管与第一吹扫组件及第二吹扫组件配合的剖视示意图；
[0024]图5A为本申请实施例提供的一种第二导向管的主视示意图；
[0025]图5B为本申请实施例提供的一种第二导向管的仰视示意图；
[0026]图5C为本申请实施例提供的一种第二导向管的立体示意图；
[0027]图6A为本申请实施例提供的一种第一导向管的主视示意图；
[0028]图6B为本申请实施例提供的一种第一导向管的俯视示意图；
[0029]图6C为本申请实施例提供的一种第一导向管的仰视示意图。
具体实施方式
[0030]下面详细描述本申请，本申请的实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的部件或具有相同或类似功能的部件。此外，如果已知技术的详细描述对于示出的本申请的特征是不必要的，则将其省略。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能解释为对本申请的限制。
[0031]本
技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本申请所属领域中的普本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括；工艺腔室、排气管、第一吹扫组件及第二吹扫组件；所述排气管的进气端与所述工艺腔室连接，所述排气管的排气端与厂务排气连接，用于排出所述工艺腔室内的工艺气体；所述第一吹扫组件及所述第二吹扫组件沿所述排气管的排气方向依次设置，用于向所述排气管内通入稀释气体，以对所述工艺气体进行稀释，所述第二吹扫组件的出气方向与所述排气方向之间呈一预设夹角；所述第一吹扫组件还用于在所述排气管内形成一气流保护层，所述气流保护层位于所述第一吹扫组件及所述第二吹扫组件之间，用于阻挡所述第二吹扫组件通入的稀释气体进入所述工艺腔室内。2.如权利要求1所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述第一吹扫组件包括有第一导向管及第一连通部件，所述第一导向管设置于所述排气管内，并且沿所述排气管的轴向延伸设置；所述第一导向管为圆台结构；所述第一导向管相对较小的一端靠近所述进气端设置，并且通过所述第一连通部件与气源连接，所述第一导向管相对较大的一端用于在所述排气管内形成所述气流保护层。3.如权利要求2所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述第二吹扫组件包括有第二导向管及第二连通部件，所述第二导向管设置于所述排气管内，并且沿所述排气管的轴向延伸设置；所述第二导向管的一端为封闭结构，另一端通过所述第二连通部件与气源连接，并且所述第二导向管的周壁上具有导流结构，用于使所述第二导向管的出气方向与所述排气方向之间呈所述预设夹角。4.如权利要求3所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述第二连通部件位于所述第二导向管与所述第一导向管之间，并且所述第二连通部件与所述第一导向管相对较大的一端之间具有第一间距；所述第一导向管较大的...

【专利技术属性】
技术研发人员：甄瑞杰，王凯，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：新型
国别省市：