转移基板、转移设备及转移方法技术

本申请实施例提供一种转移基板、转移设备及转移方法，转移基板包括基底和设置于基底一侧的变形层，变形层包括至少一个变形单元，变形单元远离基底的侧面在转移微型器件时与微型器件接触；变形单元包括光致变形材料，具有第一状态和第二状态；变形单元处于第一状态相较于第二状态具有与微型器件更大的接触面积；在光照作用下，变形单元自第一状态转换为第二状态。如此设计，变形单元与微型器件的接触面积变小，而接触面积的减小，使得变形单元与微型器件的粘结面积减小，黏力下降，从而使微型器件更为容易地脱离变形单元，完成微型器件转移。因为光辐照变形是一种非接触的、快速的、可控的变形方法，能够实现快速，高效的微型器件转移。转移。转移。

【技术实现步骤摘要】
转移基板、转移设备及转移方法


[0001]本申请实施例涉及微型器件制备与组装领域
，尤其涉及一种转移基板、转移设备及转移方法。

技术介绍

[0002]Mini LED是指晶粒尺寸在100μm～300μm左右的LED芯片，Micro LED则是指晶粒尺寸在100μm以下的LED芯片。Mini LED/Micro LED芯片可以作为自发光LED显示，具有低功耗、高亮度、高分辨率、高色彩饱和度、反应速度快、寿命较长、效率较高等优点。
[0003]具有Mini LED/Micro LED芯片的显示装置在制作过程中，需要将数百万甚至数千万颗Mini LED/Micro LED芯片正确且有效率地移动到显示背板上，这个过程被称为巨量转移。在现有技术的巨量转移过程通常包括：在转移基板上设置粘合层，通过粘合层粘附生长基板上的Mini LED/Micro LED芯片，再使用转移基板将Mini LED/Micro LED芯片转移至显示背板；分离转移基板与Mini LED/Micro LED芯片。
[0004]但是，由于粘合层对Mini LED/Micro LED芯片的粘附力强，将Mini LED/Micro LED芯片从转移基板分离时，需要对粘结层解粘，又称为剥离；剥离过程需要专用的剥离设备，成本高；且剥离效率较低。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，本申请实施例的目的在于提出一种转移基板、转移设备及转移方法。
[0006]第一方面，本申请实施例提供一种转移基板，包括基底和设置于所述基底一侧的变形层，所述变形层包括至少一个变形单元，所述变形单元远离所述基底的侧面在转移微型器件时与所述微型器件接触；所述变形单元包括光致变形材料，具有第一状态和第二状态；所述变形单元处于所述第一状态相较于所述第二状态具有与所述微型器件更大的接触面积；在光照作用下，所述变形单元自所述第一状态转换为所述第二状态。
[0007]如此设计，在光照作用下，变形单元与微型器件的接触面积变小，而接触面积的减小，使得变形单元与微型器件的粘结面积减小，黏力下降，从而使微型器件更为容易地脱离变形单元，完成微型器件的转移。因为光辐照变形是一种非接触的、快速的可控的变形方法，以实现快速，高效的微型器件转移。
[0008]在一种可能的实施实施方式中，所述基底的一侧设置有支撑层，所述支撑层具有与所述变形单元对应的支撑单元，所述支撑单元包括凹槽以及包围所述凹槽的凹槽边缘；所述变形单元覆盖所述凹槽，并与所述凹槽边缘相连；所述变形单元处于所述第二状态相较于所述第一状态向远离所述基底的一侧外凸。
[0009]在一种可能的实施实施方式中，所述变形单元处于所述第一状态时为与所述基底平行的板状结构，所述变形单元处于所述第二状态时为相对所述基底外凸的凸起结构。
[0010]在一种可能的实施实施方式中，所述变形层中的所述变形单元为独立结构，相邻所述变形单元之间具有变形间隙。
[0011]在一种可能的实施实施方式中，所述支撑层中的所述支撑单元为独立结构，相邻所述支撑单元之间具有边缘间隙。
[0012]在一种可能的实施实施方式中，处于所述第一状态的所述变形单元在向所述基底的正投影中，所述变形单元覆盖所述支撑单元。
[0013]在一种可能的实施实施方式中，在向所述基底的正投影中，所述凹槽为圆形凹槽。
[0014]在一种可能的实施实施方式中，所述基底的一侧设置有支撑层，所述支撑层包括与所述变形单元对应的支撑凸块，所述变形单元设置于所述支撑凸块；处于所述第一状态的所述变形单元在向所述基底的正投影中，所述变形单元投影面积大于所述支撑凸块；所述变形单元在光照作用下，相对于所述支撑凸块向远离所述基底的一侧弯曲。
[0015]在一种可能的实施实施方式中，所述变形单元处于所述第一状态时为与所述基底平行的板状结构，所述变形单元处于所述第二状态时为相对于所述支撑凸块向远离所述基底的一侧弯曲的弯曲结构。
[0016]在一种可能的实施实施方式中，所述变形单元处于所述第一状态时为与所述基底平行的矩形板，所述支撑凸块设置于所述矩形单元的中心位置或者边缘位置。
[0017]在一种可能的实施实施方式中，所述变形层中的所述变形单元为独立结构，相邻所述变形单元之间具有变形间隙；所述支撑层中的所述支撑凸块为独立结构，相邻所述支撑凸块之间具有边缘间隙。
[0018]在一种可能的实施实施方式中，所述变形层通过粘性材料与所述基底相连，所述变形单元为相对于所述基底外凸的半球形弧面；所述变形单元处于所述第一状态的曲率小于处于所述第二状态的曲率。
[0019]在一种可能的实施实施方式中，所述变形层中所述变形单元连接为一体。
[0020]在一种可能的实施实施方式中，所述变形层全部或部分采用光致变形材料制作。
[0021]第二方面，本申请实施例提供了一种微型器件转移设备，包括第一方面实施例中任一项所述的转移基板。
[0022]第三方面，本申请实施例提供了一种微型芯片的转移方法，采用第一方面实施例中任一项所述的转移基板，用于将微型器件自第一基板转移至第二基板，包括以下步骤：
[0023]控制转移基板与第一基板对盒，并通过变形单元拾取第一基板中的微型器件；
[0024]控制转移基板与第二基板对盒，将转移基板中的微型器件与第二基板相粘合；
[0025]采用光源照射变形单元，使变形单元形变以缩小与微型器件的接触面积；
[0026]分离转移基板与微型器件。
[0027]在一种可能的实施实施方式中，在控制转移基板与第一基板对盒之间，包括：
[0028]在变形单元远离基底的一侧涂布粘性层。
[0029]在一种可能的实施实施方式中，所述采用光源照射变形单元，包括：
[0030]控制光源照射变形层中的部分或全部变形单元。
附图说明
[0031]为了更清楚地说明本申请实施例或相关技术中的技术方案，下面将对实施例或相关技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请一个或多个实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还
可以根据这些附图获得其他的附图。
[0032]图1为本申请实施例提供的一种转移基板处于第一状态的结构示意图；
[0033]图2为本申请实施例提供的一种转移基板处于第二状态的结构示意图；
[0034]图3为本申请实施例提供的另一种转移基板处于第一状态的结构示意图；
[0035]图4为本申请实施例提供的另一种转移基板处于第二状态的结构示意图；
[0036]图5为本申请实施例提供的另一种转移基板处于第一状态的结构示意图；
[0037]图6为本申请实施例提供的另一种转移基板处于第二状态的结构示意图。
[0038]附图标记说明：
[0039]1‑
基底、2
‑
支撑层、3
‑
变形层、4
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种转移基板，其特征在于，包括基底和设置于所述基底一侧的变形层，所述变形层包括至少一个变形单元，所述变形单元远离所述基底的侧面在转移微型器件时与所述微型器件接触；所述变形单元包括光致变形材料，具有第一状态和第二状态；所述变形单元处于所述第一状态相较于所述第二状态具有与所述微型器件更大的接触面积；在光照作用下，所述变形单元自所述第一状态转换为所述第二状态。2.根据权利要求1所述的转移基板，其特征在于，所述基底的一侧设置有支撑层，所述支撑层具有与所述变形单元对应的支撑单元，所述支撑单元包括凹槽以及包围所述凹槽的凹槽边缘；所述变形单元覆盖所述凹槽，并与所述凹槽边缘相连；所述变形单元处于所述第二状态相较于所述第一状态向远离所述基底的一侧外凸。3.根据权利要求2所述的转移基板，其特征在于，所述变形单元处于所述第一状态时为与所述基底平行的板状结构，所述变形单元处于所述第二状态时为相对所述基底外凸的凸起结构。4.根据权利要求2或3所述的转移基板，其特征在于，所述变形层中的所述变形单元为独立结构，相邻所述变形单元之间具有变形间隙。5.根据权利要求4所述的转移基板，其特征在于，所述支撑层中的所述支撑单元为独立结构，相邻所述支撑单元之间具有边缘间隙。6.根据权利要求3所述的转移基板，其特征在于，处于所述第一状态的所述变形单元在向所述基底的正投影中，所述变形单元覆盖所述支撑单元。7.根据权利要求2所述的转移基板，其特征在于，在向所述基底的正投影中，所述凹槽为圆形凹槽。8.根据权利要求1所述的转移基板，其特征在于，所述基底的一侧设置有支撑层，所述支撑层包括与所述变形单元对应的支撑凸块，所述变形单元设置于所述支撑凸块；处于所述第一状态的所述变形单元在向所述基底的正投影中，所述变形单元投影面积大于所述支撑凸块；所述变形单元在光照作用下，相对于所述支撑凸块向远离所述基底的一侧弯曲。9.根据权利要求8所述的转移基板，其特征在于，所述变形单元处于所述第一状态时...

【专利技术属性】
技术研发人员：王飞，张笑，谷新，梁轩，赵欣欣，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：