半导体器件及其制造方法技术

一种半导体器件包括电路衬底、第一半导体管芯、热界面材料、封装盖。第一半导体管芯设置在电路衬底上且电连接到电路衬底。热界面材料在第一半导体管芯的相对于电路衬底而言的相对的侧处设置在第一半导体管芯上。封装盖在第一半导体管芯之上延伸且结合到电路衬底。封装盖包括顶部、基脚、岛状物。顶部沿着第一方向及与第一方向垂直的第二方向延伸。基脚设置在顶部的外围边缘处且沿着与第一方向及第二方向垂直的第三方向从顶部朝电路衬底突出。岛状物从顶部朝电路衬底突出且接触第一半导体管芯上的热界面材料。岛状物沿着第二方向与基脚断开。开。开。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制造方法


[0001]本公开实施例涉及半导体器件及其制造方法。

技术介绍

[0002]在各种电子设备(例如，手机及其他移动电子装备)中使用的半导体器件及集成电路通常制造在单个半导体晶片上。晶片的管芯可与其他半导体器件或管芯一起以晶片级进行处理及封装，且已经开发出用于晶片级封装的各种技术及应用。对多个半导体器件进行集成已成为本领域的一个挑战。为响应对小型化、更高的速度及更好的电性能(例如，更低的传输损耗及插入损耗)的日益增长的需求，正积极地研究更具创造性的封装及组装技术。

技术实现思路

[0003]根据本公开的一些实施例，一种半导体器件，其特征在于包括：电路衬底；第一半导体管芯，设置在所述电路衬底的第一侧上且电连接到所述电路衬底的所述第一侧；热界面材料，在所述第一半导体管芯的相对于所述电路衬底而言的相对的侧处设置在所述第一半导体管芯上；以及封装盖，在所述第一半导体管芯之上延伸且结合到所述电路衬底的所述第一侧，其中所述封装盖包括：顶部，沿着第一方向及与所述第一方向垂直的第二方向延伸；基脚，设置在所述顶部的外围边缘处且沿着与所述第一方向及所述第二方向垂直的第三方向从所述顶部朝所述电路衬底突出；以及岛状物，从所述顶部朝所述电路衬底突出且接触所述第一半导体管芯上的所述热界面材料，其中所述岛状物沿着所述第二方向与所述基脚断开。
[0004]根据本公开的一些实施例，一种半导体器件，其特征在于包括：电路衬底；第一半导体管芯，连接到所述电路衬底的第一侧；第二半导体管芯，连接到所述电路衬底的所述第一侧，其中所述第二半导体管芯连接到在所述第一半导体管芯旁边所述电路衬底；以及封装盖，设置在所述电路衬底上且包括：顶部，沿着第一方向及第二方向在所述电路衬底之上水平地延伸；基脚，在所述顶部的边缘处被成型为框架且将所述封装盖支撑在所述电路衬底上；岛状物，与所述第二半导体管芯对应地从所述顶部突出且沿着所述第一方向与所述基脚完全隔开；以及肋，从所述顶部突出，且沿着所述第二方向在所述基脚与所述岛状物之间延伸，其中所述第二半导体管芯容置在所述岛状物的垂直投影内。
[0005]根据本公开的一些实施例，一种半导体器件的制造方法，其特征在于包括：将第一半导体管芯结合到电路衬底；在所述电路衬底上设置第一粘合剂，其中所述第一粘合剂包围所述第一半导体管芯；在所述第一半导体管芯的后表面上设置第一热界面材料；以及将封装盖粘合到所述电路衬底，其中所述封装盖包括：顶部，平行于所述电路衬底沿着第一方向及与所述第一方向垂直的第二方向延伸；基脚，沿着与所述第一方向及所述第二方向垂直的第三方向具有比所述顶部的厚度大的厚度；岛状物，沿着所述第三方向具有比所述顶部的所述厚度大的厚度，且沿着所述第一方向与所述基脚分离；以及肋，沿着所述第三方向具有与所述岛状物相同的厚度，且沿着所述第二方向在所述岛状物与所述基脚之间延伸，
其中将所述封装盖粘合到所述电路衬底包括：在所述电路衬底之上设置所述封装盖，以使所述岛状物接触所述第一半导体管芯的所述后表面上的所述第一热界面材料，且使所述基脚上覆在所述第一粘合剂上。
附图说明
[0006]参照附图阅读以下详细说明，会最好地理解本公开的各个方面。应注意，根据本行业中的标准惯例，各种特征并非按比例绘制。事实上，为使论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。
[0007]图1A到图1F是根据本公开一些实施例的在半导体器件的制造方法的各个阶段制成的结构的示意性剖视图。
[0008]图2是根据本公开一些实施例的封装盖的示意性透视图。
[0009]图3A到图3E是根据本公开一些实施例的半导体器件的示意性剖视图。
[0010]图4A是根据本公开一些实施例的封装盖的示意性仰视图。
[0011]图4B是根据本公开一些实施例的半导体器件的示意性仰视图。
[0012]图4C是根据本公开一些实施例的半导体器件的示意性仰视图。
[0013]图5是根据本公开一些实施例的半导体器件的示意性剖视图。
[0014]图6是根据本公开一些实施例的半导体器件的示意性剖视图。
[0015]图7A是根据本公开一些实施例的封装盖的示意性透视图。
[0016]图7B是根据本公开一些实施例的半导体器件的示意性剖视图。
[0017]图8是根据本公开一些实施例的封装盖的示意性仰视图。
[0018]图9是根据本公开一些实施例的封装盖的示意性仰视图。
[0019]图10到图14是根据本公开一些实施例的半导体器件的示意性仰视图。
具体实施方式
[0020]以下公开内容提供用于实施所提供主题的不同特征的诸多不同的实施例或实例。下文阐述组件及排列的具体实例以简化本公开。当然，这些仅是实例而并不旨在进行限制。举例而言，在以下说明中，第一特征形成在第二特征之上或形成在第二特征上可包括其中第一特征与第二特征被形成为直接接触的实施例，且还可包括其中在第一特征与第二特征之间可形成附加特征以使得所述第一特征与所述第二特征可能不直接接触的实施例。另外，本公开可在各种实例中重复使用参考编号和/或字母。此种重复是出于简明及清晰的目的，而并非自身指示所论述的各种实施例和/或配置之间的关系。
[0021]此外，为易于说明起见，本文中可使用例如“在
…
下面(beneath)”、“在
…
下方(below)”、“下部的(lower)”、“在
…
上方(above)”、“上部的(upper)”等空间相对性用语来阐述图中所说明的一个元件或特征与另一(其他)元件或特征之间的关系。除图中所绘示的取向之外，所述空间相对性用语还旨在囊括器件在使用或操作中的不同取向。装置可具有其他取向(旋转90度或处于其他取向)，且本文中所使用的空间相对性阐述语可同样相应地进行解释。
[0022]还可包括其他特征及工艺。举例而言，可包括测试结构来帮助对三维(three dimensional，3D)封装或三维集成电路(3D integrated circuit，3DIC)器件进行验证测
试。测试结构可包括例如形成在重布线层中或形成在衬底上的测试焊盘，所述测试焊盘使得能够测试3D封装或3DIC、能够使用探针和/或探针卡等。可对中间结构以及最终结构执行验证测试。另外，本文中所公开的结构及方法可与包括对已知良好管芯进行中间验证的测试方法结合使用来提高良率及降低成本。
[0023]图1A到图1F是根据本公开一些实施例的在半导体器件SD10的制造方法的各个阶段制成的结构的示意性剖视图。参照图1A，在一些实施例中，提供电路衬底100。在一些实施例中，电路衬底100包括核心介电层(core dielectric layer)110、在电路衬底100的一侧100a处形成的接触焊盘(contact pad)120、及嵌置在核心介电层110中的导电迹线(conductive trace)130。焊料掩模(solder mask)(未示出)可在核心介电层1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于包括：电路衬底；第一半导体管芯，设置在所述电路衬底的第一侧上且电连接到所述电路衬底的所述第一侧；热界面材料，在所述第一半导体管芯的相对于所述电路衬底而言的相对的侧处设置在所述第一半导体管芯上；以及封装盖，在所述第一半导体管芯之上延伸且结合到所述电路衬底的所述第一侧，其中所述封装盖包括：顶部，沿着第一方向及与所述第一方向垂直的第二方向延伸；基脚，设置在所述顶部的外围边缘处且沿着与所述第一方向及所述第二方向垂直的第三方向从所述顶部朝所述电路衬底突出；以及岛状物，从所述顶部朝所述电路衬底突出且接触所述第一半导体管芯上的所述热界面材料，其中所述岛状物沿着所述第二方向与所述基脚断开。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一半导体管芯相对于沿着所述第二方向的所述基脚而言是偏心的。3.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括第二半导体管芯，所述第二半导体管芯设置在所述第一半导体管芯旁边的在所述电路衬底的所述第一侧上且电连接到所述电路衬底的所述第一侧，其中所述基脚及所述顶部形成凹部，且所述第二半导体管芯与所述凹部对应地设置在所述电路衬底上。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述封装盖还包括肋，所述肋从所述顶部朝所述电路衬底突出且沿着所述第一方向延伸。5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中所述肋将所述岛状物沿着所述第一方向连接到所述基脚。6.一种半导体器件，其特征在于包括：电路衬底；第一半导体管芯，连接到所述电路衬底的第一侧；第二半导体管芯，连接到所述电路衬底的所述第一侧，其中所述第二半导体管芯连接到在所述第一半导体管芯旁边的所述电路衬底；以及封装盖，设置在所述电路衬底上且包括：顶部，沿着第一方向及第二方向在所述电路衬底之上水平地延伸；基脚，在所述顶部的边缘处被成型为...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶书伸，林柏尧，游辉昌，吕学德，郑心圃，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：