曝光机的操作方法技术

本发明专利技术公开了一种曝光机的操作方法，包括在晶圆的第一层上执行曝光，其中曝光的步骤依序地执行于覆盖第一层的多个第一曝光区域上；在晶圆的第二层上执行曝光，其中第二层在第一层上，曝光的步骤依序地执行于覆盖第一层的多个第二曝光区域上；以及在覆盖晶圆的第三曝光区域上执行曝光，且第三曝光区域对应的曝光能量为零。借此，本发明专利技术的曝光机的操作方法，通过在相邻的两个曝光步骤之间安插虚拟曝光的步骤，可降低第一层及第二层对应的图案之间的叠对误差。此外，通过这样的方式，使曝光的工艺可适用于不同曝光机机型，避免因曝光的起始位置及结束位置不同而增加叠对误差。及结束位置不同而增加叠对误差。及结束位置不同而增加叠对误差。

【技术实现步骤摘要】
曝光机的操作方法


[0001]本专利技术是有关于一种曝光机的操作方法。

技术介绍

[0002]现行的曝光机大多具有固定的曝光方式，曝光的上下扫描曝光方向无法让使用者自行定义或调整。然而，当晶圆的不同叠层个别通过不同机型的曝光机进行曝光时，会因为对应的曝光区域之间的扫描方向不同而导致对应区域上图案的叠对误差。
[0003]有鉴于此，如何提供一种可以让不同叠层中对应的曝光区域的扫描方向一致的曝光机操作方法，仍是目前须研究的方向之一。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种曝光机的操作方法，其通过在相邻的两个曝光步骤之间安插虚拟曝光的步骤，可降低第一层及第二层对应的图案之间的叠对误差。此外，通过这样的方式，使曝光的工艺可适用于不同曝光机机型，避免因曝光的起始位置及结束位置不同而增加叠对误差。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供了一种曝光机的操作方法，包括在晶圆的第一层上执行曝光，其中曝光的步骤依序地执行于覆盖第一层的多个第一曝光区域上；在晶圆的第二层上执行曝光，其中第二层在第一层上，曝光的步骤依序地执行于覆盖第一层的多个第二曝光区域上；以及在覆盖晶圆的第三曝光区域上执行曝光，且第三曝光区域对应的曝光能量为零。
[0006]在一些实施例中，在第三曝光区域执行曝光以及在第一曝光区域执行曝光时具有相同的聚焦深度，第一曝光区域与第三曝光区域最相邻的一个与第三曝光区域的间距小于两个相邻的第一曝光区域的间距。
[0007]在一些实施例中，第三曝光区域的曝光方式与第三曝光区域最靠近的第一曝光区域的曝光方式不同。
[0008]在一些实施例中，在第三曝光区域执行曝光以及在第二曝光区域执行曝光时具有相同的聚焦深度，第二曝光区域与第三曝光区域最相邻的一个与第三曝光区域的间距小于两个相邻的第二曝光区域的间距。
[0009]在一些实施例中，第三曝光区域的曝光方式与第三曝光区域最靠近的第二曝光区域的曝光方式不同。
[0010]在一些实施例中，曝光第一层、第二层及第三曝光区域是通过第一曝光方式以及第二曝光方式执行，其中第一曝光方式及第二曝光方式具有相反的扫描方向。
[0011]在一些实施例中，在第一层执行曝光包含交错地在每个第一曝光区域执行第一曝光方式以及第二曝光方式。
[0012]在一些实施例中，在第二层执行曝光包含交错地在每个第二曝光区域执行第一曝光方式以及第二曝光方式。
[0013]在一些实施例中，第一曝光区域分别对应第二曝光区域，且每个第一曝光区域的曝光方式与对应的第二曝光区域的曝光方式相同。
[0014]在一些实施例中，曝光第三区域还包含使得第三曝光区域与第一曝光区域中的一个以及第二曝光区域中的一个至少部分重叠。
[0015]在上述实施例中，本专利技术的种曝光机的操作方法，通过在相邻的两个曝光步骤之间安插虚拟曝光的步骤，可降低第一层及第二层对应的图案之间的叠对误差。此外，通过这样的方式，使曝光的工艺可适用于不同曝光机机型，避免因曝光的起始位置及结束位置不同而增加叠对误差。
附图说明
[0016]图1为根据本专利技术一实施例的在晶圆执行曝光的操作方法的流程图。
[0017]图2为根据本专利技术一实施例在晶圆的第一层执行曝光的示意图。
[0018]图3为根据本专利技术一实施例在晶圆的第二层执行曝光的示意图。
[0019]图4为图2及图3的晶圆的每个曝光区域对应的曝光方式示意图。
[0020]图5为图3的第二曝光区域的局部放大图。
[0021]主要附图标记说明：
[0022]10、20
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操作方法，100
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晶圆，110
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第一层，120
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第二层，200、201～253
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第一曝光区域，300、301～353
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第二曝光区域，400
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第三曝光区域，S1、S2、E1、E2
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箭头，M1
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第一曝光方式，M2
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第二曝光方式，X、Y
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方向，d1、d2、d3、d4
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间距，S11～S14
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步骤。
具体实施方式
[0023]以下将以附图说明本专利技术的多个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本专利技术。也就是说，在本专利技术部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化附图起见，一些公知惯用的结构与元件在附图中将以简单示意的方式绘示。且为了清楚起见，附图中的层和区域的厚度可能被夸大，并且在附图的描述中相同的元件符号表示相同的元件。
[0024]图1为根据本专利技术一实施例的在晶圆100执行曝光的操作方法10的流程图。图2为根据本专利技术一实施例在晶圆100的第一层110执行曝光的示意图。同时参阅图1及图2。在步骤S11中，在晶圆100的第一层110上执行曝光，其中曝光的步骤依序地执行于多个第一曝光区域200上。第一曝光区域200为曝光机的光线扫描的范围，且第一曝光区域200覆盖晶圆100的第一层110。在本实施例中，第一曝光区域200共排列成七列，且每一列具有不同数量的第一曝光区域200。当曝光的光线扫描完所有第一曝光区域200后，晶圆100的第一层110可完整地被曝光。在本实施例中，曝光机例如可以是艾斯摩尔(ASML)的曝光机，但本专利技术并不以此为限。
[0025]如图2所示，对晶圆100的第一层110执行曝光的步骤起始于箭头S1，从第一曝光区域201以第一曝光方式M1扫描。如图2所示，第一曝光方式M1是指曝光机的光线自下而上地扫描第一曝光区域201。接着，曝光机在第一曝光区域202以第二曝光方式M2扫描。如图2所示，第二曝光方式M2是指曝光机的光线自上而下地扫描第一曝光区域202。换句话说，第一曝光方式M1与第二曝光方式M2具有相反的扫描方向。接着，曝光机依序并交错地在第一曝
光区域203～第一曝光区域253执行第一曝光方式M1以及第二曝光方式M2。在本实施例中，对每一列的第一曝光区域200执行曝光的顺序是左右相反的。最后，对晶圆100的第一层110执行曝光的步骤结束于箭头E1处的第一曝光区域253，且曝光机在第一曝光区域253以第一曝光方式M1扫描。
[0026]图3为根据本专利技术一实施例在晶圆100的第二层120执行曝光的示意图。对晶圆100的第二层120曝光执行于多个第二曝光区域300。第二曝光区域300覆盖晶圆100的第二层120。在一些实施例中，第二层120位在第一层110上方，且曝光第二层120的步骤是接续地执行于曝光第一层110的步骤后。同时参阅图2及图3。第一曝光区域200分别对应第二曝光区域300。举例来说，图中左上角的第二曝光区域301对应第一曝光区域248，图中左下角的第一曝光区域201对应第二曝光区域349。在一些实施例中，第二层120是通过不同机本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种曝光机的操作方法，其特征在于，包括：在晶圆的第一层上执行曝光，其中曝光的步骤依序地执行于覆盖所述第一层的多个第一曝光区域上；在所述晶圆的第二层上执行曝光，其中所述第二层在所述第一层上，曝光的步骤依序地执行于覆盖所述第一层的多个第二曝光区域上；以及在覆盖所述晶圆的第三曝光区域上执行曝光，且所述第三曝光区域对应的曝光能量为零。2.如权利要求1所述的曝光机的操作方法，其特征在于，在所述第三曝光区域执行曝光以及在所述多个第一曝光区域执行曝光时具有相同的聚焦深度，所述多个第一曝光区域与所述第三曝光区域最相邻的一个与所述第三曝光区域的间距小于两个相邻的所述第一曝光区域的间距。3.如权利要求2所述的曝光机的操作方法，其特征在于，所述第三曝光区域的曝光方式与所述第三曝光区域最靠近的所述第一曝光区域的曝光方式不同。4.如权利要求1所述的曝光机的操作方法，其特征在于，在所述第三曝光区域执行曝光以及在所述多个第二曝光区域执行曝光时具有相同的聚焦深度，所述多个第二曝光区域与所述第三曝光区域最相邻的一个与所述第三曝光区域的间距小于两个相邻的所述第二曝光区域的间距。5.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：王承宏，徐嘉祥，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：