用于在测试模式产生内部电压的设备和其方法技术

一种用以接收第一供电电压以便产生内部电压的装置，包括：控制信号产生块，其用以接收一控制使能信号与一时钟信号，并产生一具有由控制使能信号与时钟信号其中之一所决定的周期的泵浦控制信号，以响应测试模式信号；电荷泵浦块，用以转换该第一供电电压成为内部电压以响应泵浦控制信号。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关于一种半导体装置，且特别是有关于一种设备，用以接收外部电路所输入之供电电压与藉由抑制或提高供电电压以产生一低或高内部电压。
技术介绍
一般来说，半导体装置操作在一供电电压或一低内部电压以下。然而，在半导体装置的特定操作之下，具有比供电电压(VDD)较高的电压电平的高供电电压(VPP)应被输入至半导体装置。举例来说，当闪存装置操作在程序或是抹除模式，高供电电压VPP被输入至此闪存装置中。再者，用以增加高集成化之半导体存储元件之操作速度，高供电电压VPP被用来激励字线。半导体存储元件包括一高电压产生器，用以产生该高供电电压VPP。同时，在具有负字线结构之半导体存储元件中，负供电电压VBBW被供应用以激励或非去激励在半导体存储元件中之字线。因此，在半导体存储元件中，负电压产生器用以产生负供电电压是必须的。第1图显示内部电压产生器，其包括在习知半导体存储元件，用以产生高供电电压VPP或一负供电电压VBBW。之后，将描述当内部电压产生器产生该高供电电压VPP的情况。如图所示，此内部电压产生器包括电压电平检测器110，环振荡器120与电荷泵(charge pump)130。仔细来说，电压电平检测器110比较一高供电电压VPP，其被输出以及从电荷泵浦130反馈，具有参考电压Vref。然后，如果高供电电压VPP之电平没有达到预定之电压电平，例如，参考电压Vref之电压电平，该电压电平检测器110输出一振荡器使能信号ppe具有一逻辑高电平“H”至环振荡器120。环振荡器120接收振荡器使能信号ppe与产生一泵浦控制信号tosc以响应振荡器使能信号ppe。如果泵浦控制信号tosc被激励，电荷泵130推升一供电电压VDD至预定的电压电平。在此，一泵浦控制信号tosc之激励(activation)周期由包括在环振荡器120中的延迟块所决定。一般来说，奇数个反相器包括在延迟块。再者，用以控制延迟时钟的延迟时间，延迟块更包括电阻与电容。如果高供电电压VPP达到参考电压Vref的电压电平，为逻辑高电平的振荡器使能信号ppe输出自电压电平检测器110。然后，环振荡器120被禁止及电荷泵浦130则不再操作。在内部电压产生器中，用以泵捕供电电压至高供电电压的电荷量依据包括在电荷泵浦130之泵浦电容器的电容与一泵浦控制信号tosc之激励周期。所需的是如果电容变的较大用以泵浦供电电压的平均电荷量增加。因此，从电荷泵130输出之该高供电电压VPP快速推升至一预定电压电平。然而，由于增加的电容，半导体装置的芯片尺寸变的更大。此外，如果环振荡器的周期是短的，用在泵浦供电电压之电荷不能完整的被传送。因此，半导体装置应该包括一环振荡器，依据不同的状况，例如半导体装置的线路配置、制造过程的变量，例如温度等等，来产生一具有合适的周期的泵浦控制信号。然而，环振荡器不能产生具有适当周期之泵浦控制信号，因为无法去应用太多的各种情况于半导体装置之中。然后，环振荡器一般依据实际上的量测产生具有一周期的泵浦控制信号。也就是，泵浦控制信号的周期藉由物理条件被决定，例如包括在环振荡器中反相器的数目。在此，其花费相当的时间去执行实际的量测用以设定精确的周期至由环振荡器产生之泵浦控制信号。再者，因为半导体装置只使用多个延迟装置，这些装置是已经设计且内建用以调整泵浦控制信号的周期。其系非常困难去校正泵浦控制信号的周期以反映由制造步骤或实际泵浦控制信号操作所发生的各种不同因素。如上所述，高供电电压VPP所增加之程度依据泵浦控制信号的周期。根据习知技艺，半导体装置中，因为泵浦控制信号之周期是藉由环振荡器之延迟值所决定，了解依据泵浦控制信号之周期变动来改变高供电电压VPP有所限制。
技术实现思路
据此，本专利技术的目的在于提供一种依据泵浦控制信号藉由以可变循环提升供电电压以产生一内部电压的半导体装置，其中泵浦控制信号之周期系可更改。本专利技术之另一目的在于提供藉由使用测试模式信号用以调整泵浦控制信号的周期的半导体装置。本专利技术之另一目的在于提供依据外部电路所输入之时钟信号用以调整泵浦控制信号的周期的半导体装置。本专利技术之另一目的在于提供一种依据外部电路所输入之时钟信号之周期用以调整泵浦控制信号之周期以响应一测试模式信号的半导体装置。根据本专利技术之一观点来看，在此提供一种用以接收一第一供电电压用以产生一内部电压的设备，包括一控制信号产生块，用以接收一控制使能信号与一时钟信号并产生一具有一由控制使能信号以及时钟信号其中之一之周期所决定的泵浦控制信号以响应测试模式信号；与一电荷泵浦块，用以转换该第一供电电压成为该内部电压以响应该泵浦控制信号。根据本专利技术之另一方面，本专利技术提供一种用以接收一第一供电电压以产生一内部电压之方法，包括下列步骤(a)接收一控制使能信号与一时钟信号并产生一具有一由该控制使能信号与该时钟信号其中之一所决定的周期之泵浦控制信号以响应一测试模式信号；以及(b)转换该第一供电电压成为该内部电压以响应该泵浦控制信号。附图说明第1图为显示包括在习知半导体装置之内部电压产生器之块图；第2图为根据本专利技术之描述包括在半导体装置之内部电压产生器之方块图；第3图为包括在如第2图所示之内部电压产生器中之控制信号产生块之电路图；第4图为一时序图，其根据测试模式信号之激活或非激活描述内部电压产生器之操作。为让本专利技术之上述和其它目的、特征、和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下具体实施方式接着，具有根据本专利技术的用以接收第一供电电压用以产生内部电压的设备的半导体装置将配合图标做更进一步的说明。第2图为根据本专利技术描述包括在半导体装置之内部电压产生器之方块图，其系用以接收第一供电电压用以产生内部电压。如图所示，内部电压产生器包括控制信号产生块200与电荷泵浦块130’。控制信号产生块200接收控制使能信号ppe与内部时钟信号CLKi，以产生泵浦控制信号tosc。在此，泵浦控制信号tosc具有一周期，响应测试模式信号tm_en与控制使能信号ppe，其系由此控制使能信号ppe与内部时钟信号CLKi之一所决定。此测试模式信号从外部电路被输入以测试半导体装置的效能。此电荷泵浦块130’用以响应泵浦控制信号tosc来转换第一供电电压成为内部电压。第一供电电压系从外部电路供应至内部电压产生器的供电电压VDD与接地供应VSS其中之一。此外，此内部电压产生器包括比较块110’与缓冲器140。此比较块110’系用以比较内部电压之电平与参考电压VREF之电平，藉以依据该比较结果产生控制使能信号ppe。缓冲器140接收一外部电路之时钟信号CLK以及缓冲时钟信号CLK以产生内部时钟信号CLKi。更仔细的来说，控制信号产生块200包括环振荡器210、时钟脉冲块220与信号选择块230。环振荡器210接收比较块110’输出之控制使能信号ppe，以产生第一控制信号osc_ring。时钟脉冲块220接收内部缓冲器140输出之时钟信号CLKi用以产生一第二控制信号osc_clk以响应测试模式信号tm_en与控制使能信号。之后，信号选择块230选择第一与第二控制信号osc_ring与ring_clk其中之一以响应测试模式信号tm_en用以输出已选择信号作为泵浦控制信号tosc。在此，如果第一供电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用以接收一第一供电电压以产生一内部电压之设备，包括：控制信号产生块，用以接收一控制使能信号与一时钟信号并产生一具有由该控制使能信号与该时钟信号之一所决定的周期的泵浦控制信号以响应一测试模式信号；以及电荷泵浦块，用以转换该第一供电电压成为该内部电压以响应该泵浦控制信号。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：都昌镐，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]