一种含酮的TADF有机化合物及其应用制造技术

技术编号:33797476 阅读:20 留言:0更新日期:2022-06-16 10:01
本发明专利技术公开了一种含酮的TADF有机化合物及其应用,属于半导体技术领域。本发明专利技术提供的TADF有机化合物的结构如通式(1)或通式(2)所示:本发明专利技术提供TADF材料是具有空间CT特性的结构,具有快速的反系间窜跃速率与高荧光量子产率,作为OLED发光器件的发光层材料使用时,可产生TADF效果,能够有效的降低器件的电压,提高器件的发光效率,延长器件的寿命。延长器件的寿命。延长器件的寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种含酮的TADF有机化合物及其应用


[0001]本专利技术属于半导体
,尤其是涉及一种含酮的TADF有机化合物及该有机化合物作为发光层制备的有机电致发光器件。

技术介绍

[0002]有机电致发光器件(OLED:Organic Light Emission Diodes)技术既可以用来制造新型显示产品,也可以用于制作新型照明产品,有望替代现有的液晶显示和荧光灯照明,应用前景十分广泛。
[0003]OLED发光器件犹如三明治的结构,包括电极材料膜层以及夹在不同电极膜层之间的有机发光功能层,各种不同功能的材料根据用途相互叠加在一起共同组成OLED发光器件。OLED发光器件作为电流器件,当对其两端电极施加电压,并通过电场作用有机发光功能层中的正负电荷时,正负电荷会进一步在发光层中复合,即产生OLED电致发光。
[0004]OLED的发光层材料的开发及使用前后共经历了三个主要阶段,第一阶段以荧光发光机制为主,第二阶段以磷光发光机制为主,第三阶段运用TADF材料作为发光层材料,有效的利用三线态激子从而提升器件的发光效率。TADF材料发展至今,在发光层中有丰富的应用,且其结构可控,性质稳定,价格便宜无需贵重金属,在OLEDs领域的应用前景广阔。
[0005]理论上,TADF材料可以通过三线态到单线态的反系间窜跃,实现100%的激子利用率,但在实际应用充当主体或者掺杂的过程中,器件效果不佳,其主要仍然存在如下问题:(1)由于TADF材料设计要求较小的S1

T1带隙,快速的反系间窜跃速率(较短的延迟发光寿命)与高荧光量子产率难以兼得;(2)由于较强的CT效应,TADF材料存在随比例不同而导致的光谱不稳定现象。

技术实现思路

[0006]针对现有技术存在的上述问题,本专利技术提供了一种含酮的TADF有机化合物及其应用。本专利技术含酮的TADF材料是具有空间CT特性的结构,具有快速的反系间窜跃速率与高荧光量子产率,作为OLED发光器件的发光层材料使用时,可产生TADF效果,能够有效的降低器件的电压,提高器件的发光效率,延长器件的寿命。
[0007]本专利技术的技术方案为:
[0008]一种含酮的TADF有机化合物,所述TADF有机化合物的结构如通式(1)或通式(2)所示:
[0009][0010]通式(1)中,R1、R2分别独立地表示为氢原子、通式(3)或通式(4)所示结构,且R1、R2有且只有一个表示为氢原子;
[0011]通式(2)中,R3表示为通式(3)或通式(4)所示结构;
[0012][0013]Z1、Z2、Z3、Z4每次出现相同或不同地表示为氮原子或C(R),相邻R可以键结成环;R每次出现相同或不同的表示为氢原子、氕原子、氘原子、氚原子、卤原子、氰基、C1‑
10
的烷基、取代或未取代的C6‑
30
芳基、取代或未取代的C2‑
30
杂芳基中的一种;
[0014]L1、L2、L3、L4分别独立的表示为单键、取代或未取代的C6‑
30
亚芳基、取代或未取代的C2‑
30
亚杂芳基中的一种;
[0015]R4表示为取代或未取代的C6‑
30
的芳基、取代或未取代的C2‑
30
的杂芳基;
[0016]“取代或未取代的”上述基团的取代基任选自:氕原子、氘原子、氚原子、氰基、卤素、C1‑
10
烷基、C6‑
30
芳基、C2‑
30
杂芳基中的一种或几种;
[0017]所述杂芳基、亚杂芳基中杂原子任选自氧原子、硫原子、氮原子中的一种或几种。
[0018]优选方案,所述TADF有机化合物的结构如通式(5)、通式(6)、通式(7)或通式(8)所示:
[0019][0020]其中Z1、Z2、R1‑
R3、L1、L2的定义同权利要求1中的限定。
[0021]优选方案,所述C6‑
30
芳基为苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基、二联苯基、三联苯基、二甲基芴基或二苯基芴基;
[0022]所述C2‑
30
杂芳基表示为吡啶基、咔唑基、呋喃基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、9,9

二甲基芴基、N

苯基咔唑基、喹啉基、异喹啉基、萘啶基、恶唑基、咪唑基、苯并恶唑基、苯并咪唑基中的一种;
[0023]所述C6‑
30
亚芳基为亚苯基、亚萘基、亚蒽基、亚菲基、亚芘基、亚二联苯基、亚三联苯基、亚二甲基芴基或亚二苯基芴基;
[0024]所述C2‑
30
亚杂芳基表示为亚吡啶基、亚咔唑基、亚呋喃基、亚嘧啶基、亚吡嗪基、亚哒嗪基、亚噻吩基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚9,9

二甲基芴基、亚N

苯基咔唑基、亚喹啉基、亚异喹啉基、亚萘啶基、亚恶唑基、亚咪唑基、亚苯并恶唑基、亚苯并咪唑基中的一种;
[0025]所述C1‑
10
烷基为甲基、乙基、丙基、异丙基、叔丁基中的一种。
[0026]优选方案,所述TADF有机化合物的具体结构为以下结构中的任一种:
[0027][0028][0029][0030][0031][0032][0033][0034][0035]一种有机电致发光器件,包括阳极与阴极,以及他们之间的有机发光功能层,所述有机发光功能层含有所述的TADF有机化合物。
[0036]所述有机发光功能层包括发光层,所述发光层包含所述的TADF有机化合物。
[0037]一种照明或显示元件,所述照明或显示元件包括所述的有机电致发光器件。
[0038]与现有技术相比,本专利技术有益的技术效果在于:
[0039](1)具有高效的TADF特性,能充分的利用三线态能量提升器件的发光效率;
[0040](2)具有较短的延迟寿命,三线态激子存在时间短,有效减小主体材料的三线态激子猝灭延长器件的寿命;
[0041](3)具有较好的光谱稳定性,本专利技术材料作为敏化剂时,可以确保能量有效传递到掺杂材料;
[0042](4)具有较高的PLQY,本专利技术材料作为敏化剂时,可以有效提升器件的效率。
附图说明
[0043]图1为本专利技术所列举的材料应用于OLED器件的结构示意图;
[0044]图中,1为透明基板层,2为阳极层,3为空穴注入层,4为空穴传输层,5为电子阻挡层,6为发光层,7为空穴阻挡,8为电子传输层,9为电子注入层,10为阴极层。
具体实施方式
[0045]以下结合附图和实施例对本专利技术的原理和特征进行描述,所举实例只用于解释本专利技术,并非用于限定本专利技术的范围。
[0046]除非另有说明,在以下实施例和对比例中所使用的各种材料均是市售可得的,或可通过本领域技术人员已知的方法获得。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种含酮的TADF有机化合物,其特征在于,所述TADF有机化合物的结构如通式(1)或通式(2)所示:通式(1)中,R1、R2分别独立地表示为氢原子、通式(3)或通式(4)所示结构,且R1、R2有且只有一个表示为氢原子;通式(2)中,R3表示为通式(3)或通式(4)所示结构;Z1、Z2、Z3、Z4每次出现相同或不同地表示为氮原子或C(R),相邻R可以键结成环;R每次出现相同或不同的表示为氢原子、氕原子、氘原子、氚原子、卤原子、氰基、C1‑
10
的烷基、取代或未取代的C6‑
30
芳基、取代或未取代的C2‑
30
杂芳基中的一种;L1、L2、L3、L4分别独立的表示为单键、取代或未取代的C6‑
30
亚芳基、取代或未取代的C2‑
30
亚杂芳基中的一种;R4表示为取代或未取代的C6‑
30
的芳基、取代或未取代的C2‑
30
的杂芳基;“取代或未取代的”上述基团的取代基任选自:氕原子、氘原子、氚原子、氰基、卤素、C1‑
10
烷基、C6‑
30
芳基、C2‑
30
杂芳基中的一种或几种;所述杂芳基、亚杂芳基中杂原子任选自氧原子、硫原子、氮原子中的一种或几种。2.根据权利要求1所述的TADF有机化合物,其特征在于,所述TADF有机化合物的结构如通式(5)、通式(6)、通式(7)或通式(8)所示:
其中Z1、Z2、R1‑
R3、L1、L2的定义同权利要求1中的限定。3.根据权利要求1所述的TADF有机化合物,其特征在于,所述C6‑
30
...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈海峰殷梦轩崔明张兆超李崇
申请(专利权)人:江苏三月科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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