一种电荷产生层、电致发光器件及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种电荷产生层、电致发光器件及其制备方法。本发明专利技术的电荷产生层，由n型半导体掺杂层和p型半导体掺杂层组合而成，所述n型半导体掺杂层的主体材料选自4,7

【技术实现步骤摘要】
一种电荷产生层、电致发光器件及其制备方法


[0001]本专利技术涉及一种电荷产生层、电致发光器件及其制备方法，属于电致发光
，具体来说，属于倒置叠层有机电致发光


技术介绍

[0002]自有机发光二极管（OLED）被发现以来，由于其重量轻、灵活性以及优异的光电性能，在显示和固态照明领域显示出巨大的潜力。OLED作为一种电流驱动器件，其亮度高低往往取决于所承受的电流密度大小。然而，高电流密度所带来的高温、库仑力退化等因素将大大降低OLED器件使用寿命，造成不可避免的损失。事实上，高亮度和高寿命是OLED能否成功实现商业化应用的重要条件，而往往传统的单层OLED器件难以同时满足以上两个条件。
[0003]根据配置有机发光层的方法，可将发光装置分为包括单个有机发光层的单一型(或单一式)发光装置和包括以串联配置布置的两个或更多个有机发光层的串联型(或串联式)发光装置。其中，串联型(或串联式)有机发光二极管装置相对于单一型(或单一式)有机发光二极管装置具有在提高的效率、高稳定性、长寿命等方面的特征，并因此可用于需要高亮度和长寿命的显示装置或照明装置。为了实现该串联型(或串联式)有机发光二极管装置，该装置中存在耦接(或连接)两个或更多个有机发光层的电荷产生层(CGL)。
[0004]然而，常规的电荷产生层的问题在于，由于其产生和转移电荷的能力差，它使串联型(或串联式)发光装置的驱动电压比常规的单一型(或单一式)有机发光二极管装置的驱动电压提高了约1.3～2倍或更多，从而降低了有机发光二极管装置的功率效率和寿命。为了解决这个问题，行业内制备了多种结构的电荷产生层。
[0005]1、中国专利CN107123742A提供了一种倒置型底发射有机发光二极管及其制备方法。其中涉及用电荷产生层结构制备的倒置有机发光二极管，选择m
‑
MTDATA、TAPC或NPB作为p型半导体，HAT
‑
CN作为n型半导体制备电荷产生层，选择金属氧化物掺杂Bphen作为电子传输层、MoO3掺杂NPB作为空穴传输层；这种倒置器件方案虽然一定程度上解决了器件寿命的问题，提高了器件的功率效率，但是也存在一些问题：a、电荷产生层需要单独制作，增加了器件厚度的同时，也额外增加了两道蒸镀工艺，给量产技术的实施增加了难度；b、蓝光器件的最大功率效率仅在9 lm/W左右。
[0006]2、中国专利CN102185112A提供了一种叠层有机发光二极管及其制备方法。其涉及另一种电荷产生层结构制备的叠层有机发光二极管，n型半导体选择富勒烯及其衍生物或苝的衍生物；p型半导体选择金属酞菁类化合物、噻吩类化合物或稠环芳烃；此专利技术中的电荷产生层能够释放载流子，从而抵消了由于多个发光单元并存而产生的高电压，显著地降低了叠层有机发光二极管的工作电压，从而提高了叠层有机发光二极管的功率效率。然而，此现有技术也存在一些问题：a、器件的热稳定性较差，在80℃时，表现不佳；b、蓝光器件的最大功率效率仅在10 lm/W左右。

技术实现思路

[0007]本专利技术的目的是克服现有技术的不足，提供一种电荷产生层、电致发光器件及其制备方法，电荷产生层能够提供优异的产生和转移电荷的能力。
[0008]本专利技术的第一个目的是提供一种新的电荷产生层。
[0009]本专利技术的第二个目的是提供包含上述新的电荷产生层的电致发光器件。
[0010]本专利技术的第三个目的是提供上述电致发光器件的制备方法。
[0011]本专利技术的技术方案如下：一种电荷产生层，其由n型半导体掺杂层和p型半导体掺杂层组合而成，n型半导体掺杂层由主体材料和掺杂材料制成，p型半导体掺杂层也由主体材料和掺杂材料制成，其中：所述n型半导体掺杂层的主体材料选自4,7
‑
二苯基
‑
1,10
‑
菲啰啉、4,7
‑
二苯基
‑
1,10
‑
菲啰啉的衍生物、9,10
‑
二(6
‑
苯基吡啶
‑3‑
基)蒽、8
‑
羟基喹啉
‑
锂、1,3,5
‑
三(1
‑
苯基
‑
1H
‑
苯并咪唑
‑2‑
基)苯中的任意一种，掺杂材料选自Ag，Zn，Cr中的任意一种。
[0012]在本专利技术的一个优选实施方式中，所述n型半导体掺杂层的主体材料为4,7
‑
二苯基
‑
1,10
‑
菲啰啉，掺杂材料为Ag，即所述n型半导体掺杂层为Ag掺杂Bphen。
[0013]所述p型半导体掺杂层的主体材料选自TAPC（4,4'
‑
环己基二[N,N
‑
二(4
‑
甲基苯基)苯胺]）、m
‑
MTDATA（4,4',4'
‑
三(N
‑3‑
甲基苯基
‑
N
‑
苯基氨基)三苯胺）、TCTA（4,4',4''
‑
三(咔唑
‑9‑
基)三苯胺）、NPB （N,N'
‑
二苯基
‑
N,N'
‑
(1
‑
萘基)
‑
1,1'
‑
联苯
‑
4,4'
‑
二胺）、4P
‑
NPB（N,N'
‑
双(1
‑
萘)
‑
N,N'
‑
二苯基
‑
[1,1':4'14 ,1QUATERPHENYL]ꢀ‑
4,4
‑
二胺）、MCP（9,9'
‑
(1,3
‑
苯基)二
‑
9H
‑
咔唑）、CBP（4,4'
‑
二(9
‑
咔唑)联苯）和并五苯中的任意一种；掺杂材料选择MoO3、WO3、V2O5或酞菁铜中的任意一种。
[0014]在本专利技术的一个优选实施方式中，所述p型半导体掺杂层的主体材料为NPB，掺杂材料为MoO3，即所述p型半导体掺杂层为MoO3掺杂NPB。
[0015]进一步地，所述n型半导体掺杂层的厚度为1
‑
100nm，优选厚度为5
‑
30nm，更优选厚度为10
‑
15nm。
[0016]进一步地，所述p型半导体掺杂层的厚度为1
‑
100nm，优选厚度为5
‑
30nm，更优选厚度为10
‑
15nm。
[0017]进一步地，所述电荷产生层内，n型半导体掺杂层和p型半导体掺杂层的组合方式为p
‑
n、n
‑
p、p
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电荷产生层，其特征在于，其由n型半导体掺杂层和p型半导体掺杂层组合而成，n型半导体掺杂层由主体材料和掺杂材料制成，p型半导体掺杂层也由主体材料和掺杂材料制成，所述n型半导体掺杂层的主体材料选自4,7
‑
二苯基
‑
1,10
‑
菲啰啉、4,7
‑
二苯基
‑
1,10
‑
菲啰啉的衍生物、9,10
‑
二(6
‑
苯基吡啶
‑3‑
基)蒽、8
‑
羟基喹啉
‑
锂、1,3,5
‑
三(1
‑
苯基
‑
1H
‑
苯并咪唑
‑2‑
基)苯中的任意一种，掺杂材料选自Ag，Zn，Cr中的任意一种；所述p型半导体掺杂层的主体材料选自TAPC、m
‑
MTDATA、TCTA、NPB、4P
‑
NPB、MCP、CBP和并五苯中的任意一种；掺杂材料选择MoO3、WO3、V2O5或酞菁铜中的任意一种。2.根据权利要求1所述的电荷产生层，其特征在于，所述n型半导体掺杂层的主体材料为4,7
‑
二苯基
‑
1,10
‑
菲啰啉，掺杂材料为Ag，即所述n型半导体掺杂层为Ag掺杂Bphen；所述p型半导体掺杂层的主体材料为NPB，掺杂材料为MoO3，即所述p型半导体掺杂层为MoO3掺杂NPB。3.根据权利要求1所述的电荷产生层，其特征在于，所述n型半导体掺杂层厚度为1
‑
100nm；所述p型半导体掺杂层厚度为1
‑
...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐亚晨，叶子云，封晓猛，魏斌，
申请(专利权)人：南京迪视泰光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：