直流-直流转换器制造技术

技术编号:3377686 阅读:166 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
使用单一电感器提供一种具有高效率供给多个正电压及/或负电压的机能的低成本直流-直流转换器电路。该电路为:电感器的第1端与直流电源端连接;电感器的第2端与N型MOSFET的漏极端连接;电感器的第2端与第1整流二极管的阳极端连接,且与去除纹波用的第1电容器及第1输出端连接;所述N型MOSFET的源极端与地(GND)连接;所述n个整流二极管的阳极端的全部与所述电感器的第2端连接;所述n个整流二极管中的第1整流二极管以外的n-1个整流二极管的阴极端分别与各个所述n-1个的P型MOSFET的源极端连接;所述n-1个P型MOSFET的各个栅极漏极端与各个去除纹波用电容器及各个n-1个输出端分别连接,等等。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关于直流-直流转换器电路,尤其是有关于使用单一电感器而提 供多个正电压及/或负电压的直流-直流转换器电路。
技术介绍
在膝上型电脑、移动电话、LCD装置、计算机等电池驱动型电子装置中, 必须将供给电源至装置的电池的电压变换成装置的电路适用的电压。用于电 压变换的直流-直流转换器有各式各样的种类。在直流-直流转换器之中,由于使用电感器的直流-直流转换器具有可以 在高效率下输出种种电压的特性的缘故,因此可以广泛地使用。在使用电感 器的直流-直流转换器中,以往为了得到多个同极性电压,所以采用个别地得 到各电压的方法,如下l)以直流-直流转换器得到系统内的最高电压后,以 LD0调整器(低压差电压调整器)得到所欲的低电压;或2)设置与系统内所使 用的电压的个lt相同的直流-直流转换器。特许文献l:特开2QQ6-2547QQ号公报。
技术实现思路
但是,在上述l)的方法中,由于在调整器产生的电力损耗是不可避免之 故,因此导致电力效率低下。另外,在上迷2)的方法中,虽然l)的电力效率 的低下的问题减轻了,但是由于使用多个电感器之故,所以成本提高。本专利技术的目的在于通过使用单一 电感器而提供一种具有以高效率供给多 个正电压及/或负电压的机能的低成本直流-直流转换器电路。 课题解决的手段由于本专利技术的直流-直流转换器具有以下的构成,因此可以通过使用单一 转换器而得到多个正电压及/或负电压。另外,通过将本专利技术的构成的直流-直流转换器用于平面显示器(尤其是,液晶显示装置(LCD)),可以谋求LCD等的低价格化。(1) 一种直流-直流转换器电路,包括至少l个电感器;至少1个N型 MOSFET; n个整流二极管;n-l个P型MOSFET; n个去除紋波用电容器;n个 控制电路;以及n个输出端;其中,n系显示2以上的整数;所述电感器的 第l端与直流电源端连接;所述电感器的第2端与N型MOSFET的漏极端连接; 所述n个整流二极管中的第1整流二极管的阴极与所述去除紋波用电容器中 的第1电容器及所述n个输出端中的第l输出端连接;所述N型MOSFET的源 极端与接地(GND )端连接;所述n个整流二极管的阳极端的全部与所述电感 器的第2端连接;所述n个整流二极管中的第1整流二极管以外的n-1个整 流二极管的阴极端分别与各个所述n-1个P型MOSFET的源极端连接;所述 n-1个P型MOSFET的各个漏极端与所述第1电容器以外的n-1个去除紋波用 电容器及所述第1输出端以外的n-l个输出端分别连接;以所述直流电源端 电压为电源的n个中的1个控制电路的输出端与所述N型MOSFET的栅极端连 接;在与以所述第1输出端的电压为电源的n-l个控制电路的输出端连接的 直流-直流转换器电路中,通过使所述第1输出端的电压较其它输出端电压高 且所述n个输出端的电压完全不同的方式控制所述n-l个P型MOSFET的各个 栅极端,而输出n个不同的直流电压。(2) 如(1)所述的直流-直流转换器电路,其中所述n个去除紋波用电 容器的电力供给分别以时间分割方式进行。(3) 如(1)或(2)所述的直流-直流转换器电路,其中所述n为2,输 出2个不同的直流电压。(4) 如(1)至(3)中任一所述的直流-直流转换器电路,还包括第2 的P型MOSFET,连接于所述直流电源端与所述电感器的第1端之间;m个整 流二极管;m-1个N型MOSFET; m个去除紋波用电容器;m-1个控制电^s以 及m个输出端;其中,m表示2以上的整数;所述m个二极管的整流二极管 中的第1整流二极管的阳极与所述m个去除紋波用电容器中的第1电容器及 所述m个输出端中的第l输出端连接;所述m个整流二极管的阴极端的全部 与所述电感器的第1端连接;所述m个二极管中的第1 二极管以外的m-1个 整流用二极管的阳极端分别与其它所述m-1个N型MOSFET的源极端连接;所 迷m-l个N型MOSFET的各个漏极端与所述第1电容器以外的m-1个去除紋波 用电容器及所述第1输出端以外的ra-1个输出端分别连接;所述m-l个N型MOSFET的各个栅极端与以所述第1输出端的电压为电源的m-1个控制电路的 输出端分别连接,并受到控制而使得所述第1输出端的电压较其它m-l个输 出端的电压高且所述m个输出端的电压完全不同,以进一步输出m个不同的 负的直流电压。(5) —种直流-直流转换器电路,包括1个电感器;至少1个P型MOSFET; m个整流二极管;m-1个N型MOSFET; m个去除紋波用电容器;m个控制电路; 以及m个输出端;其中,n是表示2以上的整数;所述P型MOSFET的源极端 与直流电源端连接;所述电感器的第l端与所述P型MOSFET的漏极端连接; 所述电感器的第2端与接地(GND)连接;所述m个整流二极管中的第1整流 二极管的阳极与所述去除紋波用电容器中的第1电容器及所述m个输出端中 的第l输出端连接;所述m个整流二极管的阴极端的全部与所述电感器的第 1端连接;所述m个整流二极管中的第1整流二极管以外的m-1个整流二极 管的阳极端分别与其它所述m-l个N型MOSFET的源极端连接;所述m-l个N 型MOSFET的各个漏极端与所述第1电容器以外的m-l个去除紋波用电容器及 所述第1输出端以外的m-l个输出端分别连接;以所述直流电源端电压为电 源的m个中的1个控制电路的输出端与所述P型MOSFET的栅极端连接;在与 以所述第1输出端的电压为电源的m-l个控制电路的输出端分别连接的直流-直流转换器电路中,通过使所述第1输出端的电压较其它输出端电压高且所 述m个输出端的电压完全不同的方式控制所述m-l个N型MOSFET的各个栅极 端,而输出m个不同的直流电压。(6) 如(4)或(5)所述的直流-直流转换器电路,其中所述m个去除紋 波用电容器的负电压的供给分别以时间分割方式进行。(7) —种平面显示器,使用如(1)至(6)中任一所述的直流-直流转换 器电路。专利技术的效果本专利技术可以通过使用单一电感器而提供一种具有以高效率供给多个正电 压及/或负电压的机能的低成本直流-直流转换器电路。另外,通过将本专利技术 的构成的直流-直流转换器用于平面显示器(尤其是,液晶显示装置(LCD)), 可以i某求LCD等的低价格化。为让本专利技术的上述和其他目的、特征、和优点能更明显易懂,下文特举出库支佳实施例,并配合所附图式,作详细说明如下附图说明图1是表示本专利技术的实施例1的直流-直流转换器的电路图。图2是表示本专利技术的实施例2的直流-直流转换器的电路图。图3是表示本专利技术的实施例3的直流-直流转换器的电路图。图4是表示本专利技术的实施例4的直流-直流转换器的电路图。主要元件符号说明11直流电源12电感器21输出端22输出端23输出端24输出端25输出端31N型M0SFET32P型M0SFET33P型M0SFET34P型M0SFET35P型M0SFET41整流二极管42整流二极管43整流二极管44整流二极管45整流二极管51控制电路52控制电路53控制电路54控制电路61去除紋波用电容器62去除紋波用电容器63去除紋波用电容器64去除紋波用电容器71电感器第2端72电感器第l端92P型M0SFET93P型M0SFET94P型M0SFET101整流本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种直流-直流转换器电路,包括:    至少电感器,其中所述电感器的第1端与一直流电源端连接;    至少1个N型MOSFET,所述N型MOSFET的源极端与一接地(GND)端连接,且所述电感器的第2端与所述N型MOSFET的漏极端连接;    n个整流二极管,所述n个整流二极管的阳极端的全部与所述电感器的第2端连接;    n-1个P型MOSFET,所述n个整流二极管中的第1整流二极管以外的n-1个整流二极管的阴极端分别与各个所述n-1个P型MOSFET的源极端连接;    n个去除纹波用电容器;    n个控制电路,以所述直流电源端电压为电源的n个中的1个控制电路的输出端与所述N型MOSFET的栅极端连接;以及    n个输出端,其中所述n个整流二极管中的第1整流二极管的阴极与所述去除纹波用电容器中的第1电容器及所述n个输出端中的第1输出端连接,且所述n-1个P型MOSFET的各个漏极端与所述第1电容器以外的n-1个去除纹波用电容器及所述第1输出端以外的n-1个输出端分别连接;    其中,n是表示2以上的整数;在与以所述第1输出端的电压为电源的n-1个控制电路的输出端连接的直流-直流转换器电路中,通过使所述第1输出端的电压较其它输出端电压高且所述n个输出端的电压完全不同的方式控制所述n-1个P型MOSFET的各个栅极端,而输出n个不同的直流电压。...

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员:山下佳大朗
申请(专利权)人:统宝光电股份有限公司
类型:发明
国别省市:71[中国|台湾]

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