本发明专利技术提供了一种阵列基板的制备方法、阵列基板以及显示装置，阵列基板的制备方法包括：提供玻璃基板，其中，玻璃基板具有预设厚度，之后，在玻璃基板上制备图案化的金属膜层，最后，将玻璃基板从预设厚度减薄至目标厚度，本发明专利技术所提供的阵列基板的制备方法，由于会在较厚的玻璃基板上制备好图案化的金属膜层后，再将该玻璃基板减薄至目标厚度，避免了在沉积金属膜层的过程中，由于因完整的金属膜层会具有较大的应力，而导致出现玻璃基板翘曲的现象。象。象。
【技术实现步骤摘要】
阵列基板的制备方法、阵列基板以及显示装置
[0001]本专利技术总体上涉及显示面板
，具体的，涉及一种阵列基板的制备方法、阵列基板以及显示装置。
技术介绍
[0002]和目前市面上主流的液晶显示装置(Liquid Crystal Display，LCD)以及有机电致发光(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示装置相比，Mini
‑
LED显示装置具有反应快、高色域、低能耗等优势，因此，Mini
‑
LED显示装置的发展成为了未来显示技术的热点之一。
[0003]基于此，如何保证Mini
‑
LED显示装置的可靠性，是目前需要解决的技术问题。
技术实现思路
[0004]为了解决上述问题或其他问题，本专利技术提供了以下技术方案。
[0005]第一方面，本专利技术提供了一种阵列基板的制备方法，所述制备方法包括：
[0006]提供玻璃基板，其中，所述玻璃基板具有预设厚度；
[0007]在所述玻璃基板上制备图案化的金属膜层；以及，
[0008]将所述玻璃基板从所述预设厚度减薄至目标厚度。
[0009]根据本专利技术一实施例的制备方法，其中，在所述将所述玻璃基板从所述预设厚度减薄至目标厚度的步骤之前，还包括：
[0010]形成覆盖所述图案化的金属膜层的抗刻蚀膜层。
[0011]根据本专利技术一实施例的制备方法，其中，在所述将所述玻璃基板从所述预设厚度减薄至目标厚度的步骤之后，还包括：
[0012]去除所述抗刻蚀膜层。
[0013]根据本专利技术一实施例的制备方法，其中，所述在所述玻璃基板上制备图案化的金属膜层的步骤，具体包括：
[0014]在所述玻璃基板上沉积金属膜层；以及，
[0015]对所述金属膜层进行图案化，得到图案化的金属膜层。
[0016]根据本专利技术一实施例的制备方法，其中，使用物理气相沉积法形成所述金属膜层。
[0017]根据本专利技术一实施例的制备方法，其中，在所述对所述金属膜层进行图案化的步骤中，使用黄光工艺以及湿法刻蚀工艺其中至少之一。
[0018]根据本专利技术一实施例的制备方法，其中，在所述将所述玻璃基板从所述预设厚度减薄至目标厚度的步骤中，使用氢氟酸以及抛光工艺其中至少之一。
[0019]根据本专利技术一实施例的制备方法，其中，所述金属膜层的材料包括铜。
[0020]第二方面，本专利技术还提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括：
[0021]玻璃基板，所述玻璃基板位于一水平面上，且具有目标厚度；以及，
[0022]图案化的金属膜层，所述图案化的金属膜层设置于所述玻璃基板上。
[0023]第三方面，本专利技术还提供了一种显示装置，包括上述阵列基板。
[0024]本专利技术的有益效果为：本专利技术提供了一种阵列基板的制备方法、阵列基板以及显示装置，阵列基板的制备方法包括：提供玻璃基板，其中，玻璃基板具有预设厚度，之后，在玻璃基板上制备图案化的金属膜层，最后，将玻璃基板从预设厚度减薄至目标厚度，本专利技术所提供的阵列基板的制备方法，由于会在较厚的玻璃基板上制备好图案化的金属膜层后，再将该玻璃基板减薄至目标厚度，避免了在沉积金属膜层的过程中，由于因完整的金属膜层会具有较大的应力，而导致出现玻璃基板翘曲的现象。
附图说明
[0025]为了更清楚地说明本专利技术的技术方案，下面将对根据本专利技术而成的各实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0026]图1是根据本专利技术而成的实施例所提供的阵列基板的制备方法的流程示意图。
[0027]图2是根据本专利技术而成的实施例所提供的阵列基板的制备方法的进一步流程示意图。
[0028]图3a至图3f是根据本专利技术而成的实施例所提供的阵列基板的制备方法的工艺流程示意图。
[0029]图4是根据本专利技术而成的实施例所提供的阵列基板的结构示意图。
[0030]图5是根据本专利技术而成的实施例所提供的显示装置的结构示意图。
[0031]图6是根据本专利技术而成的实施例所提供的移动终端的结构示意图。
[0032]图7是根据本专利技术而成的实施例所提供的移动终端的细部结构示意图。
具体实施方式
[0033]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0034]在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本专利技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
[0035]在本专利技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间
接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。
[0036]在本专利技术中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
[0037]下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本专利技术的不同结构。为了简化本专利技术的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本专利技术。此外，本专利技术可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供玻璃基板，其中，所述玻璃基板具有预设厚度；在所述玻璃基板上制备图案化的金属膜层；以及，将所述玻璃基板从所述预设厚度减薄至目标厚度。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述将所述玻璃基板从所述预设厚度减薄至目标厚度的步骤之前，还包括：形成覆盖所述图案化的金属膜层的抗刻蚀膜层。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在所述将所述玻璃基板从所述预设厚度减薄至目标厚度的步骤之后，还包括：去除所述抗刻蚀膜层。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述玻璃基板上制备图案化的金属膜层的步骤，具体包括：在所述玻璃基板上沉积金属膜层；以及，对所述金属膜层进行图案化，得到图案化的金属膜层...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄远科，
申请(专利权)人：TCL华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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