一种自适应开启的POE整流桥电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种自适应开启的POE整流桥电路，包括：第一控制输入端VIN_A、第二控制输入端VIN_B、电源正输出端VOUT+、电源负输出端VOUT

【技术实现步骤摘要】
一种自适应开启的POE整流桥电路


[0001]本技术涉及POE供电领域，尤其涉及一种自适应开启的POE整流桥电路。

技术介绍

[0002]大规模商业化以太网供电设备如视频监控、无线小基站、以及无线AP的广泛应用，其供电是基于POE以太网供电协议实现的。随着以太网设备功率的不断提高POE标准也不断更新、最新发布的802.3bt标准提出以太网供电设备功率可达到90W、授电设备功率达到72W。基于以太网设备功率越来越高以及商业化规模越来越大、根据POE供电协议的要求授电设备端迫切需要一种低成本高效率的整流桥方案。在现有技术中，提供了POE以太网授电设备端，其整流桥电路需要单独开启，无法实现自适应开启，使得需要单独去设置开启和关闭。
[0003]因此，针对上述问题，提供一种自适应开启的POE整流桥电路，是本领域亟待解决的技术问题。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于克服现有技术的不足，提供一种自适应开启的POE整流桥电路。
[0005]本技术的目的是通过以下技术方案来实现的：
[0006]本技术的第一方面，提供一种自适应开启的POE整流桥电路，包括：
[0007]第一控制输入端VIN_A、第二控制输入端VIN_B、电源正输出端VOUT+、电源负输出端VOUT
‑
；
[0008]第一NMOS管Q1、第二NMOS管Q2、第一PMOS管Q3、第二PMOS管Q4；第一控制输入端VIN_A分别与第二NMOS管Q2的漏极、第一PMOS管Q3的漏极连接，第二控制输入端VIN_B分别与第一NMOS管Q1的漏极、第二PMOS管Q4的漏极连接；电源正输出端VOUT+分别与第一PMOS管Q3的源极、第二PMOS管Q4的源极连接，电源负输出端VOUT
‑
分别与第一NMOS管Q1的源极、第二NMOS管Q2的源极连接；
[0009]第一NPN三极管Q5、第二NPN三极管Q6、第一PNP三极管Q7、第二PNP三极管Q8；第一控制输入端VIN_A还分别与第一NPN三极管Q5的基极、第一PNP三极管Q7的基极连接，第二控制输入端VIN_B还分别与第二NPN三极管Q6的基极、第二PNP三极管Q8的基极连接；第一NPN三极管Q5的集电极与第一PMOS管Q3的栅极连接，第二NPN三极管Q6的集电极与第二PMOS管Q4的栅极连接，第一PNP三极管Q7的集电极与第二NMOS管Q2的栅极连接，第二PNP三极管Q8的集电极与第一NMOS管Q1的栅极连接；
[0010]电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4，电阻R1连接在第一PMOS管Q3的栅极和源极之间，电阻R2连接在第二PMOS管Q4的栅极和源极之间，电阻R3连接在第二NMOS管Q2的栅极和源极之间，电阻R4连接在第一NMOS管Q1的栅极和源极之间；
[0011]电阻R5，电阻R5的一端分别与第一NPN三极管Q5的发射极、第二NPN三极管Q6的发
射极连接，电阻R5的另一端分别与第一PNP三极管Q7的发射极、第二PNP三极管Q8的发射极连接；
[0012]电阻R6和电阻R7，电阻R6的一端与第一控制输入端VIN_A、第二NMOS管Q2的漏极、第一PMOS管Q3的漏极的公共连接点连接，电阻R6的另一端与第一NPN三极管Q5的基极、第一PNP三极管Q7的基极的公共连接点连接；电阻R7的一端与第二控制输入端VIN_B、第一NMOS管Q1的漏极、第二PMOS管Q4的漏极的公共连接点连接，电阻R7的另一端与第二NPN三极管Q6的基极、第二PNP三极管Q8的基极的公共连接点连接。
[0013]进一步地，电阻R6通过第一稳压单元与第一NPN三极管Q5的基极连接，电阻R6通过第二稳压单元与第一PNP三极管Q7的基极连接，电阻R7通过第三稳压单元与第二NPN三极管Q6的基极连接，电阻R7通过第四稳压单元与第二PNP三极管Q8的基极连接。
[0014]进一步地，所述第一稳压单元包括稳压管Z3和二极管D4，电阻R6与二极管D4的正极连接，二极管D4的负极与稳压管Z3的负极连接，稳压管Z3的正极与第一NPN三极管Q5的基极连接。
[0015]进一步地，所述第二稳压单元包括稳压管Z4和二极管D3，电阻R6与二极管D3的负极连接，二极管D3的正极与稳压管Z4的正极连接，稳压管Z4的负极与第一PNP三极管Q7的基极连接。
[0016]进一步地，所述第三稳压单元包括稳压管Z1和二极管D1，电阻R7与二极管D1的正极连接，二极管D1的负极与稳压管Z1的负极连接，稳压管Z1的正极与第二NPN三极管Q6的基极连接。
[0017]进一步地，所述第四稳压单元包括稳压管Z2和二极管D2，电阻R7与二极管D2的负极连接，二极管D2的正极与稳压管Z2的正极连接，稳压管Z2的负极与第二PNP三极管Q8的基极连接。
[0018]进一步地，所述第一PMOS管Q3的栅极和源极之间还连接有第一滤噪单元，第二PMOS管Q4的栅极和源极之间还连接有第二滤噪单元，第二NMOS管Q2的栅极和源极之间还连接有第三滤噪单元，第一NMOS管Q1的栅极和源极之间还连接有第四滤噪单元。
[0019]进一步地，所述第一滤噪单元包括电容C1，所述第二滤噪单元包括电容C2，所述第三滤噪单元包括电容C4，所述第四滤噪单元包括电容C3。
[0020]进一步地，所述第一控制输入端VIN_A与外部第一RJ45端口连接，第二控制输入端VIN_B与外部第二RJ45端口连接。
[0021]进一步地，所述电源正输出端VOUT+与内部正极连接，电源负输出端VOUT
‑
与内部负极连接。
[0022]本技术的有益效果是：
[0023]（1）在本技术一示例性实施例中，当第一控制输入端VIN_A为高电压，第二控制输入端VIN_B为低电压，控制信号流通过电阻R5自适应连通高低电压之间，从而进一步进行后续连接；同理当第二控制输入端VIN_B为高电压，第一控制输入端VIN_A为低电压，控制信号流通过电阻R5自适应连通高低电压之间。即通过第一控制输入端VIN_A和第二控制输入端VIN_B的高低压的设置，从而使得POE中的整流桥自适应开启。同时通过极少的分立元器件实现了低成本的整流桥驱动方案，在POE两个整流桥电路应用中实现彼此独立驱动不互相耦合；电阻R6和电阻R7可以为限流单元，在信号控制电路上起到限流以及电压抬升的
作用。
[0024]（2）在本技术又一示例性实施例中，通过各个稳压单元连接在对应三极管和控制输入端设置稳压单元，当在三极管导通后，稳压单元进行稳压状态，从而保证与三极管对应的MOS管的栅极
‑
源极之间电压可维持恒定值，从而保证对应MOS管稳定工作，并且有效应对反向电压，保护MOS管。
[0025]（3）在本技术又一示例性实施例中，各个滤噪模块并联跨接到功率对应MOS管的栅极和源极之间，作为滤除功率线上的噪声成分从而避免功率MOS管误本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种自适应开启的POE整流桥电路，其特征在于：包括：第一控制输入端VIN_A、第二控制输入端VIN_B、电源正输出端VOUT+、电源负输出端VOUT
‑
；第一NMOS管Q1、第二NMOS管Q2、第一PMOS管Q3、第二PMOS管Q4；第一控制输入端VIN_A分别与第二NMOS管Q2的漏极、第一PMOS管Q3的漏极连接，第二控制输入端VIN_B分别与第一NMOS管Q1的漏极、第二PMOS管Q4的漏极连接；电源正输出端VOUT+分别与第一PMOS管Q3的源极、第二PMOS管Q4的源极连接，电源负输出端VOUT
‑
分别与第一NMOS管Q1的源极、第二NMOS管Q2的源极连接；第一NPN三极管Q5、第二NPN三极管Q6、第一PNP三极管Q7、第二PNP三极管Q8；第一控制输入端VIN_A还分别与第一NPN三极管Q5的基极、第一PNP三极管Q7的基极连接，第二控制输入端VIN_B还分别与第二NPN三极管Q6的基极、第二PNP三极管Q8的基极连接；第一NPN三极管Q5的集电极与第一PMOS管Q3的栅极连接，第二NPN三极管Q6的集电极与第二PMOS管Q4的栅极连接，第一PNP三极管Q7的集电极与第二NMOS管Q2的栅极连接，第二PNP三极管Q8的集电极与第一NMOS管Q1的栅极连接；电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4，电阻R1连接在第一PMOS管Q3的栅极和源极之间，电阻R2连接在第二PMOS管Q4的栅极和源极之间，电阻R3连接在第二NMOS管Q2的栅极和源极之间，电阻R4连接在第一NMOS管Q1的栅极和源极之间；电阻R5，电阻R5的一端分别与第一NPN三极管Q5的发射极、第二NPN三极管Q6的发射极连接，电阻R5的另一端分别与第一PNP三极管Q7的发射极、第二PNP三极管Q8的发射极连接；电阻R6和电阻R7，电阻R6的一端与第一控制输入端VIN_A、第二NMOS管Q2的漏极、第一PMOS管Q3的漏极的公共连接点连接，电阻R6的另一端与第一NPN三极管Q5的基极、第一PNP三极管Q7的基极的公共连接点连接；电阻R7的一端与第二控制输入端VIN_B、第一NMOS管Q1的漏极、第二PMOS管Q4的漏极的公共连接点连接，电阻R7的另一端与第二NPN三极管Q6的基极、第二PNP三极管Q8的基极的公共连接点连接。2.根据权利要求1所述的一种自适应开启的POE整流桥电路，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：何凤喜，
申请(专利权)人：成都复锦功率半导体技术发展有限公司，
类型：新型
国别省市：