一种灯丝辅阳离化多弧离子镀结构装置制造方法及图纸

技术编号:33761780 阅读:25 留言:0更新日期:2022-06-12 14:11
一种灯丝辅阳离化多弧离子镀结构装置。本实用新型专利技术针对已有多弧离子镀对于反应性气体离化率低的问题。本实用新型专利技术包括灯丝、辅阳法兰、辅阳进水管、辅阳出水管等,辅阳法兰通过辅阳绝缘片可拆卸密封安装在真空室中心顶壁上,辅阳电源的阴极和阳极分别连接真空室壁和辅阳法兰。灯丝作为辅助阳极接收电子,同时灯丝被加热至高温发生大量热电子,增强反应性气体离化率。离化率。离化率。

【技术实现步骤摘要】
一种灯丝辅阳离化多弧离子镀结构装置


[0001]本技术涉及一种灯丝辅阳离化多弧离子镀结构装置,属于涂层制备领域。

技术介绍

[0002]多弧离子镀是一种具有高离化率的物理气相沉积方法,被广泛地应用于航空航天、武器装备、电子产品等领域。多弧离子镀是在真空环境下利用高速运动电弧斑点高温蒸发靶材金属为等离子体,并沉积至工件表面。
[0003]虽然多弧离子镀的离化率可以达到90%,但是仅仅是对于靶材的离化率,对于反应性气体的离化率较低。多弧离子镀沉积O2、N2、C2H2等反应性气体元素涂层时,反应性气体离化率低影响沉积涂层的成分、组织结构,增加了沉积工艺调控复杂性。

技术实现思路

[0004]针对已有多弧离子镀对于反应性气体离化率低的问题,本技术专利提供一种灯丝辅阳离化多弧离子镀结构装置。本技术专利在多弧离子镀中利用灯丝作为辅助阳极,灯丝接收电子并且其被加热至高温发射电子,运动至灯丝的电子和灯丝的热发射电子同时增强多弧离子镀的沉积空间反应性气体离化。
[0005]本技术为解决上述问题采取的技术方案是:
[0006]本技术公开了一种灯丝辅阳离化多弧离子镀结构装置,本技术包括灯丝1、辅阳法兰2、辅阳进水管3、辅阳出水管4、辅阳绝缘片5、辅阳电源6、多弧离子镀电源7、偏压电源8、真空室9、真空泵10、工件11、试样架12、试样架转轴13、多弧靶14、靶进水管15、靶出水管16、左灯丝柱17、右灯丝柱18、靶水冷腔19、进气管20,
[0007]所述灯丝1开拆卸固定安装灯丝柱17和右灯丝柱18上,左灯丝柱17和右灯丝柱18固定焊接在辅阳法兰2上,辅阳法兰2为水冷结构,辅阳进水管3和辅阳出水管4密封焊接在辅阳法兰2上,辅阳法兰2通过辅阳绝缘片5可拆卸密封安装在真空室9中心顶壁上,靶水冷腔19为水冷结构,靶进水管15和靶出水管16密封焊接在靶水冷腔19上,多弧靶14可拆卸紧密固定安装在靶水冷腔19上,靶水冷腔19可拆卸绝缘密封安装在真空室9左侧壁上,工作气体通过进气管20进入真空室9内部,工件11可拆卸安装在试样架12上,试样架12可拆卸安装在试样架转轴13上,试样架转轴13可拆卸绝缘密封安装在真空室9中心底壁上,
[0008]辅阳电源6的阴极和阳极分别连接真空室9壁和辅阳法兰2,多弧离子镀电源7的阴极和阳极分别连接靶水冷腔19和真空室9壁,偏压电源8的阴极和阳极分别连接试样架转轴13和真空室9壁,真空泵10对真空室9抽真空。
[0009]进一步的是,所述辅阳电源6输出电流1A

50A、输出电压1V

100V。
[0010]本技术的有益效果是:本技术提出了一种灯丝辅阳离化多弧离子镀结构装置,利用灯丝作为辅助阳极,灯丝不仅接收电子被加热同时在高温下发生大量热电子,增强多弧离子镀的沉积空间的反应性气体离化率,增加工艺窗口宽度,满足多弧离子镀沉积反应性涂层的科研和工业需求。
附图说明
[0011]图1是本技术的结构示意图。
[0012]图中涉及到的部件名称及标号如下:
[0013]灯丝1、辅阳法兰2、辅阳进水管3、辅阳出水管4、辅阳绝缘片5、辅阳电源6、多弧离子镀电源7、偏压电源8、真空室9、真空泵10、工件11、试样架12、试样架转轴13、多弧靶14、靶进水管15、靶出水管16、左灯丝柱17、右灯丝柱18、靶水冷腔19、进气管20。
具体实施方式
[0014]具体实施方式一:结合图1说明本实施方式,本实施方式所述一种灯丝辅阳离化多弧离子镀结构装置包括灯丝1、辅阳法兰2、辅阳进水管3、辅阳出水管4、辅阳绝缘片5、辅阳电源6、多弧离子镀电源7、偏压电源8、真空室9、真空泵10、工件11、试样架12、试样架转轴13、多弧靶14、靶进水管15、靶出水管16、左灯丝柱17、右灯丝柱18、靶水冷腔19、进气管20,
[0015]所述灯丝1开拆卸固定安装灯丝柱17和右灯丝柱18上,左灯丝柱17和右灯丝柱18固定焊接在辅阳法兰2上,辅阳法兰2为水冷结构,辅阳进水管3和辅阳出水管4密封焊接在辅阳法兰2上,辅阳法兰2通过辅阳绝缘片5可拆卸密封安装在真空室9中心顶壁上,靶水冷腔19为水冷结构,靶进水管15和靶出水管16密封焊接在靶水冷腔19上,多弧靶14可拆卸紧密固定安装在靶水冷腔19上,靶水冷腔19可拆卸绝缘密封安装在真空室9左侧壁上,工作气体通过进气管20进入真空室9内部,工件11可拆卸安装在试样架12上,试样架12可拆卸安装在试样架转轴13上,试样架转轴13可拆卸绝缘密封安装在真空室9中心底壁上,辅阳电源6的阴极和阳极分别连接真空室9壁和辅阳法兰2,多弧离子镀电源7的阴极和阳极分别连接靶水冷腔19和真空室9壁,偏压电源8的阴极和阳极分别连接试样架转轴13和真空室9壁,真空泵10对真空室9抽真空。
[0016]具体实施方式二:结合图1说明本实施方式,本实施方式所述一种灯丝辅阳离化多弧离子镀结构装置的辅阳电源6输出电流1A

50A、输出电压1V

100V。其它组成及连接关系与具体实施方式一相同。
[0017]本技术工作过程如下:
[0018]步骤一、将灯丝1安装到辅阳法兰2上,将辅阳电源6的阴极和阳极分别连接真空室9壁和辅阳法兰2;
[0019]步骤二、将靶水冷腔19安装至真空室9左侧壁上,将多弧离子镀电源7的阴极和阳极分别连接靶水冷腔19和真空室9壁;
[0020]步骤三、真空泵10对真空室9抽真空,通过进气管20注入反应性气体,根据工艺沉积涂层。
[0021]以上所述,仅是本技术的较佳实施例而已,并非对本技术作任何形式上的限制,虽然本技术已以较佳实施例揭露如上,然而并非用以限定本技术,任何熟悉本专业的技术人员,在不脱离本技术技术方案范围内,当可利用上述揭示的
技术实现思路
做出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例,但凡是未脱离本技术技术方案内容,依据本技术的技术实质,在本技术的精神和原则之内,对以上实施例所作的任何简单的修改、等同替换与改进等,均仍属于本技术技术方案的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种灯丝辅阳离化多弧离子镀结构装置,其特征在于:所述一种灯丝辅阳离化多弧离子镀结构装置包括灯丝(1)、辅阳法兰(2)、辅阳进水管(3)、辅阳出水管(4)、辅阳绝缘片(5)、辅阳电源(6)、多弧离子镀电源(7)、偏压电源(8)、真空室(9)、真空泵(10)、工件(11)、试样架(12)、试样架转轴(13)、多弧靶(14)、靶进水管(15)、靶出水管(16)、左灯丝柱(17)、右灯丝柱(18)、靶水冷腔(19)、进气管(20);所述灯丝(1)开拆卸固定安装灯丝柱17和右灯丝柱(18)上,左灯丝柱(17)和右灯丝柱(18)固定焊接在辅阳法兰(2)上,辅阳法兰(2)为水冷结构,辅阳进水管(3)和辅阳出水管(4)密封焊接在辅阳法兰(2)上,辅阳法兰(2)通过辅阳绝缘片(5)可拆卸密封安装在真空室(9)中心顶壁上,靶水冷腔(19)为水冷结构,靶进水管(15)和靶出水管(16)密封...

【专利技术属性】
技术研发人员:许建平陈晶李青川王威
申请(专利权)人:黑龙江工程学院
类型:新型
国别省市:

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