一种放大器负压保护电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种放大器负压保护电路，主要解决现有放大器负压保护电路结构复杂、电路成本高的问题。本实用新型专利技术包括一PMOS管、一限流电阻、一三极管、两个VBE电压设置电阻、一线性稳压器、以及两个线性稳压器输出电压设置电阻。本实用新型专利技术可有效实现对放大器的负电压保护，实现方式简单，电路采用国产化芯片，电路总体成本低。电路总体成本低。电路总体成本低。

【技术实现步骤摘要】
一种放大器负压保护电路


[0001]本技术属于电子电力
，具体地说，是涉及一种放大器负压保护电路。

技术介绍

[0002]随着移动通信技术的发展，微波射频技术的应用也越来越广泛。硬件工程上所需的模块经常需要功率放大，而功率放大器要求上电时，先加栅压，后加漏压；去电时，先降漏压，后降栅压，否则容易损坏器件，保证固态功率放大器的工作稳定性。而负压保护电路具备始终保证放大器在先加上栅极电压之后，才能够开启漏极电压的特性，它防止了放大器在只有漏极电压而没有栅极电压时，导致放大器电流过大出现烧毁的情况。但是传统的负压保护电路还存在电路结构复杂、电路整体成本高的问题。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于提供一种放大器负压保护电路，主要解决现有放大器负压保护电路结构复杂、电路成本高的问题。
[0004]为实现上述目的，本技术采用的技术方案如下：
[0005]一种放大器负压保护电路，包括
[0006]一PMOS管，源极端接电源VCC，漏极端输出电压VD；
[0007]一限流电阻，连接于PMOS管的栅极与源极之间；
[0008]一三极管，集电极与PMOS管的栅极相连，基极接地；
[0009]两个VBE电压设置电阻，一端共接后与三极管的发射极相连，用于设置三极管的VBE电压，其中一个VBE电压设置电阻的另一端接地；
[0010]一线性稳压器，其输入端引脚与另一个VBE电压设置电阻的另一端相连；
[0011]两个线性稳压器输出电压设置电阻，其中一个线性稳压器输出电压设置电阻连接于线性稳压器的OUT引脚与NC引脚之间；另一个线性稳压器输出电压设置电阻一端与线性稳压器的NC引脚相连且另一端接地。
[0012]进一步地，在本技术中，所述负压电路还包括若干个电源滤波电容。
[0013]进一步地，在本技术中，所述负压电路还包括连接于线性稳压器的VIN引脚和EN引脚之间的分压电阻。
[0014]进一步地，在本技术中，所述PMOS管的型号为WPM1483。
[0015]进一步地，在本技术中，所述三极管的型号为FHT5551。
[0016]进一步地，在本技术中，所述线性稳压器的型号为SGM2209。
[0017]与现有技术相比，本技术具有以下有益效果：
[0018]本技术利用电阻调节三极管VBE的电压，使得U2的VBE能使U2达到饱和开启状态，放大器的VG电压达到放大器所需最佳范围区间。当电路检测到
‑
VCC时，U2的B、E端口产生电压差，三极管饱和，故而U2的CE导通，U1的G端口和S端口产生电压差，S、D两端导通，电压导通，开关处于开启状态。当电路未检测到
‑
VCC时，U2的VBE≈0V，IB≈0A，C、E两端截止，
R1起上拉电阻作用，U1的G端口和S端口电压几乎相等，故U2的VGS的压差约等于0V，S、D两端截止，电压无法导通，VD＝0V，放大器不会处于工作状态，处于关断状态，通过这种方式实现对放大器的负电压保护，实现方式简单，电路采用国产化芯片，电路总体成本低。
附图说明
[0019]图1为本技术的结构示意图。
具体实施方式
[0020]下面结合附图说明和实施例对本技术作进一步说明，本技术的方式包括但不仅限于以下实施例。
[0021]实施例
[0022]如图1所示，本技术公开的一种放大器负压保护电路，包括型号为WPM1483的PMOS管U1，PMOS管U1的源极接直流输入电压VCC，VCC的输入区间为+3.3V～+8V；且PMOS管U1的源极还并联接有电源滤波电容C1～C3，PMOS管U1的源极与栅极之间连接有限流电阻R1，R1的阻值大小根据实际电压设置。PMOS管U1的漏极输出放大器的VD电压，且PMOS管U1的漏极还并联接有电源滤波电容C4、C5。PMOS管U1的栅极接NPN型三极管U2的集电极，三极管U2的型号为FHT5551，其基极接地、漏极接VBE电压设置电阻R2、R3，电阻R3的另一端接地，电阻R2的另一端接型号为SGM2209的线性稳压器U3，线性稳压器的OUT引脚与NC引脚之间接LDO输出电压设置电阻R5；另一个线性稳压器输出电压设置电阻R6一端与线性稳压器的NC引脚相连且另一端接地。电阻R2和线性稳压器之间还并联接有电源滤波电容C6、C7；线性稳压器U3的OUT引脚还并联接有电源滤波电容C8、C9。
[0023]在电路中，线性稳压器的输入引脚端的输入电压为
‑
VCC，其电压范围为
‑
2.7V～
‑
24V的负压电。电路工作时，首先根据
‑
VCC以及放大器所需电压，调节R2、R3和R5、R6，使得U2的VBE能使U2达到饱和开启状态，放大器的VG电压达到放大器所需最佳范围区间。
[0024]当电路检测到
‑
VCC时，U2的B、E端口产生电压差，三极管饱和，故而U2的CE导通，U1的G端口和S端口产生电压差，S、D两端导通，电压导通，开关处于开启状态。
[0025]当电路未检测到
‑
VCC时，U2的VBE≈0V，IB≈0A，C、E两端截止，R1起上拉电阻作用，U1的G端口和S端口电压几乎相等，故U2的VGS的压差约等于0V，S、D两端截止，电压无法导通，VD＝0V，放大器不会处于工作状态，处于关断状态。
[0026]其中U1采用的是国产厂家韦尔半导体的器件WPM1483，U2采用的是国产厂家风华高科的器件FHT5551，LDO国产化厂家圣邦微电子的器件SGM2209，电阻电容均为国产厂家风华邦科的器件。整个电路结构简单化，且全部可采用国产化电子器件即可实现相应的功能，大大降低了电路的设计、制造成本。因此，与现有技术相比，本技术具有实质性的特点和进步。
[0027]上述实施例仅为本技术的优选实施方式之一，不应当用于限制本技术的保护范围，但凡在本技术的主体设计思想和精神上作出的毫无实质意义的改动或润色，其所解决的技术问题仍然与本技术一致的，均应当包含在本技术的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种放大器负压保护电路，其特征在于，包括一PMOS管，源极端接电源VCC，漏极端输出电压VD；一限流电阻，连接于PMOS管的栅极与源极之间；一三极管，集电极与PMOS管的栅极相连，基极接地；两个VBE电压设置电阻，一端共接后与三极管的发射极相连，用于设置三极管的VBE电压，其中一个VBE电压设置电阻的另一端接地；一线性稳压器，其输入端引脚与另一个VBE电压设置电阻的另一端相连；两个线性稳压器输出电压设置电阻，其中一个线性稳压器输出电压设置电阻连接于线性稳压器的OUT引脚与NC引脚之间；另一个线性稳压器输出电压设置电阻一端与线性稳压...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄智强，唐维，陈伟，
申请(专利权)人：成都厉行科技有限公司，
类型：新型
国别省市：