一种半导体扩散炉支撑环架制造技术

本实用新型专利技术提供一种半导体扩散炉支撑环架，用于在真空的法兰内支撑石英内管，生产6寸晶圆；包括底环1，中环2，上环3和压环4；所述底环1，中环2，上环3和压环4自下向上依次设置，所述中环2固定在底环1上；所述上环3固定在中环2上；所述压环4固定在上环3上；所述底环1，中环2，上环3和压环4均为环状设置，内径为190mm；本实用新型专利技术的有益效果：可实现8寸法兰安装6寸石英内管，8寸机台生产6寸晶圆，多元化生产，节约成本。成本。成本。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体扩散炉支撑环架


[0001]本技术主要涉及半导体扩散炉
，尤其涉及一种半导体扩散炉支撑环架。

技术介绍

[0002]随着半导体行业的飞速发展，晶片的精度要求越来越高，在晶圆生产环节中，扩散炉是一个非常关键的环节。而支撑环架又是法兰中重要部件，材料特殊，之前在国内各大公司都只能国外设计采购。国外的支撑环架不但价格高，而且交货周期长，严重影响到国内各大公司的生产效率。
[0003]国内目前的半导体行业扩散炉所使用的8寸法兰无法生产6寸晶圆，想要生产6寸晶圆，必须设计一款适合8寸法兰的支撑环架，可以用于6寸晶圆的生产。

技术实现思路

[0004]针对现有技术的上述缺陷，本技术提供一种半导体扩散炉支撑环架，用于在真空的法兰内支撑石英内管，生产6寸晶圆。
[0005]本技术提供一种半导体扩散炉支撑环架，包括底环1，中环2，上环3和压环4；
[0006]所述底环1，中环2，上环3和压环4自下向上依次设置，所述中环2固定在底环1上；所述上环3固定在中环2上；所述压环4固定在上环3上；
[0007]所述底环1，中环2，上环3和压环4均为环状设置，内径为190mm。
[0008]优选的，所述压环4外侧边缘还设置有压扣41，自压环4外侧边缘向外延伸设置。
[0009]优选的，所述上环3外侧边缘还设置有固定扣31，自上环3外侧边缘向外延伸设置。
[0010]优选的，所述压扣41和固定扣31各设置有三个，分别均布设置在压环4和上环3上。
[0011]优选的，所述上环3内径边缘还设置有安装槽32；所述安装槽32为圆弧状凹槽。
[0012]优选的，所述底环1上还固定设置有固定螺栓11。
[0013]本技术的有益效果：可实现8寸法兰安装6寸石英内管，8寸机台生产6寸晶圆，多元化生产，节约成本。
附图说明
[0014]图1为本技术机构示意图；
[0015]图2为本技术爆炸示意图；
[0016]图3为本技术侧视图；
[0017]图中，
[0018]1、底环，11、固定螺栓；2、中环；3、上环，31、固定扣，32、安装槽；4、压环，41、压扣。
具体实施方式
[0019]下面结合附图对本实用进行详细描述，本部分的描述仅是示范性和解释性，不应
对本技术的保护范围有任何的限制作用。
[0020]本技术提供一种半导体扩散炉支撑环架，包括底环1，中环2，上环3和压环4；
[0021]所述底环1，中环2，上环3和压环4自下向上依次设置，所述中环2固定在底环1上；所述上环3固定在中环2上；所述压环4固定在上环3上；
[0022]所述底环1，中环2，上环3和压环4均为环状设置，内径为190mm。
[0023]原厂的8寸法兰内径为240mm,故而将底环1，中环2，上环3和压环4的内径减少至190mm，即可对6寸晶圆进行生产。
[0024]本实施例中优选的，所述压环4外侧边缘还设置有压扣41，自压环4外侧边缘向外延伸设置。
[0025]本实施例中优选的，所述上环3外侧边缘还设置有固定扣31，自上环3外侧边缘向外延伸设置。
[0026]设置上述结构，与压环4上的压扣41配合，将压环4固定在上环3上。
[0027]本实施例中优选的，所述压扣41和固定扣31各设置有三个，分别均布设置在压环4和上环3上。
[0028]设置上述结构，对压环4和上环3进行均匀固定。
[0029]本实施例中优选的，所述上环3内径边缘还设置有安装槽32；所述安装槽32为圆弧状凹槽。
[0030]设置上述结构，用于固定喷头，喷头用于进行特殊氧化物的输入。
[0031]本实施例中优选的，所述底环1上还固定设置有固定螺栓11。
[0032]设置上述结构，通过固定螺栓11将底环1与中环2和上环3固定连接。
[0033]支撑环架是在真空的法兰内支撑石英内管，注入极的支架，使用温度到达1070度，在这样高温下通入CLF3，并且不能有腐蚀，在高温下，不能变形，所有生产材料非常特殊。而且与石英内管，注入极,TC的安装位置安装非常紧凑。
[0034]需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0035]以上所述的本技术实施方式，并不构成对本技术保护范围的限定。任何在本技术的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等，均应包含在本技术的权利要求保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体扩散炉支撑环架，包括底环(1)，中环(2)，上环(3)和压环(4)；其特征在于，所述底环(1)，中环(2)，上环(3)和压环(4)自下向上依次设置，所述中环(2)固定在底环(1)上；所述上环(3)固定在中环(2)上；所述压环(4)固定在上环(3)上；所述底环(1)，中环(2)，上环(3)和压环(4)均为环状设置，内径为190mm。2.根据权利要求1所述的半导体扩散炉支撑环架，其特征在于：所述压环(4)外侧边缘还设置有压扣(41)，自压环(4)外侧边缘向外延伸设置。3.根据权利要求2所述的半...

【专利技术属性】
技术研发人员：程宪良，
申请(专利权)人：无锡诺莱德智能科技有限公司，
类型：新型
国别省市：