提供一种高频模块和通信装置。高频模块(1)具备：模块基板(91)，其具有彼此相向的主面(91a及91b)；功率放大器(10A)，其放大发送信号；第一电路部件；以及PA控制电路(80)，其控制功率放大器(10A)，其中，功率放大器(10A)与PA控制电路(80)层叠在主面(91a)上，第一电路部件配置于主面(91b)。件配置于主面(91b)。件配置于主面(91b)。
【技术实现步骤摘要】
高频模块和通信装置
[0001]本申请是申请日为“2021年3月9日”、申请号为“2021205031800”、技术名称为“高频模块和通信装置”的申请的分案申请。
[0002]本技术涉及一种高频模块和通信装置。
技术介绍
[0003]在便携式电话等移动体通信设备中搭载有对高频发送信号进行放大的功率放大器。专利文献1中公开了一种具备传输发送信号的PA电路(发送放大电路)和传输接收信号的LNA电路(接收放大电路)的前端电路(RF模块)。在发送放大电路中配置有对功率放大器的放大特性进行控制的PA控制部，在接收放大电路中配置有对低噪声放大器的放大特性进行控制的LNA控制部。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开2018
‑
137522号公报
技术实现思路
[0007]技术要解决的问题
[0008]然而，在专利文献1中公开的RF模块中，由于输出高输出的发送信号的功率放大器的发热，在发送放大电路中会局部地发生温度上升，在功率放大器与PA控制部之间产生温度不均，因此产生功率放大器的输出特性劣化的问题。
[0009]本技术是为了解决上述问题而完成的，其目的在于提供一种使功率放大器的输出特性的劣化得以抑制的高频模块和通信装置。
[0010]用于解决问题的方案
[0011]为了实现上述目的，本技术的一个方式所涉及的高频模块具备：模块基板，其具有彼此相向的第一主面和第二主面；发送输入端子；接收输出端子；天线连接端子；功率放大器，其放大发送信号，连接于所述发送输入端子与所述天线连接端子之间的发送路径；低噪声放大器，其放大接收信号，连接于所述天线连接端子与所述接收输出端子之间的接收路径；控制电路，其控制所述功率放大器；以及第一开关，其连接于所述功率放大器与所述发送输入端子之间，其中，所述功率放大器与所述控制电路被层叠并且被配置于所述第一主面，所述低噪声放大器配置于所述第二主面。。
[0012]优选地，所述高频模块还具备配置于所述第二主面的多个外部连接端子。
[0013]优选地，所述控制电路包含于第一半导体集成电路，所述功率放大器与所述第一半导体集成电路被层叠并且被配置于所述第一主面，所述第一半导体集成电路包括所述第一开关。
[0014]优选地，所述功率放大器配置于所述第一主面，所述第一半导体集成电路层叠在
所述功率放大器上。
[0015]优选地，所述第一开关配置于所述第二主面。
[0016]优选地，所述第一开关包含于配置于所述第二主面的第二半导体集成电路，所述低噪声放大器包含于第三半导体集成电路，所述第三半导体集成电路不同于所述第二半导体集成电路，并且配置于所述第二主面。
[0017]优选地，在俯视所述高频模块的情况下，所述第二半导体集成电路配置于所述第三半导体集成电路与所述被层叠的所述功率放大器及所述控制电路之间。
[0018]优选地，所述高频模块还具备通路导体，所述通路导体与所述功率放大器的地电极连接，从所述第一主面起到达所述第二主面，所述通路导体在所述第二主面与所述多个外部连接端子中的被设定为地的外部连接端子连接。
[0019]优选地，所述高频模块还具备：第一发送滤波器；第二发送滤波器；以及第二开关，其在将所述功率放大器与所述第一发送滤波器连接以及将所述功率放大器与所述第二发送滤波器连接之间进行切换，所述第一半导体集成电路包含所述第二开关。
[0020]优选地，所述的高频模块还具备：第一发送滤波器；第二发送滤波器；以及第二开关，其在将所述功率放大器与所述第一发送滤波器连接以及将所述功率放大器与所述第二发送滤波器连接之间进行切换，所述第二半导体集成电路包含所述第二开关。
[0021]优选地，所述功率放大器具有第一放大元件和第二放大元件，所述高频模块还具备具有第一线圈和第二线圈的输出变压器，所述功率放大器和所述输出变压器构成了发送放大电路，所述第一线圈的一端与所述第一放大元件的输出端子连接，所述第一线圈的另一端与所述第二放大元件的输出端子连接，所述第二线圈的一端与所述发送放大电路的输出端子连接。
[0022]优选地，所述输出变压器配置于所述第一主面，在俯视所述模块基板的情况下，在所述第二主面上的与所述输出变压器重叠的区域没有配置电路部件。
[0023]优选地，所述输出变压器配置于所述第二主面，在俯视所述模块基板的情况下，在所述第一主面上的与所述输出变压器重叠的区域没有配置电路部件。
[0024]优选地，所述输出变压器形成于所述模块基板的所述第一主面与所述第二主面之间的内部，在俯视所述模块基板的情况下，在所述第一主面上的与所述输出变压器重叠的区域以及所述第二主面上的与所述输出变压器重叠的区域没有配置电路部件。
[0025]优选地，所述输出变压器形成于所述模块基板的所述第一主面与所述第二主面之间的内部，且形成为接近所述第一主面和所述第二主面中的一方，在俯视所述模块基板的情况下，在所述第一主面和所述第二主面中的所述一方的与所述输出变压器重叠的区域没有配置电路部件，在俯视所述模块基板的情况下，在所述第一主面和所述第二主面中的另一方的与所述输出变压器重叠的区域配置有电路部件。
[0026]本技术的一个方式所涉及的通信装置具备：天线；射频信号处理电路，其对利用所述天线发送接收的高频信号进行处理；以及上述的高频模块，其在所述天线与所述射频信号处理电路之间传输所述高频信号。
[0027]技术的效果
[0028]根据本技术，能够提供使功率放大器的输出特性的劣化得以抑制的高频模块和通信装置。
附图说明
[0029]图1是实施方式所涉及的高频模块和通信装置的电路结构图。
[0030]图2是发送放大电路的电路结构图。
[0031]图3A是实施例1所涉及的高频模块的平面结构概要图。
[0032]图3B是实施例1所涉及的高频模块的截面结构概要图。
[0033]图4A是变形例1所涉及的输出变压器的截面结构概要图。
[0034]图4B是变形例2所涉及的输出变压器的截面结构概要图。
[0035]图4C是变形例3所涉及的输出变压器的截面结构概要图。
[0036]图5是变形例4所涉及的高频模块的截面结构概要图。
[0037]图6A是实施例2所涉及的高频模块的平面结构概要图。
[0038]图6B是实施例2所涉及的高频模块的截面结构概要图。
具体实施方式
[0039]下面，详细说明本技术的实施方式。此外，下面说明的实施方式均表示总括性或具体的例子。下面的实施方式所示的数值、形状、材料、结构要素、结构要素的配置及连接方式等是一个例子，其主旨并不在于限定本技术。将下面的实施例和变形例的结构要素中的未记载于独立权利要求的结构要素作为任意的结构要素来进行说明。另外，附图所示的结构要素的大小或者大本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种高频模块，其特征在于，具备：模块基板，其具有彼此相向的第一主面和第二主面；发送输入端子；接收输出端子；天线连接端子；功率放大器，其放大发送信号，连接于所述发送输入端子与所述天线连接端子之间的发送路径；低噪声放大器，其放大接收信号，连接于所述天线连接端子与所述接收输出端子之间的接收路径；控制电路，其控制所述功率放大器；以及第一开关，其连接于所述功率放大器与所述发送输入端子之间，其中，所述功率放大器与所述控制电路被层叠并且被配置于所述第一主面，所述低噪声放大器配置于所述第二主面。2.根据权利要求1所述的高频模块，其特征在于，还具备配置于所述第二主面的多个外部连接端子。3.根据权利要求2所述的高频模块，其特征在于，所述控制电路包含于第一半导体集成电路，所述功率放大器与所述第一半导体集成电路被层叠并且被配置于所述第一主面，所述第一半导体集成电路包括所述第一开关。4.根据权利要求3所述的高频模块，其特征在于，所述功率放大器配置于所述第一主面，所述第一半导体集成电路层叠在所述功率放大器上。5.根据权利要求2所述的高频模块，其特征在于，所述第一开关配置于所述第二主面。6.根据权利要求5所述的高频模块，其特征在于，所述第一开关包含于配置于所述第二主面的第二半导体集成电路，所述低噪声放大器包含于第三半导体集成电路，所述第三半导体集成电路不同于所述第二半导体集成电路，并且配置于所述第二主面。7.根据权利要求6所述的高频模块，其特征在于，在俯视所述高频模块的情况下，所述第二半导体集成电路配置于所述第三半导体集成电路与所述被层叠的所述功率放大器及所述控制电路之间。8.根据权利要求2～7中的任一项所述的高频模块，其特征在于，还具备通路导体，所述通路导体与所述功率放大器的地电极连接，从所述第一主面起到达所述第二主面，所述通路导体在所述第二主面与所述多个外部连接端子中的被设定为地的外部连接端子连接。9.根据权利要求3或4所述的高频模块，其特征在于，还具备：第一发送滤波器；
第二发送滤波器；以及第二开关，其在将所述功率放大器与所述第一发送滤波器连接以及将所述功率放大器与所述第二发送滤波器连接之间进行切换，所述第一半导体集成电路包含所述第二开...
【专利技术属性】
技术研发人员：泽田曜一，篠崎崇行，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。