测试记忆体的方法及内建自我测试电路技术

技术编号:33727055 阅读:14 留言:0更新日期:2022-06-08 21:21
一种测试记忆体的方法及内建自我测试电路,对一记忆体巨集执行一内建自我测试包括产生多个输入向量。在多个周期中的每一者中向该记忆体巨集传输一个输入向量。该些输入向量中的每一者与一位元宽度相关联。产生该输入向量包括产生该位元宽度一半的一部分输入向量,及将该部分输入向量传输至该记忆体巨集的一前半部分及该记忆体巨集的一后半部分中的每一者。该方法亦包括:在该些周期中的每一者中接收来自该记忆体巨集的一输出数据,使得该输出数据由该记忆体巨集回应于对该部分输入向量的处理而产生;将该输出数据与一签章值进行比较;及基于该比较来判定该记忆体巨集是正常的或是有瑕疵的。或是有瑕疵的。或是有瑕疵的。

【技术实现步骤摘要】
测试记忆体的方法及内建自我测试电路


[0001]本揭示内容是关于一种测试记忆体的方法及内建自我测试电路。

技术介绍

[0002]本揭示内容大体是关于记忆体系统,尤其是关于在记忆体系统中执行内建自我测试。
[0003]深度学习演算法根据预定义的重要性参数或多个属性的权重评估数据集。此类评估的特征为需要大量乘法与累加(Multiply

and

Accumulate,MAC)运算的加权方法。在一些实施例中,离散逻辑电路可用于实施MAC运算。然而,此类逻辑电路需要高能量(例如,功率)、大电路实施,且效能可能受到限制。记忆体内计算(Compute in Memory,CIM)是一种很有前途的深度学习应用的节能解决方案。CIM用以除了储存数据集及权重之外,亦执行MAC运算。CIM亦很容易整合至记忆体系统中。然而,在CIM中执行内建自我测试(Built

In Self

Test,BIST)存在挑战。

技术实现思路

[0004]本揭示内容包含一种测试记忆体的方法。方法包括:通过一内建自我测试电路产生多个输入向量,用于传输至一记忆体巨集以用于测试记忆体巨集。在多个周期中的每一者中将输入向量中的一个输入向量传输至记忆体巨集。输入向量中的每一者与一位元宽度相关联。产生一个输入向量包括产生位元宽度一半的一部分输入向量,及将部分输入向量传输至记忆体巨集的一前半部分及记忆体巨集的一后半部分中的每一者。方法亦包括通过内建自我测试电路在周期中的每一者中接收来自记忆体巨集的一输出数据。回应于对部分输入向量的处理,由记忆体巨集产生输出数据。方法进一步包括通过内建自我测试电路,将周期中的每一者中的输出数据与一签章值进行比较,及通过内建自我测试电路,基于比较判定记忆体巨集是正常的或是有瑕疵的。
[0005]本揭示内容包含一种测试记忆体的方法。方法包括:通过一内建自我测试电路产生一输入向量,用于传输至一记忆体巨集以用于在多个周期中测试记忆体巨集;通过内建自我测试电路在周期中的每一者中产生多个权重,用于写入至记忆体巨集的一前半部分,及将权重的一2的补数写入至记忆体巨集的一后半部分;及通过内建自我测试电路在周期中的每一者中接收来自记忆体巨集的一输出数据。回应于在输入向量及权重与输入向量及权重的2的补数之间执行一乘法与累加运算,由记忆体巨集产生周期中的每一者的输出数据。方法亦包括通过内建自我测试电路,将周期中的每一者中的输出数据与一签章值进行比较,签章值与周期中的一各别者相关联,及通过内建自我测试电路,基于比较判定记忆体巨集是正常的或是有瑕疵的。
[0006]本揭示内容包含一种内建自我测试电路。内建自我测试电路包括:一记忆体,计算机可读指令储存于其上;及一处理器,执行计算机可读指令以产生一输入向量且将输入向量传输至一记忆体巨集以用于测试记忆体巨集。输入向量包含为输入向量指定的一位元宽
度一半的一部分输入向量,且部分输入向量被传输至记忆体巨集的一前半部分及记忆体巨集的一后半部分中的每一者。处理器进一步执行等计算机可读指令以产生多个权重且将权重传输至记忆体巨集的前半部分,且将权重的一2的补数传输至记忆体巨集的后半部分,及自记忆体巨集的前半部分接收第一输出数据。回应于在部分输入向量与权重之间执行一第一乘法与累加运算,通过记忆体巨集产生第一输出数据。处理器进一步执行等计算机可读指令以自记忆体巨集的后半部分接收第二输出数据。回应于在部分输入向量与权重的2的补数之间执行一第二第一乘法与累加运算,通过记忆体巨集产生第二输出数据。此外,处理器执行等计算机可读指令以计算第一输出数据及第二输出数据的一和,及基于和为一预定值,判定记忆体巨集正常。
附图说明
[0007]当与附图一起阅读时,可自以下详细描述最佳地理解本揭示内容的各个态样。应注意,根据行业标准惯例,各种特征并未按比例绘制。事实上,为了便于论述,可任意增加或减少各种特征的尺寸。
[0008]图1是根据本揭示内容的一些实施例的用以在记忆体内计算(CIM)巨集中执行内建自我测试(BIST)的计算系统的实例方块图;
[0009]图2是根据本揭示内容的一些实施例的用于对CIM巨集实施BIST的图1的计算系统的BIST电路的实例方块图;
[0010]图3是根据本揭示内容的一些实施例的展示由图2的BIST电路实施的BIST的额外细节的实例方块图;
[0011]图4是根据本揭示内容的一些实施例的概述由图2的BIST电路执行以用于对CIM巨集实施宽边输入型样BIST方法的程序操作的实例流程图;
[0012]图5是根据本揭示内容的一些实施例的展示由图2的BIST电路用于产生权重以对CIM巨集实施BIST的初始权重暂存器及有效权重暂存器的实例方块图;
[0013]图6是根据本揭示内容的一些实施例的概述由图2的BIST电路执行以用于对CIM巨集实施权重作为记忆体背景BIST方法的程序操作的实例流程图;
[0014]图7是根据本揭示内容的一些实施例的概述由图2的BIST电路执行以用于对CIM巨集实施多背景权重BIST方法的程序操作的实例流程图;
[0015]图8是根据本揭示内容的一些实施例的概述由图2的BIST电路执行以用于对CIM巨集实施无瑕疵CIM结果BIST方法的程序操作的实例流程图。
[0016]【符号说明】
[0017]100:计算系统
[0018]105:主装置
[0019]110:记忆体装置
[0020]115:输入装置
[0021]120:输出装置
[0022]125A~125C:接口
[0023]130A:中央处理单元(CPU)核心
[0024]130N:中央处理单元(CPU)核心
[0025]135:内建自我测试(BIST)应用程序
[0026]140:内建自我测试(BIST)电路
[0027]145:记忆体控制器
[0028]150:记忆体阵列
[0029]155:记忆体内计算(CIM)巨集
[0030]160:数据产生器
[0031]165:输入
[0032]170:内建自我测试(BIST)有限状态机(FSM)
[0033]175:多工器
[0034]180:输入
[0035]185:输入
[0036]190:致能信号
[0037]195:输出
[0038]200:权重产生器
[0039]205:输入
[0040]210:输入
[0041]215:地址产生器
[0042]220:多工器
[0043]225:输入
[0044]230:输入
[0045]235:输出
[0046]240:输入
[0047]245:多工器
[0048]250:输入
[0049]255:输入
[0050本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种测试记忆体的方法,其特征在于,包含:通过一内建自我测试电路产生多个输入向量,该些输入向量用于传输至一记忆体巨集以用于测试该记忆体巨集,其中在多个周期中的每一者中将该些输入向量中的一个输入向量传输至该记忆体巨集,其中该些输入向量中的每一者与一位元宽度相关联,且其中产生该一个输入向量包含:产生该位元宽度一半的一部分输入向量;及将该部分输入向量传输至该记忆体巨集的一前半部分及该记忆体巨集的一后半部分中的每一者;通过该内建自我测试电路在该些周期中的每一者中接收来自该记忆体巨集的一输出数据,其中回应于对该部分输入向量的处理,由该记忆体巨集产生该输出数据;通过该内建自我测试电路,将该些周期中的每一者中的该输出数据与一签章值进行比较;及通过该内建自我测试电路,基于该比较判定该记忆体巨集是正常的或是有瑕疵的。2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,进一步包含:在该记忆体巨集的该前半部分中写入多个权重,及在该记忆体巨集的该后半部分中写入该些权重的一2的补数。3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,进一步包含:在该记忆体巨集的该前半部分及该记忆体巨集的该后半部分中的每一者中写入多个权重值,其中该些权重值中除一个外的所有权重值均为零。4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,该些输入向量在该些周期中的每一者中包含一不同的输入向量,且其中该不同的输入向量中的每一者与用于与该输出数据进行比较的一不同签章值相关联。5.一种测试记忆体的方法,其特征在于,包含:通过一内建自我测试电路产生一输入向量,该输入向量用于传输至一记忆体巨集以用于在多个周期中测试该记忆体巨集;通过该内建自我测试电路在该些周期中的每一者中产生多个权重,用于写入至该记忆体巨集的一前半部分,及将该些权重的一2的补数写入至该记忆体巨集的一后半部分;通过该内建自我测试电路在该些周期中的每一者中接收来自该记忆体巨集的一输出数据,其中回应于在该输入向量及该些权重与该输入向量及该些权重的该2的补数之间执行一乘法与累加运算,由该记忆体巨集产生该些周期中的每一者的该输出数据;通过该内建自我测试电路,将该些周期中的每一者中的该输出数据与一签章值进行比较,该签章值与该些周期中的一各别者相关联;及通过该内建...

【专利技术属性】
技术研发人员:黄国达阿德汗
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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