【技术实现步骤摘要】
显示基板、制作方法和显示装置
[0001]本专利技术涉及显示
,尤其涉及一种显示基板、制作方法和显示装置。
技术介绍
[0002]车载OLED(有机发光二极管)显示产品相比较于手机端显示产品,工作环境恶劣,长时间显示静止画面,使得车载OLED显示产品信耐性大受考验。在实际操作时,车载OLED显示产品容易出现黑画面显示异常。相关的车载OLED显示产品使用典型的7T1C像素电路。在所述车载OLED显示产品长期显示黑画面时,用于数据写入的晶体管的栅源电压更靠近阈值电压,因此若所述用于数据写入的晶体管的阈值电压正向偏移,会导致在显示阶段,所述用于数据写入的晶体管无法关闭而引起数据写入节点(所述数据写入节点与所述像素电路包括的驱动电路的第一端电连接)的电位拉高导致黑画面显示时异常发光的现象发生。
技术实现思路
[0003]本专利技术的主要目的在于提供一种显示基板、制作方法和显示装置,解决相关的显示装置显示黑画面时异常显示的问题。
[0004]为了达到上述目的,本专利技术实施例提供了一种显示基板,包括衬底基板,以及,设置于所述衬底基板的显示区域的多行多列像素电路;所述显示基板包括沿着远离所述衬底基板的方向依次层叠设置的第一导电层、半导体层和第一栅极金属层;
[0005]所述像素电路包括发光元件、数据写入电路和驱动电路;所述数据写入电路包括第一晶体管;
[0006]所述第一晶体管的第一栅极与扫描线电连接,所述第一晶体管的第二栅极与控制电压线电连接;所述第一晶体管的第二栅极包含于所述第一 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种显示基板,其特征在于,包括衬底基板,以及,设置于所述衬底基板的显示区域的多行多列像素电路;所述显示基板包括沿着远离所述衬底基板的方向依次层叠设置的第一导电层、半导体层和第一栅极金属层;所述像素电路包括发光元件、数据写入电路和驱动电路;所述数据写入电路包括第一晶体管;所述第一晶体管的第一栅极与扫描线电连接,所述第一晶体管的第二栅极与控制电压线电连接;所述第一晶体管的第二栅极包含于所述第一导电层,所述第一晶体管的第一栅极包含于所述第一栅极金属层;所述第一晶体管的有源层包含于所述半导体层;所述第一晶体管的第一电极与数据线电连接,所述第一晶体管的第二电极与所述驱动电路的第一端电连接;所述驱动电路的第二端与所述发光元件电连接,所述驱动电路用于驱动所述发光元件发光。2.如权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述控制电压线为直流电压线;所述显示基板还包括设置于所述第一栅极金属层背向所述衬底基板的一面的源漏金属层;所述直流电压线包含于所述源漏金属层;所述第一晶体管的第二栅极通过过孔与所述直流电压线电连接。3.如权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述控制电压线与所述扫描线接入相同的扫描信号;所述扫描线包含于所述第一栅极金属层;所述控制电压线与所述第一晶体管的第二栅极位于同一层,所述控制电压线与所述第一晶体管的第二栅极电连接。4.如权利要求1至3中任一权利要求所述的显示基板,其特征在于,所述第一晶体管的第二栅极在所述衬底基板上的正投影覆盖所述第一晶体管的有源层包括的沟道区在所述衬底基板上的正投影。5.如权利要求1至3中任一权利要求所述的显示基板,其特征在于,所述第一导电层为钼金属层或铝合金层。6.如权利要求1至3中任一权利要求所述的显示基板,其特征在于,所述导电层复用为遮光层。7.如权利要求1至3中任一权利要求所述的显示基板,其特征在于,所述像素电路还包括第一初始化电路和补偿控制电路;所述第一初始化电路包括第二晶体管,所述补偿控制电路包括第三晶体管;所述第二晶体管的第一栅极和所述第二晶体管的第二栅极都与复位控制线电连接,所述第二晶体管的第一电极与初始电压线电连接,所述第二晶体管的第二电极与所述驱动电路的控制端电连接;所述第三晶体管的第一栅极和所述第三晶体管的第二栅极与所述扫描线电连接,所述第三晶体管的第一电极与所述驱动电路的控制端电连接,所述第三晶体管的第二电极与所述驱动电路的第二端电连接;所述第二晶体管的第一栅极、所述第二晶体管的第二栅极、所述第三晶体管的第一栅极和所述第三晶体管的第二栅极都包含于所述第一栅极金属层;所述第二晶体管的有源层和所述第三晶体管的有源层都包含于所述半导体层。8.如权利要求7所述的显示基板,其特征在于,所述驱动电路包括驱动晶体管,所述驱动晶体管的栅极为所述驱动电路的控制端,所述驱动晶体管的第二电极为所述驱动电路的
第二端;所述复位控制线和所述扫描线都包含于第一栅极金属层;所述显示基板还包括依次层叠设置于所述第一栅极金属层远离所述衬底基板的一面的第二栅极金属层和源漏金属层;所述初始电压线包含于所述第二栅极金属层;所述第二晶体管的第一电极、所述第二晶体管的第二电极、所述第三晶体管的第一电极、所述第三晶体管的第二电极、所述驱动晶体管的第一电极和所述驱动晶体管的第二电极包含于所述半导体层;所述第二晶体管的第一电极与第一导电连接图形电连接,所述第一导电连接图形包含于所述源漏金属层,所述第一导电连接图形与所述初始电压线电连接,以使得所述第二晶体管的第一电极与所述初始电压线电连接;所述驱动晶体管的栅极包含于所述第一栅极金属层,所述第二晶体管的第二电极与第二导电连接图形电连接,所述第二导电连接图形包含于所述源漏金属层,所述第二导电连接图形与驱动晶体管的栅极电连接,以使得所述第二晶体管的第二电极与所述驱动晶体管的栅极电连接;所述第三晶体管的第一电极与所述第二晶体管的第...
【专利技术属性】
技术研发人员:张云鹏,景阳钟,
申请(专利权)人:成都京东方光电科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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