封装结构制造技术

一种封装结构，包括载板、重布线层以及定位层。重布线层位于载板上，且包括：介电层、导电图案以及接垫。导电图案位于介电层中。接垫位于介电层上，且电性连接导电图案。定位层位于重布线层上，且具有开口。开口于载板的正投影重叠接垫于载板的正投影，且定位层的高度大于接垫的高度。于接垫的高度。于接垫的高度。

【技术实现步骤摘要】
封装结构


[0001]本专利技术涉及一种封装结构。

技术介绍

[0002]随着集成电路朝向高效能、高密度、低功耗及小尺寸的方向发展，使得前瞻封装的开发也跟着加速。目前，扇出型晶片级封装(Fan
‑
out wafer level package，FOWLP)可应用于高阶产品。为了降低价格及提高生产率，相关业者亦积极开发扇出型面板级封装(Fan
‑
out panel level package，FOPLP)技术。
[0003]然而，由于机械取放(Pick&Place)的误差及介电层材料的热胀冷缩，FOPLP技术仍有芯片偏移(Die shift)的问题，导致芯片无法精确接合于重布线层(Redistribution layer，RDL)上，而且，当载板面积愈大时，芯片偏移的幅度愈大，造成封装良率难以提升。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种封装结构，具有提高的封装良率。
[0005]本专利技术的一个实施例提出一种封装结构，包括：载板；重布线层，位于载板上，且包括：介电层；导电图案，位于介电层中；以及接垫，位于介电层上，且电性连接导电图案；以及定位层，位于重布线层上，且具有开口，其中，开口于载板的正投影重叠接垫于载板的正投影，且定位层的高度大于接垫的高度。
[0006]在本专利技术的一实施例中，上述的定位层的热膨胀系数小于介电层的热膨胀系数。
[0007]在本专利技术的一实施例中，上述的定位层的热膨胀系数小于40ppm/℃。
[0008]在本专利技术的一实施例中，上述的定位层的厚度大于介电层的厚度。
[0009]在本专利技术的一实施例中，上述的定位层的厚度介于10μm至100μm。
[0010]在本专利技术的一实施例中，上述的定位层的顶面高度高于接垫的顶面高度。
[0011]在本专利技术的一实施例中，上述的定位层的材料为聚酰亚胺(PI)、聚苯并恶唑(PBO)、环氧树脂或硅氧烷(siloxane)。
[0012]在本专利技术的一实施例中，上述的封装结构，还包括芯片，位于定位层的开口中，且电性连接接垫。
[0013]在本专利技术的一实施例中，上述的芯片具有宽度Y，接垫具有宽度X，且开口的口径介于(Y+1/2X)至(Y+2X)之间。
[0014]在本专利技术的一实施例中，上述的定位层的顶面高度低于芯片的顶面高度。
[0015]本专利技术的有益效果在于，本专利技术的封装结构通过设置具有开口的定位层于重布线层上，能够在后续芯片接合的过程中调整芯片的偏移幅度与方位，使得芯片的引脚能够精准对接于重布线层的接垫，从而提高封装结构的良率。
[0016]为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图作详细说明如下。
附图说明
[0017]图1是依照本专利技术一实施例的封装结构的剖面示意图。
[0018]图2A是依照本专利技术一实施例的封装结构的局部俯视示意图。
[0019]图2B是沿图2A的剖面线A
‑
A
’
所作的剖面示意图。
[0020]附图标记如下：
[0021]10、20：封装结构
[0022]110：载板
[0023]120：重布线层
[0024]130：定位层
[0025]130T：顶面
[0026]140：芯片
[0027]140T：顶面
[0028]141：引脚
[0029]A
‑
A
’
：剖面线
[0030]C1、C2、C3：导电图案
[0031]CL：连接材
[0032]G：间隙
[0033]H1：厚度/高度
[0034]H2、H4：高度
[0035]H3：厚度
[0036]HI1、HI2、HI3：厚度
[0037]I1、I2、I3：介电层
[0038]OP：开口
[0039]PD：接垫
[0040]PT：顶面
[0041]SW：侧壁
[0042]V1、V2、V3：通孔
[0043]W：口径
[0044]X：宽度
[0045]Y：宽度
具体实施方式
[0046]在附图中，为了清楚起见，放大了层、膜、面板、区域等的厚度。在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的元件。应当理解，当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为在另一元件“上”或“连接到”另一元件时，其可以直接在另一元件上或与另一元件连接，或者中间元件可以也存在。相反地，当元件被称为“直接在另一元件上”或“直接连接到”另一元件时，不存在中间元件。如本文所使用的，“连接”可以指物理及/或电性连接。再者，“电性连接”或“耦合”可为二元件间存在其它元件。
[0047]这里使用的术语仅仅是为了描述特定实施例的目的，而不是限制性的。如本文所
使用的，除非内容清楚地指示，否则单数形式“一”、“一个”和“该”旨在包括复数形式，包括“至少一个”或表示“及/或”。如本文所使用的，术语“及/或”包括一个或多个相关所列项目的任何和所有组合。还应当理解，当在本说明书中使用时，术语“包含”及/或“包括”指定所述特征、区域、整体、步骤、操作、元件及/或部件的存在，但不排除一个或多个其它特征、区域、整体、步骤、操作、元件、部件及/或其组合的存在或添加。
[0048]此外，诸如“下”或“底部”和“上”或“顶部”的相对术语可在本文中用于描述一个元件与另一元件的关系，如图所示。应当理解，相对术语旨在包括除了图中所示的方位之外的装置的不同方位。例如，如果一个附图中的装置翻转，则被描述为在其他元件的“下”侧的元件将被定向在其他元件的“上”侧。因此，示例性术语“下”可以包括“下”和“上”的取向，取决于附图的特定取向。类似地，如果一个附图中的装置翻转，则被描述为在其它元件“下”或“下方”的元件将被定向为在其它元件“上方”。因此，示例性术语“下”或“下方”可以包括上方和下方的取向。
[0049]考虑到所讨论的测量和与测量相关的误差的特定数量(即，测量系统的限制)，本文使用的“约”、“近似”、或“实质上”包括所述值和在本领域普通技术人员确定的特定值的可接受的偏差范围内的平均值。例如，“约”可以表示在所述值的一个或多个标准偏差内，或
±
30％、
±
20％、
±
10％、
±
5％内。再者，本文使用的“约”、“近似”、或“实质上”可依光学性质、蚀刻性质或其它性质，来选择较可接受的偏差范围或标准偏差，而可不用一个标准偏差适用全部性质。
[0050]图1是依照本专利技术一实施例的封装结构10的剖面示意图。封装结构10包括：载板110；重布线层120，位于载板110上，且包括：介电层I1；导电图案C1，位于介电层I1中；以及接垫PD，位于介电层I1上，且电性连接导电图案C1；以及定位层130，位于重本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种封装结构，包括：载板；重布线层，位于所述载板上，且包括：介电层；导电图案，位于所述介电层中；以及接垫，位于所述介电层上，且电性连接所述导电图案；以及定位层，位于所述重布线层上，且具有开口，其中，所述开口于所述载板的正投影重叠所述接垫于所述载板的正投影，且所述定位层的高度大于所述接垫的高度。2.如权利要求1所述的封装结构，其中所述定位层的热膨胀系数小于所述介电层的热膨胀系数。3.如权利要求1所述的封装结构，其中所述定位层的热膨胀系数小于40ppm/℃。4.如权利要求1所述的封装结构，其中所述定位层的厚度大于所述介电层的厚度。5.如权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：李啸澐，萧夏彩，林泓均，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：