【技术实现步骤摘要】
电容DAC多列共用SAR/SS列并行ADC及应用
[0001]本专利技术属于CMOS图像传感器读出转换电路
,具体涉及一种电容DAC多列共用SAR/SS列并行ADC。本专利技术还涉及一种利用电容DAC多列共用SAR/SS列并行ADC进行图像传感器列并行数据转换的方法。本专利技术另还涉及一种利用电容DAC多列共用SAR/SS列并行ADC进行图像传感器数字相关双采样的方法。
技术介绍
[0002]随着CMOS工艺水平和设计技术的不断发展,CMOS图像传感器的性能得到极大提高,其在功耗、成本及易集成等方面的优势使它几乎完全占据消费电子产品领域,并在高端应用领域中也在展现了极强的竞争力。CMOS图像传感器通常采用列并行处理方式,因为其实现了面积和转换速度的折衷,而且具有结构简单、易于扩展的优点,其中模数转换器(Analog
‑
to
‑
Digital Converter,ADC)是其中的核心模块。
[0003]随着CMOS图像传感器应用领域的不断扩展,对列并行CMOS图像传感器的性能要求也越来越苛刻,尤其是像素尺寸的日益缩小和帧频要求的不断提高,经典单斜坡(Single
‑
Slope)ADC已不能满足要求,两步式ADC这种通过相同或者不同的两种量化方式来一起完成量化,使得特征折中和性能提高成为可能。基于两步式逐次逼近(Successive Approximation Register,SAR)SS ADC,可以有效提高A/D转换速度,但是其中的电容数模转换器( ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.电容DAC多列共用SAR/SS列并行ADC,其特征在于,包括多列采样开关(5),每列采样开关(5)的输出端各连接有一采样电容(6)和一比较器(7),多列比较器(7)的另一输入端共同连接有多列共用电容阵列(8),多列共用电容阵列(8)上连接有多列共用SAR逻辑电路(9),多列共用SAR逻辑电路(9)同时与多列比较器(7)的输出端相连并连接有多列SAR量化寄存器(11),每列比较器(7)的输出端还各连接有一SS量化寄存器(10),多列SS量化寄存器(10)的输出端与多列SAR量化寄存器(11)的输出端共同连接有数据选择器(12),多列共用电容阵列(8)上还依次连接有列共用电压基准电路(1)、列共用偏置电路(2)、与多列采样电容(6)的另一端均连接的列共用斜坡电压产生电路(3)及列共用数字控制电路(4),列共用数字控制电路(4)还分别与多列共用SAR逻辑电路(9)、多列SS量化寄存器(10)、多列SAR量化寄存器(11)以及数据选择器(12)连接。2.如权利要求1所述的电容DAC多列共用SAR/SS列并行ADC,其特征在于,所述采样开关(5)的输出端均与同列采样电容(6)的上极板相连接,列共用斜坡电压产生电路(3)分别与多列采样电容(6)的下极板相连接。3.如权利要求2所述的电容DAC多列共用SAR/SS列并行ADC,其特征在于,所述采样开关(5)的输入端连接输入V
in
。4.利用如权利要求3所述的电容DAC多列共用SAR/SS列并行ADC进行图像传感器列并行数据转换的方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1、采样电容(6)的下极板保持斜坡电压输出初始值不变,每一列的采样开关(5)将输入V
in
采样至采样电容(6)的上极板并与比较器(7)的一个输入端V
S
相连,比较器(7)的另一个输入端V
D
保持初值不变;步骤2、完成采样后开始量化,斜坡电压输出保持不变则比较器(7)输入端V
S
保持不变,多列共用电容阵列(8)和多列共用SAR逻辑电路(9)的H列依次进行SAR量化,多列共用SAR逻辑电路(9)控制多列共用电容阵列(8)使V
D
逐次逼近V
S
,得到量化结果D
C
保存到对应列的SAR量化寄存器(11)中,经过H个SAR量化过程得到H列粗量化结果,各列中V
S
均大于V
D
;步骤3、各列的高位粗量化结束后,各列中的V
D
保持其高位量化结果对应的电压不变,斜坡电压开始随时间线性下降同时开始计数,V
S
跟随斜坡电压同步下降,各列比较器(7)持续比较V
D
和V
S
,当某一列的V
S
由大于V
D
变为小于V
D
时,比较器(7)输出发生翻转使SS量化寄存器(10)保存当前的计数值D
F
,即为该列的低位量化结果,斜坡电压下降结束后所有列的低位量化结束;步骤4、在列共用数字控制电路(4)的控制下将高P位的高位量化和低位Q位的低位量化结果合并为N位的量化结果选择输出,完成了所有列的模数转换。5.利用如权利要求3所述的电容DAC多列共用SAR/SS列并行ADC进行图像传感器数字相...
【专利技术属性】
技术研发人员:张鹤玖,吕楠,余宁梅,郭仲杰,袁璐,方志超,高鑫,苏家浩,
申请(专利权)人:西安理工大学,
类型:发明
国别省市:
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