至初级开关以编程存储器单元的电源电压的选择性过驱动制造技术

本申请涉及至初级开关以编程存储器单元的电源电压的选择性过驱动。一种电路包含以操作方式与存储器阵列耦合的线性调节器，所述线性调节器包含用以产生能够用于编程所述存储器阵列的存储器单元的调节电压的初级开关。第一数模转换器DAC包含与所述线性调节器耦合的输出。泵调节器以操作方式与电荷泵耦合，其中所述电荷泵用于将电源电压提供到所述线性调节器。第二DAC包含与所述泵调节器耦合的输出。以操作方式与所述第一DAC和所述第二DAC耦合的控制逻辑用于执行包含以下各项的操作：使第一数字输入值提供到所述第一DAC，以选择性地使所述电源电压上的噪声平滑；及使第二数字输入值提供到所述第二DAC，以基于可编程偏移值选择性地调整所述电源电压。选择性地调整所述电源电压。选择性地调整所述电源电压。

【技术实现步骤摘要】
至初级开关以编程存储器单元的电源电压的选择性过驱动


[0001]本公开的实施例大体上涉及存储器子系统，且更确切地说，涉及去往初级开关以编程存储器单元的电源电压的选择性过驱动。

技术介绍

[0002]存储器子系统可包含存储数据的一或多个存储器装置。存储器装置可为例如非易失性存储器装置和易失性存储器装置。一般来说，主机系统可以利用存储器子系统在存储器装置处存储数据且从存储器装置检索数据。

技术实现思路

[0003]本申请的一方面涉及一种电路，其包括：线性调节器，其以操作方式与存储器阵列耦合，所述线性调节器包括初级开关，用以产生可用于编程所述存储器阵列的存储器单元的调节电压；第一数模转换器(DAC)，其具有与所述线性调节器耦合的输出；泵调节器，其以操作方式与电荷泵耦合，其中所述电荷泵将电源电压提供到所述线性调节器；第二DAC，其具有与所述泵调节器耦合的输出；及控制逻辑，其以操作方式与所述第一DAC和所述第二DAC耦合，所述控制逻辑执行包括以下各项的操作：使第一数字输入值提供到所述第一DAC，以选择性地使所述电源电压上的噪声平滑；及使第二数字输入值提供到所述第二DAC，以基于可编程偏移值选择性地调整所述电源电压。
[0004]本申请的另一方面涉及一种存储器装置，其包括：存储器阵列，其包括存储器单元；线性调节器，其以操作方式与所述存储器阵列耦合，所述线性调节器包括初级开关，用以产生可用于编程所述存储器单元的调节电压；第一数模转换器(DAC)，其具有与所述线性调节器耦合的输出；比较器，其具有耦合到电荷泵的输出，所述电荷泵用于将电源电压提供到所述线性调节器；第二DAC，其具有与所述比较器耦合的输出；及控制逻辑，其以操作方式与所述第一DAC和所述第二DAC耦合，所述控制逻辑执行包括以下各项的操作：使第一数字输入值提供到所述第一DAC，以选择性地使所述电源电压上的噪声平滑；及使第二数字输入值提供到所述第二DAC，以基于可编程偏移值选择性地调整所述电源电压。
[0005]本申请的又一方面涉及一种存储器装置，其包括：存储器阵列，其包括存储器单元；线性调节器，其以操作方式与所述存储器阵列耦合，所述线性调节器包括：晶体管，其用于产生调节电压以对所述存储器阵列进行编程；及运算放大器，其用于驱动所述晶体管的栅极，所述运算放大器接收来自所述晶体管的源极的反馈电压及参考电压作为输入；第一数模转换器(DAC)，其具有与所述线性调节器耦合的输出并且用于供应所述参考电压；电荷泵，其用于将电源电压提供到所述线性调节器；及控制逻辑，其以操作方式与所述第一DAC耦合，所述控制逻辑用于执行包括以下的操作：使第一数字输入值提供到所述第一DAC，以选择性地使所述电源电压上的噪声平滑。
附图说明
[0006]根据下文给出的详细描述和本公开的各个实施例的附图，将更充分地理解本公开。
[0007]图1为根据一些实施例的包含存储器子系统的实例计算系统。
[0008]图2A为根据实施例的与存储器子系统的存储器子系统控制器通信的存储器装置的框图。
[0009]图2B说明根据一些实施例的图2A的存储器装置的存储器阵列的简化部分。
[0010]图3A至3B为根据各种实施例的具有选择性过驱动组件的实例存储器装置的框图。
[0011]图4为根据各种实施例的包含当调节电压和电源电压两者随编程算法执行而变化时可如何将过驱动施加到电源电压的实例的曲线图。
[0012]图5为根据一或多个实施例的包含在使用线性调节器之前和之后的调节电压和本地字线(LWL)电压的表示的实例曲线图。
[0013]图6为根据一或多个实施例的基于可编程偏移值选择性地调整用于编程存储器单元的电源电压的实例方法的流程图。
[0014]图7为本公开的实施方案可在其中操作的实例计算机系统的框图。
具体实施方式
[0015]本公开的各方面涉及用于编程存储器单元的电源电压到初级开关的选择性过驱动。存储器子系统可为存储装置、存储器模块，或存储装置和存储器模块的混合。下文结合图1描述存储装置和存储器模块的实例。一般来说，主机系统可利用包含一或多个组件(例如存储数据的存储器装置)的存储器子系统。主机系统可以提供将存储在存储器子系统处的数据且可以请求将从存储器子系统检索的数据。
[0016]存储器子系统可包含高密度非易失性存储器装置，其中当没有电力被供应到存储器装置时需要数据的保持。非易失性存储器装置的一个实例是与非(NAND)存储器装置。下文参考图1描述非易失性存储器装置的其它实例。非易失性存储器装置为一或多个存储器裸片的封装。每一裸片可以由一或多个平面组成。对于一些类型的非易失性存储器装置(例如，NAND装置)，每一平面由一组物理块组成。每一块由一组页组成。每一页由一组存储器单元(“单元”)组成。单元是存储信息的电子电路。取决于单元类型，单元可以存储一或多位二进制信息，且具有与正存储的位数相关的各种逻辑状态。逻辑状态可由二进制值(例如“0”和“1”)或此类值的组合表示。
[0017]存储器装置可由布置在二维栅格或三维栅格中的位组成。将存储器单元形成到列(下文也称为“位线”)和行(下文也称为“字线”)的阵列中的硅晶片上。字线可以指存储器装置的存储器单元的一或多个行，所述一或多个行与一或多个位线一起使用以生成存储器单元中的每一者的地址。位线和字线的相交点构成存储器单元的地址。在一些实施例中，本地字线(LWL)参考个别地可编程的单个行的存储器单元。多个本地字线(LWL)，一个每阵列存储器块可以多对一关系连接到对应全局字线(GWL)，例如使得可经由GWL控制对应LWL，如将详细地论述。
[0018]为了将数据编程到存储器子系统，存储器装置的本地媒体控制器可使由裸片上电荷泵和电荷泵调节器产生的电压跨越NAND装置的栅极施加，以在NAND装置的浮动栅极中捕
获电荷(例如，电子)。本地媒体控制器可使电压以被称为编程脉冲的一或多个脉冲施加到与存储器单元相关联的字线。电压的量和每一脉冲的宽度可决定将存储在NAND装置处并继而对NAND的存储器单元的状态进行编程的电荷的量。可将一系列脉冲施加到字线以便将存储器单元逐渐升高到目标阈值电压(Vt)，同时不过度编程存储器单元。本地媒体控制器将等待脉冲时间(tP)以确保每一脉冲到达字线的末端，这可要求脉冲的编程电压从GWL完全传递到LWL而无电压损耗。
[0019]因此，本地媒体控制器将使用串驱动器(SD)晶体管或类似供电开关或晶体管并经由最高可能编程电源电压(下文称为“电源电压”)将编程电压从GWL传递到LWL。SD晶体管可按照某些规范专门设计，例如，特定的最大栅极到源极电压规范(Vgs)、特定的最大漏极到源极电压规范(Vds)和特定的阈值电压规范参数。由于对NAND存储器的当前和未来节点的扩展要求，这些规范不断发展，从而产生额外的工程成本和更新以便满足这些要求。举例来说，如果栅极电压Vg不够高，则SD晶体管可能无法将编程电压完全传递到LWL上。因此，需要跟踪SD晶体管和支持电路本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电路，其包括：线性调节器，其以操作方式与存储器阵列耦合，所述线性调节器包括初级开关，用以产生能够用于编程所述存储器阵列的存储器单元的调节电压；第一数模转换器DAC，其具有与所述线性调节器耦合的输出；泵调节器，其以操作方式与电荷泵耦合，其中所述电荷泵将电源电压提供到所述线性调节器；第二DAC，其具有与所述泵调节器耦合的输出；及控制逻辑，其以操作方式与所述第一DAC和所述第二DAC耦合，所述控制逻辑执行包括以下各项的操作：使第一数字输入值提供到所述第一DAC，以选择性地使所述电源电压上的噪声平滑；及使第二数字输入值提供到所述第二DAC，以基于可编程偏移值选择性地调整所述电源电压。2.根据权利要求1所述的电路，其进一步包括加法器，所述加法器用于将所述第一数字输入值与所述可编程偏移值组合以产生所述第二数字输入值。3.根据权利要求1所述的电路，其中所述泵调节器包括：比较器，其用于驱动所述电荷泵，所述比较器接收来自所述电荷泵的反馈电压和来自所述第二DAC的参考电压作为输入；一或多个二极管，其与所述电荷泵和所述线性调节器耦合；及分压器，其耦合于所述一或多个二极管与地之间，其中所述分压器的输出为所述反馈电压。4.根据权利要求1所述的电路，其中所述初级开关为晶体管，且其中所述线性调节器进一步包括：运算放大器，其用于驱动所述晶体管的栅极，所述运算放大器接收来自所述晶体管的源极的反馈电压和来自所述第一DAC的参考电压作为输入，所述参考电压被编程有目标编程电压；及分压器，其耦合于所述晶体管的所述源极与地之间，其中所述分压器的输出为所述反馈电压。5.根据权利要求4所述的电路，其中所述初级开关为n型互补金属氧化物半导体NMOS晶体管，其具有与所述运算放大器的输出耦合的栅极。6.根据权利要求1所述的电路，其中所述操作进一步包括在所述可编程偏移值内对以下各者中的一者进行编码：对与所述电荷泵耦合的串驱动器复制晶体管与串驱动器晶体管之间的体效应失配的校正；或补偿所述存储器阵列的温度的温度系数值。7.根据权利要求1所述的电路，其中所述操作进一步包括在所述可编程偏移值内对延长脉冲进行编码，以使得所述电荷泵将所述电源电压驱动得更高，从而提高对所述存储器单元的编程性能。8.根据权利要求1所述的电路，其中所述操作进一步包括在所述可编程偏移值内对以下各者中的一者进行编码：
迭代地使所述电荷泵增加所述电源电压的脉冲计数阶跃函数；线性地使所述电荷泵增加所述电源电压的脉冲计数线性函数；依据脉冲计数值选择性地使所述电荷泵增加所述电源电压的脉冲计数选择函数；或其组合。9.一种存储器装置，其包括：存储器阵列，其包括存储器单元；线性调节器，其以操作方式与所述存储器阵列耦合，所述线性调节器包括初级开关，用以产生能够用于编程所述存储器单元的调节电压；第一数模转换器DAC，其具有与所述线性调节器耦合的输出；比较器，其具有耦合到电荷泵的输出，所述电荷泵用于将电源电压提供到所述线性调节器；第二DAC，其具有与所述比较器耦合的输出；及控制逻辑，其以操作方式与所述第一DAC和所述第二DAC耦合，所述控制逻辑执行包括以下各项的操作：使第一数字输入值提供到所述第一DAC，以选择性地使所述电源电压上的噪声平滑；及使第二数字输入值提供到所述第二DAC，以基于可编程偏移值选择性地调整所述电源电压。10.根据权利要求9所述的存储器装置，其进一步包括加法器，所述加法器用于将所述第一数字输入值与所述可编程偏移值组...

【专利技术属性】
技术研发人员：M，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：