一种便于散热的集成电路引线框架制造技术

本实用新型专利技术公开了一种便于散热的集成电路引线框架，包括支架本体、多列引线框架组和多个引线框架单元，引线框架单元纵向排布在引线框架组内，引线框架组横向间隔排布在支架本体内，相邻引线框架组之间通过纵向筋连接，引线框架单元包括基岛和分布在四周的引脚，引脚的内端部设置有焊点，引脚的外端部分布在基岛的上下两侧，之间通过第一横向筋连接，特点是：基岛的左右两侧通过第二横向筋与纵向筋连接，基岛向下凹陷，使基岛的底面与引脚的底面之间形成深度差，基岛的底部边沿围设有台阶，优点是：提供一种基岛凹陷深度较大，更有利于散热的集成电路引线框架，且在基岛的底部边沿设置台阶，解决因凹陷深度过大易引起的溢胶隐患问题。题。题。

【技术实现步骤摘要】
一种便于散热的集成电路引线框架


[0001]本技术涉及集成电路
，尤其涉及一种便于散热的集成电路引线框架。

技术介绍

[0002]集成电路引线框架作为集成电路的芯片载体，是一种借助于键合材料实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件，它起到了和外部导线连接的桥梁作用，绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架，是电子信息产业中重要的基础材料。引线框架的体积、导电性能和散热性能等都会影响封装后功率器件的性能。
[0003]由于引线框架与半导体组装后的产品需用胶体进行封装，且使用时封装体置于电子产品的内部，引线框架及封装体本身的散热性会直接影响电子产品的散热效果，进而影响电子产品的使用寿命，散热不佳容易导致产品局部过热。但是现有的引线框架本身的散热性仍待提高，尤其在高功率元器件中更需要提高其散热性能。
[0004]此外，市场对引线框架的要求正向着高精度、多引脚、小间距的方向发展。引线框架的引脚数越多，其密度越高、功能性越强。而现有的高密度多引脚引线框架在芯片封装工艺中，由于引线框架的引脚数多、密度高，高温熔融的粉状胶体在制作过程中不易与引线框架的引脚固定，容易震荡分层，产生溢胶现象，锁胶和封装难度增大，影响制成产品的性能稳定性。

技术实现思路

[0005]为了解决上述现有技术中存在的不足，本技术提供一种便于散热的集成电路引线框架，其基岛凹陷深度较大，因此更有利于散热，且在基岛的底部边沿设置台阶，解决因凹陷深度过大易引起的溢胶隐患问题。
[0006]本技术解决上述技术问题所采用的技术方案为：一种便于散热的集成电路引线框架，包括支架本体、多列引线框架组和多个引线框架单元，多个所述的引线框架单元纵向排布在每个所述的引线框架组内，多列所述的引线框架组横向间隔排布在所述的支架本体内，相邻所述的引线框架组之间通过纵向筋连接，所述的引线框架单元包括基岛，所述的基岛的四周分布有多个引脚，每个所述的引脚的内端部均设置有焊点，所述的引脚的外端部分布在所述的基岛的上下两侧，所述的引脚的外端部之间通过第一横向筋连接，所述的基岛的左右两侧通过第二横向筋与纵向筋连接，所述的基岛向下凹陷，使所述的基岛的底面与所述的引脚的底面之间形成深度差，所述的基岛的底部边沿围设有台阶。
[0007]在一些实施方式中，所述的台阶的宽度为0.05mm
‑
0.20mm，所述的台阶的高度为0.05mm
‑
0.20mm。该台阶结构和尺寸，能较好地起到防止胶体从基岛底部和四周向上方溢胶的作用，同时不影响基岛的散热性。
[0008]在一些实施方式中，所述的基岛的底面与所述的引脚的底面之间形成的深度差为0.90mm
‑
1.10mm，所述的基岛的厚度为0.20mm
‑
0.30mm，所述的第二横向筋包括与基岛连接
的第一连接部，所述的第一连接部呈30
°
斜坡。增加基岛向下的凹陷深度，在封装后基岛的底部能够露出在胶体外，极大地提高了散热性能，能够应用于高功率器件的封装。
[0009]在一些实施方式中，所述的第二横向筋还包括与纵向筋连接的第二连接部，所述的第二连接部自内向外呈对称的分叉设置。单根的连接筋在切割时仍较容易分层，因此将第二连接部分叉设置能够让胶体流入中间区域，结合更紧密，有效提升锁胶能力，防止胶体分层。
[0010]在一些实施方式中，在每个所述的引脚的外端部与所述的第一横向筋之间均开设有横向预切口，所述的横向预切口均位于同一水平线上使所述的基岛的两侧形成相对称的预切槽。
[0011]在一些实施方式中，所述的横向预切口包括设置在所述的引脚的上表面的第一预切口和设置在所述的引脚的下表面的第二预切口，所述的第一预切口与所述的第二预切口平行，两者的中心线之间的间距为0.100mm，所述的第一预切口和所述的第二预切口的横截面均为V型，开口深度为0.010mm，开口角度的范围在55
°‑
65
°
。进一步的，在不同位置设置多个预切口，封装时使胶体流过，有利于胶体填充，将胶体与基材固定拉紧，增强了结合力，在切断时不易分层松散，从而提高了引线框架对于高温熔融的粉状胶体在封装过程中的锁胶能力。
[0012]在一些实施方式中，所述的基岛的四周共分布有三十二个引脚，按顺时针方向依次分为第一引脚区、第二引脚区、第三引脚区和第四引脚区，各引脚区均包含八个引脚，所述的第一引脚区和所述的第三引脚区对称分布在所述的基岛的上下两侧，所述的第二引脚区和所述的第四引脚区对称分布在所述的基岛的左右两侧，所述的第二引脚区和所述的第四引脚区的引脚的外端部均开设有锁胶孔，所述的锁胶孔的面积自内向两侧方向逐渐增大。各引脚区的结构布局合理紧凑，设置锁胶孔从而保证较好的锁胶功能，增强胶体与基材的结合力，在切断时不易分层松散，避免引脚外端被拉移位。
[0013]在一些实施方式中，在所述的第二连接部的分叉腿部的下表面设置有纵向预切口，所述的纵向预切口的横截面为V型，开口深度为0.010mm，开口角度的范围在55
°‑
65
°
。进一步地提高引线框架的锁胶能力。
[0014]在一些实施方式中，上下相邻的所述的引线框架单元之间的中心距为13.25mm
‑
13.35mm，左右相邻的所述的引线框架单元之间的中心距为26.95 mm
‑
27.05mm，每个所述的纵向筋上分别开设有多个用于释放注胶时应力的通孔，所述的支架本体的上下两边分别开设有多个定位孔。
[0015]与现有技术相比，本技术的优点在于：加大了基岛的凹陷深度，能达到1.0mm左右，增加基岛向下的凹陷深度后在封装后基岛的底部能够露出在胶体外，极大地提高了散热性能，能够应用于高功率器件的封装。此外，在基岛的底部边沿设置一圈台阶，解决因凹陷深度过大存在的容易由底部向上溢胶的问题，设置台阶也能够增加胶体与引线框架的结合面积，在切断时不易分层松散，提高封装体的稳定性和可靠性。
附图说明
[0016]图1为本技术一实施例的引线框架单元的结构示意图；
[0017]图2为图1中沿A
‑
A的截面图；
[0018]图3为图1中沿B
‑
B的截面图；
[0019]图4为图1中沿C
‑
C的截面图；
[0020]图5为图1中沿D
‑
D的截面图；
[0021]图6为图1中沿E
‑
E的截面图；
[0022]图7为本技术一实施例的支架本体的结构示意图；
[0023]图8为本技术一实施例的部分引线框架组的结构示意图。
[0024]其中，支架本体1，引线框架组2，引线框架单元3，纵向筋4，基岛5，引脚6，焊点7，第一横向筋8，第二横向筋9，台阶10，第一连接部11，第二连接部12，纵向预切口13，预切槽14，第一预本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种便于散热的集成电路引线框架，包括支架本体、多列引线框架组和多个引线框架单元，多个所述的引线框架单元纵向排布在每个所述的引线框架组内，多列所述的引线框架组横向间隔排布在所述的支架本体内，相邻所述的引线框架组之间通过纵向筋连接，所述的引线框架单元包括基岛，所述的基岛的四周分布有多个引脚，每个所述的引脚的内端部均设置有焊点，所述的引脚的外端部分布在所述的基岛的上下两侧，所述的引脚的外端部之间通过第一横向筋连接，其特征在于，所述的基岛的左右两侧通过第二横向筋与纵向筋连接，所述的基岛向下凹陷，使所述的基岛的底面与所述的引脚的底面之间形成深度差，所述的基岛的底部边沿围设有台阶。2.根据权利要求1所述的一种便于散热的集成电路引线框架，其特征在于，所述的台阶的宽度为0.05mm
‑
0.20mm，所述的台阶的高度为0.05mm
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0.20mm。3.根据权利要求1所述的一种便于散热的集成电路引线框架，其特征在于，所述的基岛的底面与所述的引脚的底面之间形成的深度差为0.90mm
‑
1.10mm，所述的基岛的厚度为0.20mm
‑
0.30mm，所述的第二横向筋包括与基岛连接的第一连接部，所述的第一连接部呈30
°
斜坡。4.根据权利要求3所述的一种便于散热的集成电路引线框架，其特征在于，所述的第二横向筋还包括与纵向筋连接的第二连接部，所述的第二连接部自内向外呈对称的分叉设置。5.根据权利要求1所述的一种便于散热的集成电路引线框架，其特征在于，在每个所述的引脚的外端部与所述的第一横向筋之间均开设有横向预切口，所述的横向预切口均位于同一水平线上使所述的基岛的两侧形成相对称的预切...

【专利技术属性】
技术研发人员：王李发，冯军民，周炬雄，
申请(专利权)人：宁波德洲精密电子有限公司，
类型：新型
国别省市：