NTC热敏电阻结构及其制备方法技术

本申请公开一种NTC热敏电阻结构及其制备方法。NTC热敏电阻结构包括电极层、调阻层和陶瓷层，所述调阻层位于所述电极层与所述陶瓷层之间，用于调节所述电极层与所述陶瓷层的接触面积。本申请在电极层与陶瓷层之间增加了调阻层，通过设置调阻层的面积可以调节电极层与陶瓷层的接触面积，即电极层与陶瓷层仅在调阻层之外的地方接触，使得电流只能从电极层与陶瓷层接触的地方流进或流出，根据公式R＝ρl/S可知，减小S相当于增加了电阻结构的阻值R，而且增加的阻值的幅度可以通过设置调阻层的面积灵活调节，另外也没有改变原有的电阻结构的尺寸，电阻结构仍然可以满足测试、封装要求。封装要求。封装要求。

【技术实现步骤摘要】
NTC热敏电阻结构及其制备方法


[0001]本申请涉及电阻结构
，具体涉及一种NTC(Negative Temperature Coefficient，负温度系数热敏电阻)热敏电阻结构及其制备方法。

技术介绍

[0002]NTC热敏材料的电阻率ρ和材料常数B为两个重要的电性参数，但是在材料开发过程中面临着的难题是电阻率ρ的调整(改变材料的活化能)直接影响着热敏材料的材料常数B，材料常数B也会随之上升。为了满足高温应用环境使用(200℃以上)，会对产品的电阻率ρ和材料常数B值提出新的需求，例如电阻率ρ在25摄氏度时为500KΩ，材料常数B为3380K，甚至其它参数。
[0003]目前的解决方法为通过开发新的材料体系和通过调整产品的尺寸来调整产品的电阻率ρ。但是，开发新的材料体系难度较大，周期长，即便开发出来由于材料体系匹配不合理，稳定性也较差。而减小产品NTC热敏电阻层的面积或者增加产品NTC热敏电阻层的尺寸均可以提升电阻率ρ，但是调整空间有限，过度调整会使得外观尺寸既不能满足设备测试要求，又达不到封装需求。
[0004]因此，在不改变材料体系(保证原有材料体系的稳定性)又不改变产品外观尺寸(满足测试、封装要求)的前提下，研究一种高电阻率ρ和低材料常数B的产品是必要的。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，本申请实施例提供一种NTC热敏电阻结构及其制备方法，可以增加电阻结构的阻值，并且增加的幅度可以灵活调节。
[0006]本申请提供的一种NTC热敏电阻结构，包括电极层、调阻层和陶瓷层，所述调阻层位于所述电极层与所述陶瓷层之间，用于调节所述电极层与所述陶瓷层的接触面积。
[0007]可选地，所述调阻层包括一个调阻单元，所述调阻单元的面积小于所述电极层和所述陶瓷层的面积，所述调阻单元设置有至少一个孔部，所述电极层与所述陶瓷层通过所述孔部接触，所述孔部为接触区域。
[0008]可选地，所述调阻层包括间隔设置的多个调阻单元，所述电极层与所述陶瓷层在所述多个调阻单元间隔的地方接触，所述调阻单元之间的间隔区域为接触区域。
[0009]可选地，所述电极层和/或所述陶瓷层延伸至所述接触区域。
[0010]可选地，所述电极层包括位于所述陶瓷层两侧的第一电极层和第二电极层，所述调阻层位于所述第一电极层与所述陶瓷层之间和/或所述第二电极层与所述陶瓷层之间。
[0011]可选地，所述调阻层由绝缘材料制得。
[0012]可选地，所述电极层和所述陶瓷层正对设置，且面积相同，所述电极层与所述陶瓷层的接触面积大于所述电极层和所述陶瓷层的面积的2％。
[0013]本申请提供的一种NTC热敏电阻结构的制备方法，包括：
[0014]制备陶瓷基板，作为陶瓷层；
[0015]在所述陶瓷层的至少一外表面制备调阻层；
[0016]在所述调阻层的外表面和/或所述陶瓷层的另一外表面制备电极层。
[0017]可选地，所述调阻层包括一个调阻单元，所述调阻单元的面积小于所述电极层和所述陶瓷层的面积，所述调阻单元设置有至少一个孔部，所述电极层与所述陶瓷层通过所述孔部接触，所述孔部为接触区域。
[0018]可选地，所述调阻层由绝缘材料制得。
[0019]本申请实施例的NTC热敏电阻结构，在电极层与陶瓷层之间增加了调阻层，通过设置调阻层的面积可以调节电极层与陶瓷层的接触面积，即电极层与陶瓷层仅在调阻层之外的地方接触，使得电流只能从电极层与陶瓷层接触的地方流进或流出，根据公式R＝ρl/S可知，减小S相当于增加了电阻结构的阻值R，而且增加的阻值的幅度可以通过设置调阻层的面积灵活调节，另外也没有改变原有的电阻结构的尺寸，电阻结构仍然可以满足测试、封装要求。
附图说明
[0020]此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本申请的实施例，并与说明书一起用于解释本申请的原理。为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0021]图1是现有技术中NTC热敏电阻结构的结构示意图；
[0022]图2是本申请一实施例的NTC热敏电阻结构的结构示意图；
[0023]图3是本申请另一实施例的NTC热敏电阻结构的结构示意图；
[0024]图4是本申请又一实施例的NTC热敏电阻结构的结构示意图。
[0025]本申请目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。通过上述附图，已示出本申请明确的实施例，后文中将有更详细的描述。这些附图和文字描述并不是为了通过任何方式限制本申请构思的范围，而是通过参考特定实施例为本领域技术人员说明本申请的概念。
具体实施方式
[0026]为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合实施例及附图，对本申请技术方案进行清楚地描述。显然，所描述实施例仅是一部分实施例，而非全部。基于本申请中的实施例，在不冲突的情况下，下述各个实施例及其技术特征可以相互组合。
[0027]NTC热敏材料的电阻率ρ和材料常数B为两个重要的电性参数，但是在材料开发过程中面临着的难题是电阻率ρ的调整(改变材料的活化能)直接影响着热敏材料的材料常数B，材料常数B也会随之上升，详见下表1。为了满足高温应用环境使用(200℃以上)，会对产品的电阻率ρ和材料常数B值提出新的需求。
[0028]表1
[0029][0030]目前的解决方法为通过开发新的材料体系和通过调整产品的尺寸来调整产品的电阻率ρ。但是，开发新的材料体系难度较大，周期长，即便开发出来由于材料体系匹配不合理，稳定性也较差。而减小产品NTC热敏电阻层的面积S1(S1＝L*W，详见图1)或者增加产品NTC热敏电阻层的尺寸T均可以提升电阻率ρ，但是调整空间有限，过度调整会使得外观尺寸既不能满足设备测试要求，又达不到封装需求。
[0031]因此，在不改变材料体系(保证原有材料体系的稳定性)又不改变产品外观尺寸(满足测试、封装要求)的前提下，研究一种高电阻率ρ和低材料常数B的产品是必要的。
[0032]第一方面，本申请实施例提供一种NTC热敏电阻结构。图2是本申请一实施例的NTC热敏电阻结构的结构示意图。请参见图2，NTC热敏电阻结构包括电极层130、调阻层120和陶瓷层110，调阻层120位于电极层130与陶瓷层110之间，用于调节电极层130与陶瓷层110的接触面积。
[0033]请参见图1，现有方案中，电阻结构的电极层130与陶瓷层110是直接接触的，接触面积为S1，电流可以直接流过，相当于电阻结构的阻值极小，并且阻值无法调节，灵活性较差，无法满足需求。而本申请实施例在电极层130与陶瓷层110之间增加了调阻层120，通过设置调阻层120的面积可以调节电极层130与陶瓷层110的接触面积S2，即电极层130与陶瓷层110仅在调阻层1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种NTC热敏电阻结构，其特征在于，包括电极层、调阻层和陶瓷层，所述调阻层位于所述电极层与所述陶瓷层之间，用于调节所述电极层与所述陶瓷层的接触面积。2.根据权利要求1所述的NTC热敏电阻结构，其特征在于，所述调阻层包括一个调阻单元，所述调阻单元的面积小于所述电极层和所述陶瓷层的面积，所述调阻单元设置有至少一个孔部，所述电极层与所述陶瓷层通过所述孔部接触，所述孔部为接触区域。3.根据权利要求1所述的NTC热敏电阻结构，其特征在于，所述调阻层包括间隔设置的多个调阻单元，所述电极层与所述陶瓷层在所述多个调阻单元间隔的地方接触，所述调阻单元之间的间隔区域为接触区域。4.根据权利要求2或3所述的NTC热敏电阻结构，其特征在于，所述电极层和/或所述陶瓷层延伸至所述接触区域。5.根据权利要求1至3中任一项所述的NTC热敏电阻结构，其特征在于，所述电极层包括位于所述陶瓷层两侧的第一电极层和第二电极层，所述调阻层位于所述第一电极层与所述陶瓷层之间和/或所述第二电极层与所述陶瓷层之...

【专利技术属性】
技术研发人员：王洪涛，易新龙，陈先仁，
申请(专利权)人：深圳顺络电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：