一种铝基板检测仪制造技术

实用新型专利技术提供一种铝基板检测仪。该检测仪包括pt100电阻器、开关电源、两路开关电源和两个中间继电器。所述两路开关电源向pt100电阻器提供5V直流电源。铝基板的MOSFET模组通过中间继电器接受开关电源提供的15V直流电源。所述两路开关电源向铝基板和LED灯提供24V直流电源。所述两个中间继电器为四开四闭的中间继电器。该检测仪设计使用两个中间继电器，将上半桥和下半桥的MOSFET基极接入继电器，利用电源检测MOSFET通断功能，利用电源和电流表检测再通过LED灯明灭直观表达铝基板功能运行状态。减少了检测步骤和检测时间，提高了检测效率。率。率。

【技术实现步骤摘要】
一种铝基板检测仪


[0001]本技术涉及驱动控制系统应用领域，特别涉及一种铝基板检测仪。

技术介绍

[0002]随着现代科学技术的进步，汽车、智能机器人等行业发展迅速，对电机的需求量也越来越大，同时对电机的性能指标、控制精度等要求也越来越高，驱动控制系统也越来越重要。
[0003]铝基板是一种具有良好散热功能的金属基覆铜板，由三层结构所组成，分别是电路层、绝缘层和金属基层，功率器件贴装在电路层表面，器件运行时所产生的热量通过绝缘层快速传导到金属基层，然后由金属基层将热量传递出去。铝基板是驱动控制系统中不可缺少的，所以对铝基板进行功能运行状态检测是非常有必要的。
[0004]然而，铝基板的检测过程却很复杂。现有技术通常需要人工利用电源和万用表对每个MOSFET进行功能运行状态检查。铝基板上MOSFET数量较多，需要耗费大量时间操作，检测效率低，不适合大量铝基板检测。
[0005]因此，开发一种可以快速精确的检测铝基板功能运行状态的检测方法具有重大意义。

技术实现思路

[0006]本技术的目的是提供一种铝基板检测仪，以解决现有技术中存在的问题。
[0007]为实现本技术目的而采用的技术方案是这样的，一种铝基板检测仪，包括电阻器，以及与铝基板电性连接的开关电源、两路开关电源和两个中间继电器。
[0008]所述开关电源与市电连接，并将市电降压后提供15V直流电源。所述开关电源与市电的连接线路上设置有船型开关。所述两路开关电源与市电连接，并将市电降压后提供5V/24V直流电源。所述两路开关电源与市电的连接线路上设置有船型开关。所述两路开关电源向电阻器提供5V直流电源。所述两路开关电源和电阻器之间的线路上串联有五位电流表。
[0009]所述铝基板的电路层上设置有三相半桥电路。所述三相半桥电路布局包括U相上半桥区域、U相下半桥区域、V相上半桥区域、V相下半桥区域、W相上半桥区域和W相下半桥区域。所述三相半桥电路的六个区域均包括贴装在电路层上的MOSFET模组。UPG、UNG、VPG、VNG、WPG和WNG通过插头以及线束与中间继电器和LED灯连接。所述MOSFET模组通过中间继电器接受开关电源提供的15V直流电源。所述两路开关电源向铝基板和LED灯提供24V直流电源。
[0010]所述两个中间继电器为四开四闭的中间继电器。所述两个中间继电器包括上半桥中间继电器和下半桥中间继电器。所述上半桥中间继电器包括继电器常开端K1
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1、继电器常开端K1
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2和继电器常开端K1
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3。所述继电器常开端K1
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1与U相上半桥MOSFET模组连接。
[0011]所述开关电源、继电器常开端K1
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1与U相上半桥MOSFET组成常开端处回路。所述继电器常开端K1
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2与V相上半桥MOSFET模组连接。所述开关电源、继电器常开端K1
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2与V相上
半桥MOSFET组成常开端处回路。所述继电器常开端K1
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3与W相上半桥MOSFET模组连接。所述开关电源、继电器常开端K1
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3与W相上半桥MOSFET组成常开端处回路。所述下半桥中间继电器包括继电器常开端K2
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1、继电器常开端K2
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2和继电器常开端K2
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3。所述继电器常开端K2
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1与U相下半桥MOSFET模组连接。所述开关电源、继电器常开端K2
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1与U相下半桥MOSFET组成常开端处回路。所述继电器常开端K2
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2与V相下半桥MOSFET模组连接。所述开关电源、继电器常开端K2
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2与V相下半桥MOSFET组成常开端处回路。所述继电器常开端K2
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3与W相下半桥MOSFET模组连接。所述开关电源、继电器常开端K2
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3与W相下半桥MOSFET组成常开端处回路。
[0012]本技术的技术效果是毋庸置疑的：设计使用两个中间继电器，将上半桥和下半桥的MOSFET基极接入继电器，利用电源检测MOSFET通断功能，利用电源和电流表检测再通过LED灯明灭直观表达铝基板功能运行状态。减少了检测步骤和检测时间，提高了检测效率。
附图说明
[0013]图1为铝基板检测仪示意图。
[0014]图中：开关电源1、五位电流表2、中间继电器3、LED灯4、两路开关电源5。
具体实施方式
[0015]下面结合实施例对本技术作进一步说明，但不应该理解为本技术上述主题范围仅限于下述实施例。在不脱离本技术上述技术思想的情况下，根据本领域普通技术知识和惯用手段，做出各种替换和变更，均应包括在本技术的保护范围内。
[0016]实施例1：
[0017]参见图1，本实施例公开一种铝基板检测仪，包括pt100电阻器，以及与铝基板电性连接的开关电源1、两路开关电源5和两个中间继电器3。
[0018]所述开关电源1与市电连接，并将市电降压后提供15V直流电源。所述开关电源1与市电的连接线路上设置有船型开关。所述两路开关电源5与市电连接，并将市电降压后提供5V/24V直流电源。所述两路开关电源5与市电的连接线路上设置有船型开关。所述两路开关电源5向pt100电阻器提供5V直流电源。所述两路开关电源5和pt100电阻器之间的线路上串联有五位电流表2。
[0019]所述铝基板的电路层上设置有三相半桥电路。所述三相半桥电路布局包括U相上半桥区域、U相下半桥区域、V相上半桥区域、V相下半桥区域、W相上半桥区域和W相下半桥区域。所述三相半桥电路的六个区域均包括贴装在电路层上的MOSFET模组。UPG、UNG、VPG、VNG、WPG和WNG通过插头以及线束与中间继电器3和LED灯4连接。所述MOSFET模组通过中间继电器3接受开关电源1提供的15V直流电源。所述两路开关电源5向铝基板和LED灯4提供24V直流电源。
[0020]所述两个中间继电器3为四开四闭的中间继电器。所述两个中间继电器3包括上半桥中间继电器和下半桥中间继电器。所述上半桥中间继电器包括继电器常开端K1
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1、继电器常开端K1
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2和继电器常开端K1
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3。所述继电器常开端K1
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1与U相上半桥MOSFET模组连接。所述开关电源1、继电器常开端K1
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1与U相上半桥MOSFET组成常开端处回路。所述继电器常
开端K1
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2与V相上半桥MOSFET模组连接。所述开关电源1、继电器常开端K1
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2与V相上半桥MOSFET组成常开端处回路。所述继电器常开端K1
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3与W相上半桥MOSFET模组连接。所述开关电源1、继电器常开端K1
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种铝基板检测仪，其特征在于：包括电阻器，以及与铝基板电性连接的开关电源(1)、两路开关电源(5)和两个中间继电器(3)；所述开关电源(1)与市电连接，并将市电降压后提供15V直流电源；所述开关电源(1)与市电的连接线路上设置有船型开关；所述两路开关电源(5)与市电连接，并将市电降压后提供5V/24V直流电源；所述两路开关电源(5)与市电的连接线路上设置有船型开关；所述两路开关电源(5)向电阻器提供5V直流电源；所述两路开关电源(5)和电阻器之间的线路上串联有五位电流表(2)；所述铝基板的电路层上设置有三相半桥电路；所述三相半桥电路布局包括U相上半桥区域、U相下半桥区域、V相上半桥区域、V相下半桥区域、W相上半桥区域和W相下半桥区域；所述三相半桥电路的六个区域均包括贴装在电路层上的MOSFET模组；UPG、UNG、VPG、VNG、WPG和WNG通过插头以及线束与中间继电器(3)和LED灯(4)连接；所述MOSFET模组通过中间继电器(3)接受开关电源(1)提供的15V直流电源；所述两路开关电源(5)向铝基板和LED灯(4)提供24V直流电源；所述两个中间继电器(3)为四开四闭的中间继电器；所述两个中间继电器(3)包括上半桥中间继电器和下半桥中间继电器；所述上半桥中间继电器包括继电器常开端K1
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1、继电器常开端K1
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2和继电器常开端K1
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3；所述继电器常开端K1
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1与U相...

【专利技术属性】
技术研发人员：高俊，邓世刚，吴竣，杨运，吴杰，谷星莹，唐福，
申请(专利权)人：重庆虎溪电机工业有限责任公司，
类型：新型
国别省市：