一种低功耗控制电路制造技术

本实用新型专利技术适用于低功耗控制电路领域，提供了一种低功耗控制电路，所述低功耗控制电路包括连接交流电两端用于功率输出的功率输出单元，连接所述功率输出单元用于控制所述功率输出单元工作的控制单元，及连接所述控制单元用于控制所述控制单元工作的处理器MCU。旨在解决现有技术中的电路或控制模块均会均采用电磁铁，因此导致体积较大，无法做到小巧化的技术问题。技术问题。技术问题。

【技术实现步骤摘要】
一种低功耗控制电路


[0001]本技术属于低功耗控制电路领域，尤其涉及一种低功耗控制电路。

技术介绍

[0002]目前市面上常见的小家电类产品所采用的一般都是零待机功耗控制模块、极低待机功耗控制模块及低功耗控制电路，而这些电路或控制模块均会采用电磁铁，所以导致这些电路或控制模块的体积较大，无法做到小巧化，并且由于采用的是电磁铁在一定程度上也增加了成本，也使得电路边的复杂。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于提供一种低功耗控制电路，旨在解决现有技术中的电路或控制模块均会均采用电磁铁，因此导致体积较大，无法做到小巧化的技术问题。
[0004]本技术是这样实现的，一种低功耗控制电路，所述低功耗控制电路包括连接交流电两端用于功率输出的功率输出单元，连接所述功率输出单元用于控制所述功率输出单元工作的控制单元，及连接所述控制单元用于控制所述控制单元工作的处理器MCU。
[0005]本技术的进一步技术方案是：所述控制单元包括三极管T2、场效应管QT1、电阻R3、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电阻R12、电阻R13、电容C5、二极管D5、二极管D6、稳压二极管DZ1及开关S4，所述电阻R10的一端分别连接所述处理器MCU及所述二极管D5的阳极，所述电阻R10的另一端连接+15V，所述二极管D5的阴极分别连接所述二极管D6的阴极及所述开关S4的一端，所述二极管D6的阳极分别连接所述电容C5的一端及所述稳压二极管DZ1的阴极，所述电容C5的另一端分别连接所电阻R13的一端及所述电阻R9的一端，所述电阻R9的另一端分别连接所述场效应管QT1的栅极及所述电阻R3的一端，所述电阻R13的另一端连接所述三极管T2的集电极，所述三极管T2的基极分别连接所述电阻R11的一端及所述电阻R12的一端，所述电阻R11的另一端连接所述处理器MCU，所述电阻R12的另一端、所述三极管T2的发射极、所述稳压二极管DZ1的阳极及所述开关S4的另一端均连接GND。
[0006]本技术的进一步技术方案是：所述功率输出单元包括电阻R1、电阻R2、电阻R4、二极管D1、二极管D2、有极电容E1、有极电容E2、线圈L1、控制芯片U1、有极电容E3、有极电容E4、电阻R7、电阻R8、电阻R5、电容C1、电容C3、电容C2、电容C4、电阻R6、线圈L2、二极管D3及二极管D4，所述电阻R4的一端分别连接所述电阻R1的一端及交流电的ACL端，所述电阻R1的另一端连接所述电阻R2的一端，所述电阻R4的另一端连接所述二极管D1的阳极，所述二极管D1的阴极连接所述二极管D2的阳极，所述二极管D2的阴极分别连接所述有极电容E1的阳极及所述线圈L1的一端，所述线圈L1的另一端分别连接所述电阻R3的另一端、所述有极电容E2的阳极及所述场效应管QT1的源极，所述场效应管QT1的漏极连接所述控制芯片U1的6、7、8、9、10针脚，所述控制芯片U1的2针脚分别连接所述有极电容E3的阳极、所述二极管D4的阴极、所述电阻R7的一端及所述电容C3的一端，所述控制芯片U1的4针脚分别连接所述电阻R8的一端及所述电阻R7的另一端，所述控制芯片U1的5针脚分别连接所述电阻R5的一
端及所述电容C2的一端，所述电阻R5的另一端连接所述电容C1的一端，所述二极管D4的阳极分别连接所述电阻R6的一端、所述有极电容E4的阳极，所述电容C4的一端、所述线圈L2的一端及+15V，所述线圈L2的另一端分别连接所述二极管D3的阴极及所述电容C3的另一端，所述电阻R2的另一端、所述有极电容E1的阴极、所述有极电容E2的阴极，所述控制芯片U1的1针脚、所述电阻R8的另一端、所述电容C1的另一端、所述电容C2的另一端、所述电容C3的另一端、所述二极管D3的阳极、所述有极电容E4的阴极、所述电阻R6的另一端及所述电容C4的另一端连接交流电的ACN端或GND，所述有极电容E3的另一端连接GND。
[0007]本技术的进一步技术方案是：所述功率输出单元还包括串联在交流电的ACL端与所述电阻R4之间的保险管FS1。
[0008]本技术的进一步技术方案是：所述功率输出单元还包括置于所述保险管FS1与所述电阻R4之间且并连接在交流电的ACL端与交流电的ACN端的压敏电阻VR1。
[0009]本技术的进一步技术方案是：所述功率输出单元还包括置于所述保险管FS1与所述电阻R4之间且并连接在交流电的ACL端与交流电的ACN端的安规电容CX1。
[0010]本技术的有益效果是：此种低功耗控制电路通过处理器MCU控制控制单元对功率输出单元进行控制，即实现功率输出单元进入零功耗模式，而进而整个电路进入零功耗模式，相对应的控制单元则采用纯电路结构进行功率输出单元控制，不在使用点此特进行控制，使得整个电路体积减小，可以将电路做到小巧化，另外此种电路结构简单、成本低。
附图说明
[0011]图1是本技术实施例提供的一种低功耗控制电路的电器原理图。
具体实施方式
[0012]图1示出了本技术提供的一种低功耗控制电路，所述低功耗控制电路包括连接交流电两端用于功率输出的功率输出单元，连接所述功率输出单元用于控制所述功率输出单元工作的控制单元，及连接所述控制单元用于控制所述控制单元工作的处理器MCU。
[0013]所述控制单元包括三极管T2、场效应管QT1、电阻R3、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电阻R12、电阻R13、电容C5、二极管D5、二极管D6、稳压二极管DZ1及开关S4，所述电阻R10的一端分别连接所述处理器MCU及所述二极管D5的阳极，所述电阻R10的另一端连接+15V，所述二极管D5的阴极分别连接所述二极管D6的阴极及所述开关S4的一端，所述二极管D6的阳极分别连接所述电容C5的一端及所述稳压二极管DZ1的阴极，所述电容C5的另一端分别连接所电阻R13的一端及所述电阻R9的一端，所述电阻R9的另一端分别连接所述场效应管QT1的栅极及所述电阻R3的一端，所述电阻R13的另一端连接所述三极管T2的集电极，所述三极管T2的基极分别连接所述电阻R11的一端及所述电阻R12的一端，所述电阻R11的另一端连接所述处理器MCU，所述电阻R12的另一端、所述三极管T2的发射极、所述稳压二极管DZ1的阳极及所述开关S4的另一端均连接GND。
[0014]所述功率输出单元包括电阻R1、电阻R2、电阻R4、二极管D1、二极管D2、有极电容E1、有极电容E2、线圈L1、控制芯片U1、有极电容E3、有极电容E4、电阻R7、电阻R8、电阻R5、电容C1、电容C3、电容C2、电容C4、电阻R6、线圈L2、二极管D3及二极管D4，所述电阻R4的一端分别连接所述电阻R1的一端及交流电的ACL端，所述电阻R1的另一端连接所述电阻R2的一端，
所述电阻R4的另一端连接所述二极管D1的阳极，所述二极管D1的阴极连接所述二极管D2的阳极，所述二极管D2的阴极分别连接所述有极电容E1的阳极及所述线圈L1的一端，所述线圈L1的另一端分别本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低功耗控制电路，其特征在于：所述低功耗控制电路包括连接交流电两端用于功率输出的功率输出单元，连接所述功率输出单元用于控制所述功率输出单元工作的控制单元，及连接所述控制单元用于控制所述控制单元工作的处理器MCU；所述控制单元包括三极管T2、场效应管QT1、电阻R3、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电阻R12、电阻R13、电容C5、二极管D5、二极管D6、稳压二极管DZ1及开关S4，所述电阻R10的一端分别连接所述处理器MCU及所述二极管D5的阳极，所述电阻R10的另一端连接+15V，所述二极管D5的阴极分别连接所述二极管D6的阴极及所述开关S4的一端，所述二极管D6的阳极分别连接所述电容C5的一端及所述稳压二极管DZ1的阴极，所述电容C5的另一端分别连接所电阻R13的一端及所述电阻R9的一端，所述电阻R9的另一端分别连接所述场效应管QT1的栅极及所述电阻R3的一端，所述电阻R13的另一端连接所述三极管T2的集电极，所述三极管T2的基极分别连接所述电阻R11的一端及所述电阻R12的一端，所述电阻R11的另一端连接所述处理器MCU，所述电阻R12的另一端、所述三极管T2的发射极、所述稳压二极管DZ1的阳极及所述开关S4的另一端均连接GND；所述功率输出单元包括电阻R1、电阻R2、电阻R4、二极管D1、二极管D2、有极电容E1、有极电容E2、线圈L1、控制芯片U1、有极电容E3、有极电容E4、电阻R7、电阻R8、电阻R5、电容C1、电容C3、电容C2、电容C4、电阻R6、线圈L2、二极管D3及二极管D4，所述电阻R4的一端分别连接所述电阻R1的一端及交流电的ACL端，所述电阻R1的另一端连接所述电阻R2的一端，所述电阻R4的另一端连接所述二极管D1的阳极，所述二极管D1的阴极连接所述二极管D2的阳极，所述二极管D2的阴极分别...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈玮钰，李建锋，周华学，
申请(专利权)人：深圳市振邦智能科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：