一种发光器件、显示面板及电子设备制造技术

本公开实施例提供了一种发光器件、显示面板及电子设备，发光器件至少包括：第一外延结构、第二外延结构，第一外延结构和第二外延结构能够发出不同波段的光；第一外延结构和第二外延结构沿第一方向依次设置，每个外延结构均包括：N型半导体层、P型半导体层、多量子阱层；第一外延结构和第二外延结构之间设置有导电键合层，包括：第一导电材料层和第二导电材料层，第一导电材料层还与第一外延结构的N型半导体层连接，第二导电材料层还与第二外延结构的P型半导体层连接；第二导电材料层的表面面积小于或等于第一导电材料层的表面面积；第二导电材料层的表面面积与第二外延结构的P型半导体层的表面面积之比的取值范围为0.2

【技术实现步骤摘要】
一种发光器件、显示面板及电子设备


[0001]本公开涉及显示领域，特别涉及一种发光器件、显示面板及电子设备。

技术介绍

[0002]白光发光二极管被广泛应用于汽车前照灯、背光显示模块、高铁舰船探照灯、医疗和工业照明等领域。目前，根据芯片的不同，能实现白光的技术主要有三种，分别是多芯片白光发光二极管、紫外光激发白光发光二极管和蓝光激发白光发光二极管的方法。
[0003]蓝光激发白光发光二极管是指采用蓝光发光二极管与荧光粉组合来产生白光。该方法实现原理如下：来自蓝光发光二极管的蓝光照射到荧光材料中，一部分被荧光材料吸收后激发产生黄光、绿光或红光，另一部分的蓝光穿透过荧光材料，穿透过的蓝光与荧光粉激发的光混合在一起形成白光。
[0004]紫外光激发白光发光二极管是指使用采用发出近紫外光的发光二极管激发光源激发红、绿、蓝复合荧光材料得到白光。复合荧光材料通常只采用红、绿、蓝三基色荧光粉进行混合。由于白光全部来源于荧光粉发出的光，且荧光粉的激发光谱与发出近紫外光的发光二极管的发射光谱相匹配，因此这种方法产生的白光的发光效率较高、白光质量好、成本较低廉，但是由于采用紫外或近紫外的下转换的方式涉及较大的Stokes位移，在转换过程中必然会导致能量损耗的增加。此外，由于采用紫外光源作为激光光源，该方法也容易产生紫外污染的问题。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，本公开实施例提出了一种发光器件、显示面板及电子设备。
[0006]一方面，本公开实施例提出了一种发光器件，至少包括：第一外延结构、第二外延结构，所述第一外延结构和所述第二外延结构能够发出不同波段的光；所述第一外延结构和所述第二外延结构沿第一方向依次设置，每个外延结构均包括：N型半导体层、P型半导体层，以及位于所述N型半导体层和所述P型半导体层之间的多量子阱层；所述第一外延结构和所述第二外延结构之间设置有导电键合层，所述导电键合层包括：第一导电材料层和第二导电材料层，所述第一导电材料层还与所述第一外延结构的N型半导体层连接，所述第二导电材料层还与所述第二外延结构的P型半导体层连接；其中，所述第二导电材料层的表面面积小于或等于所述第一导电材料层的表面面积，所述第一导电材料层被配置为与所述第一外延结构的N型半导体层形成欧姆接触，所述第二导电材料层被配置为与所述第二外延结构的P型半导体层形成欧姆接触；所述第一导电材料层的表面面积与所述第一外延结构的N型半导体层的表面面积相同，所述第二导电材料层的表面面积与所述第二外延结构的P型半导体层的表面面积之比的取值范围为0.2
‑
1。
[0007]在一些实施例中，所述第二导电材料层的透光率大于或等于90％。
[0008]在一些实施例中，所述第二导电材料层的材料至少包括以下之一：氧化铟锡、氧化铟锌、掺铝氧化锌。
[0009]在一些实施例中，所述第二导电材料层的厚度为50
‑
200nm。
[0010]在一些实施例中，所述第一外延结构和所述第二外延结构之间还设置有介质层，所述介质层与所述第二导电材料层同层设置。
[0011]在一些实施例中，所述介质层与所述第二导电材料层具有相同厚度。
[0012]在一些实施例中，所述介质层的材料至少包括以下之一：氧化硅、氮化硅、氧化铝。
[0013]在一些实施例中，所述第二导电材料层与所述介质层在垂直于所述第一方向上的平面上呈现交替排布。
[0014]在一些实施例中，还包括：设置在出光面上的微纳结构。
[0015]在一些实施例中，微纳结构由多个微型结构组成，所述微型结构至少包括以下之一：微锥结构、微球结构、微柱结构。
[0016]另一方面，本公开实施例提出了一种显示面板，至少包括：多个本公开任一实施例所述的发光器件。
[0017]另一方面，本公开实施例提出了一种电子设备，包括：本公开任一实施例所述的显示面板。
[0018]本公开实施例第一外延结构和第二外延结构之间设置有导电键合层，导电键合层与第一外延结构和第二外延结构连接，通过导电键合层的第一导电材料层与第一外延结构的N型半导体层形成欧姆接触，通过导电键合层的第二导电材料层与第二外延结构的P型半导体层形成欧姆接触，由于P型半导体层的材料相对于N型半导体层具有更小的载流子浓度以及迁移率，所以可以通过第二导电材料层来调整发光区的面积，从而调节电流密度，且沿第一方向堆叠设置的外延结构，能够使得发光器件具备更加统一的出光面，提升了发光器件的整体性能。
附图说明
[0019]为了更清楚地说明本公开实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0020]图1为本公开实施例提供的发光器件的剖面结构示意图；
[0021]图2为本公开实施例提供的具有三个外延结构的发光器件的剖面结构示意图；
[0022]图3为本公开实施例提供的第二导电材料层与介质层交替排布的一种剖面结构示意图；
[0023]图4为本公开实施例提供的具有三层导电键合层的发光器件的剖面结构示意图；
[0024]图5为本公开实施例提供的垂直堆叠发光器件结构剖面示意图；
[0025]图6为本公开实施例提供的倒装垂直堆叠发光器件结构剖面示意图；
[0026]图7为本公开实施例提供的第一种微结构的俯视图和部分剖视图；
[0027]图8为本公开实施例提供的第二种微结构的俯视图和部分剖视图；
[0028]图9为本公开实施例提供的第三种微结构的俯视图和部分剖视图；
[0029]图10为本公开实施例提供的第四种微结构的俯视图和部分剖视图；
[0030]图11为本公开实施例提供的第五种微结构的俯视图；
[0031]图12为本公开实施例提供的第五种微结构的部分剖视图一；
[0032]图13为本公开实施例提供的第五种微结构的部分剖视图二。
[0033]附图标记：
[0034]1‑
第一外延结构，2
‑
第二外延结构，3
‑
导电键合层，31
‑
第一导电材料层，32
‑
第二导电材料层，33
‑
介质层，4
‑
N型半导体层，5
‑
P型半导体层，6
‑
多量子阱层(MQWs)，7
‑
微纳结构，8
‑
反射电极，9
‑
P电极，10
‑
N电极，11
‑
第三外延结构，12
‑
绝缘保护层。
具体实施方式
[0035]为了使得本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光器件，其特征在于，至少包括：第一外延结构、第二外延结构，所述第一外延结构和所述第二外延结构能够发出不同波段的光；所述第一外延结构和所述第二外延结构沿第一方向依次设置，每个外延结构均包括：N型半导体层、P型半导体层，以及位于所述N型半导体层和所述P型半导体层之间的多量子阱层；所述第一外延结构和所述第二外延结构之间设置有导电键合层，所述导电键合层包括：第一导电材料层和第二导电材料层，所述第一导电材料层还与所述第一外延结构的N型半导体层连接，所述第二导电材料层还与所述第二外延结构的P型半导体层连接；其中，所述第二导电材料层的表面面积小于或等于所述第一导电材料层的表面面积，所述第一导电材料层被配置为与所述第一外延结构的N型半导体层形成欧姆接触，所述第二导电材料层被配置为与所述第二外延结构的P型半导体层形成欧姆接触；所述第一导电材料层的表面面积与所述第一外延结构的N型半导体层的表面面积相同，所述第二导电材料层的表面面积与所述第二外延结构的P型半导体层的表面面积之比的取值范围为0.2
‑
1。2.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述第二导电材料层的透光率大于或等于90％。3.如权利要求2所述的发光器件，...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁轩，王飞，王明星，王灿，董学，杨明坤，齐琪，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：