TC-SAW器件及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种TC

【技术实现步骤摘要】
TC
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SAW器件及其制造方法


[0001]本专利技术涉及具有piston结构的TC
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SAW器件及其制造方法。

技术介绍

[0002]声表面波(SAW：Surface Acoustic Wave)器件是基于压电材料的压电效应，利用压电材料表面的声表面波来工作的电子器件，其利用形成于压电材料表面的叉指换能器(IDT：Interdigital Transducer)(一种金属电极结构，其形成形状像两只手的手指交叉状的金属图案)将电输入信号转换为声表面波。
[0003]随着信息技术的高速发展，声表面波滤波器广泛应用于各类通讯设备、数据传输设备、视听设备和定位导航设备等。特别地，半导体技术的日渐成熟满足了高性能、小型化SAW滤波器的制造需求，此外射频前端模块的需求量与日俱增，这些都为SAW滤波器的发展带来良好的市场前景和机遇。然而，面对机遇的同时同样也需要面临挑战，当前的挑战主要来源于人们对性能的要求，如品质因素Q、有效机电耦合系数、插入损耗、带宽等。

技术实现思路

[0004]专利技术所要解决的技术问题
[0005]声表面波滤波器(以下有时也称为“SAW滤波器”)所需要激励的是单个模式的声波，通常为瑞利波。然而，由于叉指电极末端电场梯度的变化，使得滤波器的汇流条和/或电极末端区域会激励出SH mode、transverse mode以及Love mode等杂波，这些模态的声波都会使声表面波滤波器性能恶化。
[0006]在TC
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SAW(Temperature compensated SAW：温度补偿型声表面波)滤波器中，通常通过变迹加权(例如，改变声空隙的长度)来优化性能，不设置假指或没有在假指上设置piston(即、“活塞部”)。
[0007]现有技术中，变迹加权包含大量极短的指条，叉指间长度差异大而难以控制工艺精度，易造成器件实际测试结果与设计需求偏差较大。此外，TC
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SAW没有设置假指或是没有在假指上设置piston，因叉指电极末端的电场梯度变化以及末端声速突变导致电极末端产生除瑞利波以外的其它模态的声波(如SH模态、Love模态、transverse模态等模态的声波)，它们都会带走能量进而引起器件的Q值偏低或插入损耗偏高，最终导致器件性能恶化。
[0008]本专利技术的目的在于提供一种包含假指和piston结构的TC
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SAW器件及其制造方法，能抑制或消除杂波，以使得滤波器呈活塞模式(即、声孔隙区域的声学模型的振幅几乎为恒定)运行，从而抑制杂波，并提高TC
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SAW滤波器的性能。
[0009]解决技术问题所采用的技术方案
[0010]本专利技术的一个实施方式所涉及的TC
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SAW器件的特征在于，包括：衬底层；形成在所述衬底层上的叉指电极；形成在所述叉指电极上的活塞部；连接所述叉指电极的汇流条；以及覆盖所述叉指电极、所述活塞部和所述汇流条的温度补偿层，其中，所述叉指电极包含作为真指的第1电极和作为假指的第2电极，所述第1电极和所述第2电极在垂直于所述汇流条
的方向上隔开间隙相向地配置，在平行于所述汇流条的方向上隔开间隔交错地配置，由所述第1电极构成的第1电极组以及由所述第2电极构成的第2电极组在所述衬底层上分别构成叉指结构，所述活塞部形成在所述第1电极和所述第2电极的末端，位于同一所述汇流条上的所述第1电极的末端的所述活塞部彼此是平齐的，位于同一所述汇流条上的所述第2电极的末端的所述活塞部彼此也是平齐的。
[0011]此外，本专利技术的一个实施方式所涉及的TC
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SAW器件的制造方法的特征在于，包括以下步骤：形成单层结构或多层结构的衬底层；通过光刻胶图形化、蒸发镀膜、剥离的工艺，在所述衬底层上形成叉指电极图案；通过光刻胶图形化、蒸发镀膜、剥离的工艺，在所述叉指电极上形成活塞部图案；通过溅射镀膜或化学气相沉积，在所述衬底层上的所述叉指电极和所述活塞部上形成温度补偿层；采用化学机械抛光工艺将所述温度补偿层的表面研磨成平坦的表面；以及通过光刻、干法刻蚀、蒸发镀膜与剥离的工艺来制造用于连接的引线。
[0012]专利技术效果
[0013]根据本专利技术所涉及的TC
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SAW器件及其制造方法，其设置有假指和piston，设置有piston的部分都会使得该区域的声速下降，凭借该设置可以缓和叉指电极与声孔隙区域和边界的声速突变的状况，从而削弱或抑制了其它模态的声模，进而使器件以活塞模式运行以提高器件性能。该情况下，能抑制杂波，并提高TC
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SAW滤波器的性能。此外，由于在设计上所有piston的尺寸大小都是一致的，因而在工艺上容易控制精度，从而不易造成设计需求与实测结果偏差过大的情况。
附图说明
[0014]图1是本专利技术实施方式1所涉及的TC
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SAW器件的俯视图。
[0015]图2是本专利技术实施方式1所涉及的TC
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SAW器件的沿图1的x
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x方向的剖视图。
[0016]图3是本专利技术实施方式1所涉及的TC
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SAW器件的沿图1的y
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y方向的剖视图。
[0017]图4是示出本专利技术实施方式1所涉及的TC
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SAW器件的效果的图。
[0018]图5是示出本专利技术实施方式1所涉及的TC
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SAW器件的衬底层和叉指电极的沿图1的x
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x方向的剖视图。
[0019]图6是示出本专利技术实施方式1所涉及的TC
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SAW器件的衬底层、叉指电极和piston的沿图1的x
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x方向的剖视图。
[0020]图7是示出本专利技术实施方式1所涉及的TC
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SAW器件的piston的排列的俯视图。
[0021]图8是示出本专利技术所涉及的TC
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SAW器件的温度补偿层的沿图1的x
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x方向的剖视图。
[0022]图9是示出本专利技术实施方式1所涉及的TC
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SAW器件的研磨后的温度补偿层在图1的x
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x方向上的剖视图。
[0023]图10是示出本专利技术实施方式1所涉及的TC
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SAW器件的引线的俯视图。
[0024]图11是本专利技术实施方式2所涉及的TC
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SAW器件的俯视图。
[0025]图12是本专利技术实施方式3所涉及的TC
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SAW器件的俯视图。
具体实施方式
[0026]以下，参照附图，对本专利技术的具体实施方式进行说明。
[0027]【实施方式1】
[0028]图1是示出本专利技术实施方式1所涉及的具有piston结构的TC
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SAW器件100的俯视图。
[0029]图1中，俯视本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种TC
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SAW器件，其特征在于，包括：衬底层；形成在所述衬底层上的叉指电极；形成在所述叉指电极上的活塞部；连接所述叉指电极的汇流条；以及覆盖所述叉指电极、所述活塞部和所述汇流条的温度补偿层，其中，所述叉指电极包含作为真指的第1电极和作为假指的第2电极，所述第1电极和所述第2电极在垂直于所述汇流条的方向上隔开间隙相向地配置，在平行于所述汇流条的方向上隔开间隔交错地配置，由所述第1电极构成的第1电极组以及由所述第2电极构成的第2电极组在所述衬底层上分别构成叉指结构，所述活塞部形成在所述第1电极和所述第2电极的末端，位于同一所述汇流条上的所述第1电极的末端的所述活塞部彼此是平齐的，位于同一所述汇流条上的所述第2电极的末端的所述活塞部彼此也是平齐的。2.如权利要求1所述的TC
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SAW器件，其特征在于，所述活塞部完全投影在所述叉指电极内。3.如权利要求2所述的TC
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SAW器件，其特征在于，所述活塞部的至少一边与所述叉指电极的边界重合。4.如权利要求1所述的TC
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SAW器件，其特征在于，所述活塞部的形状为任意形状。5.如权利要求1所述的TC
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SAW器件，其特征在于，在所述第1电极的靠近所述汇流条的部位处，还设有与相邻的所述第2电极的末端的所述活塞部平齐的所述活塞部。6.如权利要求1所述的TC
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SAW器件，其特征在于，在所述第1电极的靠近所述汇流条的部位处，还设有与相邻的所述第1电极的末端的所述活塞部平齐的所述活塞部。7.如权利要求1至6中任一项所述的TC
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SAW器件，其特征在于，所述衬底层由LT、LN、AlN、PZT、ZnO的压电材料构成，且所述衬...

【专利技术属性】
技术研发人员：许欣，
申请(专利权)人：广东广纳芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：