一种SESAM被动调Q微型激光器制造技术

本发明专利技术公开了一种SESAM被动调Q微型激光器，包括泵浦耦合器、偏振耦合镜、微型振荡器、泵浦光输入光路和激光器输出光路，微型振荡器包括1064nm耦合输出镜、激光介质和半导体可饱和吸收镜；经泵浦光输入光路和泵浦耦合器输入808

【技术实现步骤摘要】
一种SESAM被动调Q微型激光器


[0001]本专利技术属于端面泵浦固体激光器的
，具体讲是一种利用半导体可饱和吸收镜被动调Q的微型激光器。

技术介绍

[0002]端面泵浦的固体激光器具有光束质量好、稳定性高、可灵活配置腔内倍频等优点，广泛适用于工业加工各领域，随着材料不断更新迭代，对加工所需的激光脉宽、峰值功率提出了更高的要求。

技术实现思路

[0003]因此，为了解决上述不足，本专利技术在此提供一种SESAM被动调Q微型激光器；该SESAM被动调Q微型激光器通过微型振荡器的被动调Q，可获得100ps
‑
2ns的激光脉冲，突破了传统调Q纳秒激光器的脉宽范围，为固体放大器提供介于锁模皮秒和调Q纳秒之间的短脉冲种子源。
[0004]为了达到上述目的，本专利技术公开了一种SESAM被动调Q微型激光器，包括泵浦耦合器、偏振耦合镜、微型振荡器、泵浦光输入光路和激光器输出光路，
[0005]所述微型振荡器包括1064nm耦合输出镜、激光介质和半导体可饱和吸收镜；
[0006]经泵浦光输入光路和泵浦耦合器输入808
‑
880nm激光，沿45
°
入射至分光耦合输出镜，反射进入微型振荡器内，808
‑
880nm激光依次进入1064nm耦合输出镜、激光介质和半导体可饱和吸收镜，被半导体可饱和吸收镜反射沿激光介质内和1064nm耦合输出镜进入偏振耦合镜，沿激光器输出光路输出，1064nm激光依次进入1064nm耦合输出镜、激光介质和半导体可饱和吸收镜内，被半导体可饱和吸收镜饱和吸收。
[0007]进一步，所述半导体可饱和吸收镜设置为带铜热沉的半导体可饱和吸收镜，调制深度5％
‑
25％，饱和通量大于300uJ/cm2。
[0008]进一步，所述激光介质两端同时镀有1064和808
‑
880增透膜，参杂浓度0.3％
‑
0.5％，采用线偏振结构。
[0009]进一步，所述1064nm耦合输出镜两端同时镀有808
‑
880增透膜，且对1064nm透过率10％
‑
30％。
[0010]进一步，所述偏振耦合镜的表面镀膜有1064增透膜，808
‑
880高反膜；
[0011]进一步，所述泵浦耦合器表面镀有808
‑
880增透膜，耦合孔径50
‑
200um。
[0012]本专利技术具有如下优点：
[0013]本专利技术SESAM被动调Q微型激光器通过微型振荡器的被动调Q，可获得100ps
‑
2ns的激光脉冲，突破了传统调Q纳秒激光器的脉宽范围，为固体放大器提供介于锁模皮秒和调Q纳秒之间的短脉冲种子源。
附图说明
[0014]图1为本专利技术一种SESAM被动调Q微型激光器的结构示意图；
[0015]图2为本专利技术一种SESAM被动调Q微型激光器获得2ns以下脉冲激光的波形图。
[0016]附图说明：1
‑
半导体可饱和吸收镜；2
‑
激光介质；3
‑
1064nm耦合输出镜；4
‑
偏振耦合镜；5
‑
泵浦耦合器；6
‑
激光器输出光路；7
‑
泵浦光输入光路。
具体实施方式
[0017]下面将结合附图1对本专利技术进行详细说明，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例；基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0018]本专利技术公开了一种SESAM被动调Q微型激光器，包括泵浦耦合器5、偏振耦合镜4、微型振荡器、泵浦光输入光路7和激光器输出光路6，
[0019]所述微型振荡器包括1064nm耦合输出镜3、激光介质2和半导体可饱和吸收镜1；
[0020]经泵浦光输入光路和泵浦耦合器输入808
‑
880nm激光，沿45
°
入射至分光耦合输出镜，反射进入微型振荡器内，808
‑
880nm激光依次进入1064nm耦合输出镜、激光介质和半导体可饱和吸收镜，被半导体可饱和吸收镜反射沿激光介质内和1064nm耦合输出镜进入偏振耦合镜，沿激光器输出光路输出，1064nm激光依次进入1064nm耦合输出镜、激光介质和半导体可饱和吸收镜内，被半导体可饱和吸收镜饱和吸收。
[0021]本实施例通过微型振荡器的被动调Q，可获得100ps
‑
2ns的激光脉冲，突破了传统调Q纳秒激光器的脉宽范围，为固体放大器提供介于锁模皮秒和调Q纳秒之间的短脉冲种子源。
[0022]本实施例泵浦光从0开始增加，达到振荡器起振点后开始获得被动调Q脉冲序列，调Q脉冲单脉冲能量保持不变，随泵浦光功率增加，脉冲频率接近线型增加，直至饱和，如图2所示为本实施例获得2ns以下脉冲激光的波形图。
[0023]优选的实施方式，所述半导体可饱和吸收镜设置为带铜热沉的半导体可饱和吸收镜，调制深度5％
‑
25％，饱和通量大于300uJ/cm2。
[0024]优选的实施方式，所述激光介质两端同时镀有1064和808
‑
880增透膜，参杂浓度0.3％
‑
0.5％，采用线偏振结构。
[0025]优选的实施方式，所述1064nm耦合输出镜两端同时镀有808
‑
880增透膜，且对1064nm透过率10％
‑
30％。
[0026]优选的实施方式，所述偏振耦合镜的表面镀膜有1064增透膜，808
‑
880高反膜；
[0027]优选的实施方式，所述泵浦耦合器表面镀有808
‑
880增透膜，耦合孔径50
‑
200um。
[0028]对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本专利技术。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本专利技术的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本专利技术将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种SESAM被动调Q微型激光器，其特征在于：包括泵浦耦合器、偏振耦合镜、微型振荡器、泵浦光输入光路和激光器输出光路，所述微型振荡器包括1064nm耦合输出镜、激光介质和半导体可饱和吸收镜；经泵浦光输入光路和泵浦耦合器输入808
‑
880nm激光，沿45
°
入射至分光耦合输出镜，反射进入微型振荡器内，808
‑
880nm激光依次进入1064nm耦合输出镜、激光介质和半导体可饱和吸收镜，被半导体可饱和吸收镜反射沿激光介质内和1064nm耦合输出镜进入偏振耦合镜，沿激光器输出光路输出，1064nm激光依次进入1064nm耦合输出镜、激光介质和半导体可饱和吸收镜内，被半导体可饱和吸收镜饱和吸收。2.根据权利要求1所述的一种SESAM被动调Q微型激光器，其特征在于：所述半导体可饱和吸收镜设置为带铜热沉的半导体可饱和吸收镜，调制深度5％
‑
25％...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖志松，
申请(专利权)人：罗根激光科技武汉有限公司，
类型：发明
国别省市：