用于痕量检测的基片、基片的制备方法及其应用技术

本公开提供了一种用于表面增强拉曼散射的基片，所述基片包括：银基底，具有银纳米结构表面；和卤化银钝化层，形成于所述银基底的表面。本公开还提供了一种用于表面增强拉曼散射的基片的制备方法和应用该基片进行表面增强拉曼散射痕量检测的方法。拉曼散射痕量检测的方法。拉曼散射痕量检测的方法。

【技术实现步骤摘要】
用于痕量检测的基片、基片的制备方法及其应用


[0001]本公开涉及拉曼光谱分析领域，更具体地，涉及一种用于痕量检测的基片、该基片的制备方法以及应用该基片进行表面增强拉曼散射痕量检测的方法。

技术介绍

[0002]具有纳米级粗糙表面的贵金属可以产生明显的表面增强拉曼散射效应。银(Ag)由于高电场和低损耗比金(Au)高出两个数量级，同时具有独特的表面等离子体特性，使其得到更为广泛的应用。然而，由于金属银容易氧化和硫化，且纳米表面活性高，很容易吸附环境中存在的各种分子，具体表现在其空白基片上出现难以标定的杂质峰，这些杂质峰的存在增加了对目标检测物指纹峰识别和认定的困难，对未知检测物的定性和定量检测造成严重干扰，甚至导致不能使用。
[0003]在实现本公开构思的过程中，专利技术人发现，在不牺牲灵敏度的前提下，如何采用简单高效的方法消除杂质峰，以获得更好的表面增强拉曼散射性能，是当前痕量检测领域亟需解决的技术问题。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本公开的实施例提供了一种用于表面增强拉曼散射的基片、该基片的制备方法以及应用该基片进行表面增强拉曼散射的方法。
[0005]根据本公开的一个方面，提供了一种用于表面增强拉曼散射的基片，所述基片包括：银基底，具有银纳米结构表面；和卤化银钝化层，形成于所述银基底的表面。
[0006]根据本公开的实施例，所述银纳米结构包括纳米棒、纳米管、纳米线和纳米颗粒中的至少一种。
[0007]根据本公开的实施例，所述卤化银钝化层的厚度为1
‑
10nm。
[0008]根据本公开的实施例，所述卤化银钝化层的厚度为2nm。
[0009]根据本公开的实施例，所述卤化银包括氯化银、溴化银和碘化银中的至少一种。
[0010]根据本公开的实施例，所述卤化银钝化层是通过将所述具有银纳米结构表面的银基底浸泡在含卤素离子的修饰液中，或将含卤素离子的修饰液滴加到所述具有银纳米结构表面的银基底上形成的。
[0011]根据本公开的另一个方面，提供了一种上述用于表面增强拉曼散射的基片的制备方法，包括：利用原料配置包含卤素离子的修饰液；和采用所述修饰液对具有银纳米结构表面的银基底进行修饰。
[0012]根据本公开的实施例，所述卤素离子包括氯离子、溴离子和碘离子中的至少一种。
[0013]根据本公开的实施例，所述原料包括与所述卤素离子对应的锂盐、钠盐、钾盐和酸中的至少一种。
[0014]根据本公开的实施例，所述修饰液中的卤素离子的浓度为0.1
‑
10mM。
[0015]根据本公开的实施例，所述修饰液的溶剂为水或醇。
[0016]根据本公开的实施例，所述醇为甲醇或乙醇。
[0017]根据本公开的实施例，所述采用所述修饰液对具有银纳米结构表面的银基底进行修饰的步骤中，采用的修饰方法包括：将所述具有银纳米结构表面的银基底浸泡在含卤素离子的修饰液中；或将含卤素离子的修饰液滴加到所述具有银纳米结构表面的银基底上。
[0018]根据本公开的实施例，所述采用所述修饰液对具有银纳米结构表面的银基底进行修饰的步骤中，所述修饰的时间为1
‑
60min。
[0019]本公开的另一方面提供了一种表面增强拉曼散射的方法，包括：利用光照激活上述基片或上述方法制得的基片；将待测溶液滴加到所述光照激活后的基片上，或者将所述光照激活后的基片浸泡到待测溶液中；以及利用拉曼光谱仪进行检测。
[0020]根据本公开的实施例，所述利用光照激活上述基片或上述方法制得的基片的步骤中，所述光照包括紫外光和可见光中的至少一种。
[0021]根据本公开的实施例，所述光照激活的时间为1
‑
30min。
[0022]根据本公开的实施例，所述紫外光的波长为365nm。
[0023]根据本公开的实施例，所述利用拉曼光谱仪进行检测的步骤中，所述拉曼光谱仪的波长包括532nm、633nm、785nm和1064nm。
[0024]从上述技术方案可以看出，本公开提供的用于表面增强拉曼散射的基片、制备方法和表面增强拉曼散射的方法的有益效果如下：
[0025]1.通过在银基底的银纳米结构表面形成卤化银钝化层，并在使用时先利用光照对基片进行激活，消除了吸附于银基片的杂质峰干扰，提高了灵敏度，为表面增强拉曼散射的定量检测奠定了物质基础；
[0026]2.通过在银基底的银纳米结构表面形成卤化银钝化层，解决了纳米银易氧化等问题，提高了其应用时的稳定性，保质期长；
[0027]3.制备工艺简单，成本极低，易于推广及大规模生产应用。
附图说明
[0028]通过以下参照附图对本公开实施例的描述，本公开的上述以及其他目的、特征和优点将更为清楚，在附图中：
[0029]图1示意性示出了本公开实施例中基片的制备方法流程图；
[0030]图2示意性示出了本公开实施例中表面增强拉曼散射方法的流程图；
[0031]图3示意性示出了根据本公开实施例1的裸银基片的拉曼光谱；
[0032]图4示意性示出了根据本公开实施例1的卤素离子修饰的基片与裸银基片的拉曼光谱；
[0033]图5(a)示意性示出了根据本公开实施例1的裸银基片的透射电镜图；
[0034]图5(b)示意性示出了根据本公开实施例1的卤素离子修饰的基片的透射电镜图；
[0035]图6示意性示出了根据本公开实施例2的氯离子修饰后的基片检测亚甲基蓝的拉曼光谱；
[0036]图7示意性示出了根据本公开实施例3的溴离子修饰后的基片检测亚甲基蓝的拉曼光谱；
[0037]图8示意性示出了根据本公开实施例4的碘离子修饰后的基片检测亚甲基蓝的拉
曼光谱；
[0038]图9示意性示出了根据本公开对比例1的裸银基片与碘离子修饰后的基片检测亚甲基蓝的拉曼光谱。
具体实施方式
[0039]以下，将参照附图来描述本公开的实施例。但是应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本公开的范围。在下面的详细描述中，为便于解释，阐述了许多具体的细节以提供对本公开实施例的全面理解。然而，明显地，一个或多个实施例在没有这些具体细节的情况下也可以被实施。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本公开的概念。
[0040]在此使用的术语仅仅是为了描述具体实施例，而并非意在限制本公开。在此使用的术语“包括”、“包含”等表明了所述特征、步骤、操作和/或部件的存在，但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、步骤、操作或部件。
[0041]在使用类似于“A、B或C等中至少一个”这样的表述的情况下，一般来说应该按照本领域技术人员通常理解该表述的含义来予以解释(例如，“具有A、B或C中至少一个的系统”应包括但不限于单独具有A、单独具有B、单独具有C、具有A和B、具有A和C、具有B和C、和/或具有A、B、C的系统等)。术语“本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于表面增强拉曼散射的基片，其特征在于，所述基片包括：银基底，具有银纳米结构表面；和卤化银钝化层，形成于所述银基底的表面。2.根据权利要求1所述的基片，其特征在于，所述银纳米结构包括纳米棒、纳米管、纳米线和纳米颗粒中的至少一种。3.根据权利要求1所述的基片，其特征在于，所述卤化银钝化层的厚度为1
‑
10nm。4.根据权利要求3所述的基片，其特征在于，所述卤化银钝化层的厚度为2nm。5.根据权利要求3所述的基片，其特征在于，所述卤化银包括氯化银、溴化银和碘化银中的至少一种。6.根据权利要求1所述的基片，其特征在于，所述卤化银钝化层是通过将所述具有银纳米结构表面的银基底浸泡在含卤素离子的修饰液中，或将含卤素离子的修饰液滴加到所述具有银纳米结构表面的银基底上形成的。7.一种如权利要求1
‑
6任一项所述的用于表面增强拉曼散射的基片的制备方法，其特征在于，包括：利用原料配置包含卤素离子的修饰液；和采用所述修饰液对具有银纳米结构表面的银基底进行修饰。8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述卤素离子包括氯离子、溴离子和碘离子中的至少一种。9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述原料包括与所述卤素离子对应的锂盐、钠盐、钾盐和酸中的至少一种。10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述修饰液中的卤素离子的浓度为0.1
‑
10mM。11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述修饰液的溶剂为水或醇。12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述醇为...

【专利技术属性】
技术研发人员：凌云汉，李世林，罗彦，张政军，陈诚，林鹰，
申请(专利权)人：广西三环高科拉曼芯片技术有限公司，
类型：发明
国别省市：