MicroLED的生产方法技术

本发明专利技术公开了一种Micro LED的生产方法，包括以下步骤：步骤1：利用厚度为150微米的蓝宝石制作硅基背板晶圆板，并在硅基背板晶圆板上高温生长氮化镓LED晶体；步骤2：采用多点吸取式工具吸取氮化镓LED晶体，使氮化镓LED晶体从硅基背板晶圆板上剥离；步骤3：对氮化镓LED晶体的翘曲部分进行切割；步骤4：将氮化镓LED晶体与硅基晶体板结合成整体，制成Micro LED。本发明专利技术能降低硅基背板晶圆板弯曲和氮化镓LED晶体翘曲的情况发生，使氮化镓LED晶体能顺利制成Micro LED，提高Micro LED的生产质量。LED的生产质量。LED的生产质量。

【技术实现步骤摘要】
Micro LED的生产方法


[0001]本专利技术涉及维纳光学技术，尤其涉及一种Micro LED的生产方法。

技术介绍

[0002]Micro LED显示技术是指以自发光的微米量级的LED为发光像素单元，将其组装到驱动面板上形成高密度LED阵列的显示技术。Micro LED由于具有亮度高、体积小，光效利用率高的优势，使得micro LED已经作为解决AR、VR等新电子设备的必要原件。尽管市场需求巨大，但是由于micro LED的生产主要基于GaN氮化镓的新一代半导体技术，产量和成熟度都有待提高。
[0003]由于Micro LED的氮化镓LED晶体的生长环境苛刻，需要在蓝宝石基底上高温(约900℃左右)生长，但目前的硅基背板晶圆板不能承受900℃的生长温度，容易出现受热不均和弯曲的情况，降低了氮化镓LED晶体的生长质量。因此，现有技术中制作micro LED的方法是：分别制作氮化镓LED晶体和硅基晶体板，再通过夹取工具夹取LED和硅基晶体板，并将两者结合形成一个整体，制成micro LED。
[0004]但是在实际过程中存在一些问题。比如：硅基背板晶圆板的弯曲问题，若硅基背板晶圆板弯曲，可能造成氮化镓LED和硅基晶体板结合过程氮化镓LED开裂破环，也可能造成干刻蚀过程中的降级问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供一种Micro LED的生产方法，能降低硅基背板晶圆板弯曲和氮化镓LED晶体翘曲的情况发生，使氮化镓LED晶体能顺利制成Micro LED，提高Micro LED的生产质量。
[0006]本专利技术是这样实现的：
[0007]一种Micro LED的生产方法，包括以下步骤：
[0008]步骤1：利用厚度为150微米的蓝宝石制作硅基背板晶圆板，并在硅基背板晶圆板上高温生长氮化镓LED晶体；
[0009]步骤2：采用多点吸取式工具吸取氮化镓LED晶体，使氮化镓LED晶体从硅基背板晶圆板上剥离；
[0010]步骤3：对氮化镓LED晶体的翘曲部分进行切割；
[0011]步骤4：将氮化镓LED晶体与硅基晶体板结合成整体，制成Micro LED。
[0012]所述的蓝宝石基底的表面粗糙度的PV值小于0.1微米。
[0013]所述的多点吸取式工具设有若干个吸取端，使若干个吸取端能分别贴合在氮化镓LED晶体上。
[0014]在通过所述的多点吸取式工具吸取氮化镓LED晶体的过程中，氮化镓LED晶体从硅基背板晶圆板上剥离的剥离速度为：不超过每秒10微米。
[0015]利用准直的激光对所述的氮化镓LED晶体的翘曲部分进行切割。
[0016]利用离子束刻蚀技术对所述的氮化镓LED晶体的翘曲部分进行轰击切割。
[0017]利用纳米压印技术对所述的氮化镓LED晶体的翘曲部分进行切割。
[0018]本专利技术与现有技术相比，具有如下有益效果：
[0019]1、本专利技术由于增厚了蓝宝石基底的厚度，采用150微米厚度的蓝宝石制作硅基背板晶圆板，减少了生长在蓝宝石表面的氮化镓LED晶体受热胀冷缩而发生形变的情况，有利于提高氮化镓LED晶体的受热均一性；同时，尽可能降低蓝宝石基底的表面粗糙度PV值和杨氏刚性，有利于提高氮化镓LED晶体在蓝宝石表面生长的平整光滑度，从而提高Micro LED的生产质量
[0020]2、本专利技术由于采用了多点吸取式工具，能增加多点吸取式工具与氮化镓LED晶体的接触面积，从而保证氮化镓LED晶体在吸取过程中的平整性，防止氮化镓LED晶体发生翘曲，且多点吸取式工具的吸取端采用慢速剥离，有利于控制分子之间作用力，避免或减少由于剥离过程造成部分氮化镓LED晶体损伤脱落的情况发生，从而让氮化镓LED晶体表面光滑一致性好，进而提高Micro LED的生产质量。
[0021]3、本专利技术由于对氮化镓LED晶体的翘曲部分进行了切割，避免了翘曲部分对硅基晶体板与氮化镓LED晶体结合的不利影响，从而提高Micro LED的生产质量。
附图说明
[0022]图1是本专利技术Micro LED的生产方法的流程图。
具体实施方式
[0023]下面结合附图和具体实施例对本专利技术作进一步说明。
[0024]请参见附图1，一种Micro LED的生产方法，包括以下步骤：
[0025]步骤1：利用厚度为150微米的蓝宝石制作硅基背板晶圆板，并在硅基背板晶圆板上高温(约900℃)生长氮化镓LED晶体。
[0026]所述的蓝宝石基底的表面粗糙度的PV值小于0.1微米，蓝宝石基底的表面粗糙度越低，在蓝宝石表面生长的氮化镓LED晶体就越平整光滑。
[0027]同时，使所述的蓝宝石基底的杨氏刚性越小越好，杨氏刚性越小，在蓝宝石表面生长的氮化镓LED晶体就越平整光滑。
[0028]步骤2：采用多点吸取式工具吸取氮化镓LED晶体，使氮化镓LED晶体从硅基背板晶圆板上剥离。
[0029]所述的多点吸取式工具设有若干个吸取端，例如现有技术的真空吸盘等，使若干个吸取端能通过负压控制分别贴合在硅基背板晶圆板上，利用多点接触的方式增大吸取过程中多点吸取式工具与氮化镓LED晶体的接触面积，从而降低或避免剥离过程对氮化镓LED晶体造成损伤的可能性，保证氮化镓LED晶体的完整性和平整性。
[0030]在通过多点吸取式工具吸取氮化镓LED晶体的过程中，氮化镓LED晶体从硅基背板晶圆板上剥离的剥离速度为：不超过每秒10微米，采用慢速剥离可尽可能的降低或避免剥离过程对氮化镓LED晶体造成损伤，从而提高氮化镓LED晶体的完整性和平整度。
[0031]步骤3：对氮化镓LED晶体的翘曲部分进行切割。
[0032]在氮化镓LED晶体生长和剥离的过程中，可能由于硅基背板晶圆板的弯曲造成氮
化镓LED晶体的部分翘曲，优选的，可利用准直的激光对氮化镓LED晶体的翘曲部分进行切割，或利用离子束刻蚀(IBE)技术对氮化镓LED晶体的翘曲部分进行轰击切割，或利用纳米压印(NIL)技术对氮化镓LED晶体的翘曲部分进行切割，在实际操作中，可以根据切割精度、成本控制等因素选择合适的切割方式。
[0033]步骤4：将氮化镓LED晶体与硅基晶体板结合成一个整体，制成Micro LED，Micro LED采用现有工艺制作，此处不再赘述。
[0034]以上仅为本专利技术的较佳实施例而已，并非用于限定专利技术的保护范围，因此，凡在本专利技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种Micro LED的生产方法，其特征是：包括以下步骤：步骤1：利用厚度为150微米的蓝宝石制作硅基背板晶圆板，并在硅基背板晶圆板上高温生长氮化镓LED晶体；步骤2：采用多点吸取式工具吸取氮化镓LED晶体，使氮化镓LED晶体从硅基背板晶圆板上剥离；步骤3：对氮化镓LED晶体的翘曲部分进行切割；步骤4：将氮化镓LED晶体与硅基晶体板结合成整体，制成Micro LED。2.根据权利要求1所述的Micro LED的生产方法，其特征是：所述的蓝宝石基底的表面粗糙度的PV值小于0.1微米。3.根据权利要求1所述的Micro LED的生产方法，其特征是：所述的多点吸取式工具设有若干个吸取端，使若干个吸取端能分别...

【专利技术属性】
技术研发人员：韦雄奕，
申请(专利权)人：希姆通信息技术上海有限公司，
类型：发明
国别省市：