杂环化合物、包含其的发光装置及包括发光装置的电子设备制造方法及图纸

本申请提供了由式1表示的杂环化合物、包含所述杂环化合物的发光装置以及包括所述发光装置的电子设备：式1其中式1的具体描述与本说明书中描述的相同。描述与本说明书中描述的相同。描述与本说明书中描述的相同。

【技术实现步骤摘要】
杂环化合物、包含其的发光装置及包括发光装置的电子设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年11月25日向韩国知识产权局提交的第10
‑
2020
‑
0160060号韩国专利申请的优先权，所述韩国专利申请的内容通过援引整体并入本文。


[0003]一个或多于一个的实施方案涉及杂环化合物、包含所述杂环化合物的发光装置以及包括所述发光装置的电子设备。

技术介绍

[0004]发光装置是将电能转化成光能的装置。此类发光装置的实例包括使用有机材料用于发射层的有机发光装置、使用量子点用于发射层的量子点发光装置等。
[0005]在发光装置中，第一电极位于衬底上，并且空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极依次形成在第一电极上。由第一电极提供的空穴可以通过空穴传输区朝向发射层移动，并且由第二电极提供的电子可以通过电子传输区朝向发射层移动。诸如空穴和电子的载流子在发射层中复合以产生激子。这些激子从激发态跃迁至基态，从而产生光。

技术实现思路

[0006]一个或多于一个的实施方案包括杂环化合物、包含所述杂环化合物的发光装置以及包括所述发光装置的电子设备。
[0007]其它方面将在随后的描述中被部分地阐述并且将部分地从描述中显而易见，或者可以通过本公开内容的呈现的实施方案的实践而获悉。
[0008]根据一个或多于一个的实施方案，发光装置包括第一电极
[0009]第二电极，以及
[0010]位于所述第一电极与所述第二电极之间并且包括发射层的中间层，其中
[0011]所述发光装置包含至少一种由式1表示的杂环化合物。
[0012]式1
[0013][0014]在式1中，
[0015]i)X
11
是O或S并且X
12
是C(R
19
)(R
20
)，或者ii)X
11
是C(R
19
)(R
20
)并且X
12
是O或S，
[0016]Y
11
和Y
12
是N或C，
[0017]R
11
至R
20
各自独立地是由*
‑
(L
21
)
a21
‑
(R
21
)
b21
表示的基团、氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、氨基基团、脒基基团、肼基基团、腙基基团、羧酸基团或其盐、磺酸基团或其盐、磷酸基团或其盐、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
烯基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
炔基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷氧基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
10
环烷基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
10
杂环烷基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
10
环烯基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
10
杂环烯基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳氧基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳硫基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂芳基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的单价非芳香族稠合多环基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的单价非芳香族稠合杂多环基团、
‑
Si(Q1)(Q2)(Q3)、
‑
C(Q1)(Q2)(Q3)、
‑
B(Q1)(Q2)、
‑
N(Q1)(Q2)、
‑
P(Q1)(Q2)、
‑
C(＝O)(Q1)、
‑
S(＝O)(Q1)、
‑
S(＝O)2(Q1)、
‑
P(＝O)(Q1)(Q2)或
‑
P(＝S)(Q1)(Q2)，其中R
11
至R
20
中的至少一个是由*
‑
(L
21
)
a21
‑
(R
21
)
b21
表示的基团，
[0018]L
21
是单键、*
‑
N(R
31
)
‑
*'、*
‑
Si(R
31
)(R
32
)
‑
*'、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C5‑
C
60
碳环基团、或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基团，
[0019]a21是选自1至5的整数，
[0020]R
21
是未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
10
环烯基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
10
杂环烯基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂芳基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的单价非芳香族稠合多环基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的单价非芳香族稠合杂多环基团、
‑
Si(Q1)(Q2)(Q3)、
‑
C(Q1)(Q2)(Q3)、
‑
B(Q1)(Q2)、
‑
N(Q1)(Q2)、
‑
P(Q1)(Q2)、
‑
C(＝O)(Q1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.发光装置，包括：第一电极；第二电极；位于所述第一电极与所述第二电极之间并且包括发射层的中间层，以及至少一种由式1表示的杂环化合物：式1其中，在式1中，i)X
11
是O或S并且X
12
是C(R
19
)(R
20
)，或者ii)X
11
是C(R
19
)(R
20
)并且X
12
是O或S；Y
11
和Y
12
各自是N或C，R
11
至R
20
各自独立地是由*
‑
(L
21
)
a21
‑
(R
21
)
b21
表示的基团、氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、氨基基团、脒基基团、肼基基团、腙基基团、羧酸基团或其盐、磺酸基团或其盐、磷酸基团或其盐、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
烯基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
炔基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷氧基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
10
环烷基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
10
杂环烷基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
10
环烯基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
10
杂环烯基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳氧基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳硫基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂芳基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的单价非芳香族稠合多环基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的单价非芳香族稠合杂多环基团、
‑
Si(Q1)(Q2)(Q3)、
‑
C(Q1)(Q2)(Q3)、
‑
B(Q1)(Q2)、
‑
N(Q1)(Q2)、
‑
P(Q1)(Q2)、
‑
C(＝O)(Q1)、
‑
S(＝O)(Q1)、
‑
S(＝O)2(Q1)、
‑
P(＝O)(Q1)(Q2)或
‑
P(＝S)(Q1)(Q2)，其中R
11
至R
20
中的至少一个是由*
‑
(L
21
)
a21
‑
(R
21
)
b21
表示的基团，L
21
是单键、*
‑
N(R
31
)
‑
*'、*
‑
Si(R
31
)(R
32
)
‑
*'、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C5‑
C
60
碳环基团、或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基团，a21是选自1至5的整数，R
21
是未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
10
环烯基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
10
杂环烯基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂芳基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的单价非芳香族稠合多环基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的单价非芳香族稠合杂多环基团、
‑
Si(Q1)
(Q2)(Q3)、
‑
C(Q1)(Q2)(Q3)、
‑
B(Q1)(Q2)、
‑
N(Q1)(Q2)、
‑
P(Q1)(Q2)、
‑
C(＝O)(Q1)、
‑
S(＝O)(Q1)、
‑
S(＝O)2(Q1)、
‑
P(＝O)(Q1)(Q2)或
‑
P(＝S)(Q1)(Q2)，b21是选自1至5的整数，R
31
和R
32
各自独立地是氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、氨基基团、脒基基团、肼基基团、腙基基团、羧酸基团或其盐、磺酸基团或其盐、磷酸基团或其盐、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
烯基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
炔基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷氧基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
10
环烷基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
10
杂环烷基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
10
环烯基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
10
杂环烯基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳氧基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳硫基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂芳基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的单价非芳香族稠合多环基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的单价非芳香族稠合杂多环基团、
‑
Si(Q1)(Q2)(Q3)、
‑
C(Q1)(Q2)(Q3)、
‑
B(Q1)(Q2)、
‑
N(Q1)(Q2)、
‑
P(Q1)(Q2)、
‑
C(＝O)(Q1)、
‑
S(＝O)(Q1)、
‑
S(＝O)2(Q1)、
‑
P(＝O)(Q1)(Q2)或
‑
P(＝S)(Q1)(Q2)，R
10a
是：氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基基团、氰基基团或硝基基团，各自未取代的或者被氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C3‑
C
60
碳环基团、C1‑
C
60
杂环基团、C6‑
C
60
芳氧基基团、C6‑
C
60
芳硫基基团、
‑
Si(Q
11
)(Q
12
)(Q
13
)、
‑
C(Q
11
)(Q
12
)(Q
13
)、
‑
B(Q
11
)(Q
12
)、
‑
N(Q
11
)(Q
12
)、
‑
P(Q
11
)(Q
12
)、
‑
C(＝O)(Q
11
)、
‑
S(＝O)(Q
11
)、
‑
S(＝O)2(Q
11
)、
‑
P(＝O)(Q
11
)(Q
12
)、
‑
P(＝S)(Q
11
)(Q
12
)或其任意组合取代的C1‑
C
60
烷基基团、C2‑
C
60
烯基基团、C2‑
C
60
炔基基团或C1‑
C
60
烷氧基基团；各自未取代的或者被氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C1‑
C
60
烷基基团、C2‑
C
60
烯基基团、C2‑
C
60
炔基基团、C1‑
C
60
烷氧基基团、C3‑
C
60
碳环基团、C1‑
C
60
杂环基团、C6‑
C
60
芳氧基基团、C6‑
C
60
芳硫基基团、
‑
Si(Q
21
)(Q
22
)(Q
23
)、
‑
C(Q
21
)(Q
22
)(Q
23
)、
‑
B(Q
21
)(Q
22
)、
‑
N(Q
21
)(Q
22
)、
‑
P(Q
21
)(Q
22
)、
‑
C(＝O)(Q
21
)、
‑
S(＝O)(Q
21
)、
‑
S(＝O)2(Q
21
)、
‑
P(＝O)(Q
21
)(Q
22
)或
‑
P(＝S)(Q
21
)(Q
22
)或其任意组合取代的C3‑
C
60
碳环基团、C1‑
C
60
杂环基团、C6‑
C
60
芳氧基基团或C6‑
C
60
芳硫基基团；或者
‑
Si(Q
31
)(Q
32
)(Q
33
)、
‑
C(Q
31
)(Q
32
)(Q
33
)、
‑
B(Q
31
)(Q
32
)、
‑
N(Q
31
)(Q
32
)、
‑
P(Q
31
)(Q
32
)、
‑
C(＝O)(Q
31
)、
‑
S(＝O)(Q
31
)、
‑
S(＝O)2(Q
31
)、
‑
P(＝O)(Q
31
)(Q
32
)或
‑
P(＝S)(Q
31
)(Q
32
)，其中Q1至Q3、Q
11
至Q
13
、Q
21
至Q
23
和Q
31
至Q
33
各自独立地是：氢；氘；
‑
F；
‑
Cl；
‑
Br；
‑
I；羟基基团；氰基基团；硝基基团；C1‑
C
60
烷基基团；C2‑
C
60
烯基基团；C2‑
C
60
炔基基团；C1‑
C
60
烷氧基基团；或者各自未取代的或者被氘、
‑
F、氰基基团、C1‑
C
60
烷基基团、C1‑
C
60
烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团或其任意组合取代的C3‑
C
60
碳环基团或C1‑
C
60
杂环基团，以及*和*'各自表示与相邻原子的结合位点。2.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一电极包含ITO、IZO、SnO2、ZnO、Mg、Ag、Al、Al
‑
Li、Ca、Mg
‑
In、Mg
‑
Ag或其任意组合，以及所述第二电极包含Li、Ag、Mg、Al、Al
‑
Li、Ca、Mg
‑
In、Mg
‑
Ag、Yb、Ag
‑
Yb、ITO、IZO或其任意
组合。3.如权利要求1所述的发光装置，其中所述发光装置的所述第一电极是阳极，所述发光装置的所述第二电极是阴极，所述中间层进一步包括在所述第一电极与所述发射层之间的空穴传输区和在所述发射层与所述第二电极之间的电子传输区，所述空穴传输区包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任意组合，以及所述电子传输区包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或其任意组合。4.如权利要求1所述的发光装置，其中所述发射层包含所述至少一种由式1表示的杂环化合物。5.如权利要求4所述的发光装置，其中所述发射层包含主体和掺杂剂，所述发射层中的所述主体的量大于所述发射层中的所述掺杂剂的量，所述主体包括所述至少一种由式1表示的杂环化合物，以及所述掺杂剂包括磷光掺杂剂、热激活延迟荧光掺杂剂或其组合。6.如权利要求4所述的发光装置，其中所述发射层发射蓝色光。7.如权利要求1所述的发光装置，进一步包括位于所述第一电极外部和/或所述第二电极外部的覆盖层，其中所述覆盖层包含所述至少一种由式1表示的杂环化合物。8.电子设备，包括权利要求1至7中任一项所述的发光装置和薄膜晶体管，其中所述薄膜晶体管包括源电极和漏电极，以及所述发光装置的所述第一电极电连接至所述薄膜晶体管的所述源电极和所述漏电极中的一个。9.由式1表示的杂环化合物：式1其中，在式1中，i)X
11
是O或S并且X
12
是C(R
19
)(R
20
)，或者ii)X
11
是C(R
19
)(R
20
)并且X
12
是O或S；Y
11
和Y
12
各自是N或C，R
11
至R
20
各自独立地是由*
‑
(L
21
)
a21
‑
(R
21
)
b21
表示的基团、氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、氨基基团、脒基基团、肼基基团、腙基基团、羧酸基团或其盐、磺酸基团或其盐、磷酸基团或其盐、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷基基团、未取代的
(Q
11
)、
‑
P(＝O)(Q
11
)(Q
12
)、
‑
P(＝S)(Q
11
)(Q
12
)或其任意组合取代的C1‑
C
60
烷基基团、C2‑
C
60
烯基基团、C2‑
C
60
炔基基团或C1‑
C
60
烷氧基基团；各自未取代的或者被氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C1‑
C
60
烷基基团、C2‑
C
60
烯基基团、C2‑
C
60
炔基基团、C1‑
C
60
烷氧基基团、C3‑
C
60
碳环基团、C1‑
C
60
杂环基团、C6‑
C
60
芳氧基基团、C6‑
C
60
芳硫基基团、
‑
Si(Q
21
)(Q
22
)(Q
23
)、
‑
C(Q
21
)(Q
22
)(Q
23
)、
‑
B(Q
21
)(Q
22
)、
‑
N(Q
21
)(Q
22
)、
‑
P(Q
21
)(Q
22
)、
‑
C(＝O)(Q
21
)、
‑
S(＝O)(Q
21
)、
‑
S(＝O)2(Q
21
)、
‑
P(＝O)(Q
21
)(Q
22
)或
‑
P(＝S)(Q
21
)(Q
22
)或其任意组合取代的C3‑
C
60
碳环基团、C1‑
C
60
杂环基团、C6‑
C
60
芳氧基基团或C6‑
C
60
芳硫基基团；或者
‑
Si(Q
31
)(Q
32
)(Q
33
)、
‑
C(Q
31
)(Q
32
)(Q
33
)、
‑
B(Q
31
)(Q
32
)、
‑
N(Q
31
)(Q
32
)、
‑
P(Q
31
)(Q
32
)、
‑
C(＝O)(Q
31
)、
‑
S(＝O)(Q
31
)、
‑
S(＝O)2(Q
31
)、
‑
P(＝O)(Q
31
)(Q
32
)或
‑
P(＝S)(Q
31
)(Q
32
)，其中Q1至Q3、Q
11
至Q
13
、Q
21
至Q
23
和Q
31
至Q
33
各自独立地是：氢；氘；
‑
F；
‑
Cl；
‑
Br；
‑
I；羟基基团；氰基基团；硝基基团；C1‑
C
60
烷基基团；C2‑
C
60
烯基基团；C2‑
C
60
炔基基团；C1‑
C
...

【专利技术属性】
技术研发人员：李艺瑟，金炯民，安熙春，严贤娥，李孝荣，林怡朗，赵恕院，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：