气体供给结构体及具备它的等离子体沉积装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开气体供给结构体及具备它的等离子体沉积装置。气体供给结构体包括：主体，在内部具备沿彼此不同的方向延伸的分支流动空间，并且包括设置在主体的背面的中央部的单个中央孔及设置在背面的周边部且与分支流动空间分别连通的多个周边孔；第一供给口，以相对于主体的上表面垂直延伸的方式结合于主体的上表面，并且具备与分支流动空间连通的第一流动空间；以及第二供给口，以与中央孔连接的方式设置在第一供给口的内部，并且具备与第一流动空间连通且与分支流动空间分离的第二流动空间。本发明专利技术只通过中央孔供给工艺气体且通过中央孔及周边孔供给清洗气体，从而能够同时提高沉积膜的厚度均匀度和工艺腔室内部的清洗均匀度。均匀度。均匀度。

【技术实现步骤摘要】
气体供给结构体及具备它的等离子体沉积装置


[0001]本专利技术涉及一种气体供给结构体及具备它的等离子体沉积装置，更详细而言，涉及一种用于供给等离子体沉积用工艺气体及腔室清洗用清洗气体的气体供给结构体及具备它的等离子体沉积装置。

技术介绍

[0002]作为用于制造平板显示装置的单元工艺，广泛利用等离子体沉积装置。通常的等离子体沉积装置在向沉积腔室供给工艺气体之后将工艺气体形成为等离子体状态并利用所述等离子体在基板表面形成单膜。
[0003]此时，为了防止所沉积的单膜被杂质污染，在完成沉积工艺之后对腔室内部执行清洗工艺，并且为了改善膜的厚度均匀度，对工艺条件和工艺气体的流动特性进行各种改善。

技术实现思路

[0004]本专利技术的一目的是提供一种等离子体装置用的气体供给结构体，该气体供给结构体通过只向基板的中央部供给工艺气体并且只向基板的中央部及周边部供给清洗气体，能够同时改善等离子体装置的清洗均匀度和沉积膜的厚度均匀度。
[0005]本专利技术的另一目的是提供一种具备如上所述气体供给结构体的等离子体沉积装置。
[0006]用于实现上述目的的本专利技术的一实施例的等离子体装置用的气体供给结构体包括：主体，在内部具备沿彼此不同的方向延伸的分支流动空间，并且包括设置在所述主体的背面的中央部的单个中央孔及设置在所述背面的周边部且与所述分支流动空间分别连通的多个周边孔；第一供给口，以沿与所述主体的上表面垂直的竖直方向延伸的方式结合于所述主体的上表面，并且具备与所述分支流动空间连通的第一流动空间；以及第二供给口，以与所述中央孔连接的方式设置在所述第一供给口的内部，并且具备与所述第一流动空间连通且与所述分支流动空间分离的第二流动空间。
[0007]用于实现上述目的的本专利技术的另一实施例的等离子体沉积装置包括：执行等离子体沉积工艺的工艺腔室；设置在所述工艺腔室的下部且固定沉积对象基板的基板固定结构体；以及气体供给结构体，以与所述基板固定结构体相对的方式设置在所述工艺腔室的上部，并且向所述工艺腔室供给沉积用工艺气体和用于清洗所述工艺腔室的内部的清洗气体。
[0008]此时，所述气体供给结构体具备：主体，在内部具备沿彼此不同的方向延伸的分支流动空间，并且包括设置在所述主体的背面的中央部的单个中央孔及设置在所述背面的周边部且与所述分支流动空间分别连通的多个周边孔；第一供给口，以沿与所述主体的上表面垂直的竖直方向延伸的方式结合于所述主体的上表面，并且具备与所述分支流动空间连通的第一流动空间；以及第二供给口，以与所述中央孔连接的方式设置在所述第一供给口
的内部，并且具备与所述第一流动空间连通且与所述分支流动空间分离的第二流动空间。
[0009]根据本专利技术的实施例的等离子体装置用的气体供给结构体及具备它的等离子体沉积装置，在具备分支流动空间、与分支流动空间连通的多个周边孔及单个中央孔的主体的上部设置有第一供给口，在所述第一供给口的内部以与第一供给口连通的方式设置有第二供给口。作为所述第一供给口的内部空间的第一流动空间通过分支流动空间与多个周边孔连通，第二供给口与中央孔结合，作为第二供给口的内部空间的第二流动空间与分支流动空间分离并与中央孔连通。
[0010]此时，清洗气体从高于第二供给口的位置被供给到第一供给口，并且经由分支流动空间及第二流动空间通过周边孔及中央孔被均匀地供给，从而能够提高清洗气体的浓度均匀性。与此不同地，被供给到第二供给口的工艺气体向分支流动空间的流动被阻断，只通过第二流动空间流动且只通过中央孔供给，从而能够去除工艺气体的局部高浓度点。
[0011]由此，具备气体供给结构体的等离子体沉积装置能够同时改善形成在基板上的沉积膜的厚度均匀度和对工艺腔室的内部结构体的清洗均匀度。
[0012]但是，本专利技术的效果并不限定于上述效果，在不脱离本专利技术的思想及领域的范围内可以以多种方式扩展。
附图说明
[0013]图1是表示本专利技术的一实施例的等离子体装置用的气体供给结构体的结构图。
[0014]图2a是表示图1所示的气体供给结构体的主体的俯视图。
[0015]图2b是表示图2a所示的主体的后视图。
[0016]图3a是表示图1所示的第一供给口及第二供给口的结合结构的俯视图。
[0017]图3b是表示图3a所示的第一供给口及第二供给口的结合结构的后视图。
[0018]图4a是表示通过图1所示的第一供给口供给第一气体G1的过程的图。
[0019]图4b是表示通过图1所示的第二供给口供给第二气体的过程的图。
[0020]图5是表示本专利技术的另一实施例的气体供给结构体的结构图。
[0021]图6是表示本专利技术的又一实施例的气体供给结构体的结构图。
[0022]图7是表示图6所示的流动控制器的立体图。
[0023]图8a是表示图7所示的流动控制器的剖面图。
[0024]图8b是表示图7所示的流动控制器的仰视图。
[0025]图9是表示根据本专利技术的一实施例具备图1所示的气体供给结构体的等离子体沉积装置的结构图。
具体实施方式
[0026]下面，参照附图对本专利技术的优选实施例的沉积装置进行详细说明，但本专利技术并不限于下述实施例，所属领域的技术人员在不脱离本专利技术的技术思想的范围内可以以多种不同的方式实现本专利技术。
[0027]在附图中，为了本专利技术的清楚性，比实际放大图示基板、层(膜)、区域、图案或结构体的尺寸。在本说明书中，形状或几何条件和物理特性以及限定它们的程度的例如“平行”、“正交”、“相同”、“同等”等的用语、长度或角度、以及物理特性值等不受制于用语的严密的
含义，而是被解释为包括可期待相同功能的范围。
[0028]本申请中使用的用语只是为了说明特定实施例而使用的，并非用来限定本专利技术。关于单数形式的表述，如果在上下文中不是明确地表示其他含义，则该单数形式的表述也包括复数形式的表述。应当理解的是，在本申请中，“包括”或“具有”等用语是为了指定说明书中记载的特征、数字、步骤、动作、结构要素、部件或其组合的存在，并不是用来事先排除一个或一个以上的其他特征、数字、步骤、动作、结构要素、部件或其组合的存在或附加的可能性。
[0029]此外，当提到各层(膜)、区域、电极、图案或结构体形成在基板、各层(膜)、区域、电极、结构体或图案之“上”、“上部”或“下部”时，表示各层(膜)、区域、电极、图案或结构体直接形成在基板、各层(膜)、区域、结构体或图案的上方或位于下方，或者其他层(膜)、其他区域、其他电极、其他图案或其他结构体可进一步形成在基板上。此外，当以“第一”、“第二”、“第三”和/或“准”来提到物质、层(膜)、区域、电极、图案或结构体时，并非用于限定这种部件，而是仅用于区分各物质、层(膜)、区域、电极、图案或结构体。因此，对于各层(膜)、区域、电极、图案或结构体，可分别选择性或交换性地使用“第一”、“第二”、“第三”和/或“准”。
[0030]图1是表示本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种气体供给结构体，包括：主体，在内部具备沿彼此不同的方向延伸的分支流动空间，并且包括设置在所述主体的背面的中央部的单个中央孔及设置在所述背面的周边部且与所述分支流动空间分别连通的多个周边孔；第一供给口，以沿与所述主体的上表面垂直的竖直方向延伸的方式结合于所述主体的上表面，并且具备与所述分支流动空间连通的第一流动空间；以及第二供给口，以与所述中央孔连接的方式设置在所述第一供给口的内部，并且具备与所述第一流动空间连通且与所述分支流动空间分离的第二流动空间。2.根据权利要求1所述的气体供给结构体，其中，所述第二供给口以所述第二供给口的下端与所述中央孔的内侧面结合且所述第二供给口的上端的位置低于所述第一供给口的上端的位置的方式沿所述竖直方向延伸。3.根据权利要求1所述的气体供给结构体，其中，所述第一供给口呈具有第一直径的缸体形状，所述第二供给口呈具有比所述第一直径小的第二直径的缸体形状。4.根据权利要求3所述的气体供给结构体，其中，所述多个周边孔及所述中央孔具有相同的截面尺寸，所述第二直径被设定为满足式(1)，其中，D2表示所述第二直径，D1表示所述第一直径，以及n表示所述周边孔的数量。5.根据权利要求1所述的气体供给结构体，其中，所述主体具备中央开口，所述中央开口贯通所述上表面与所述分支流动空间连通且具有比所述中央孔大的尺寸，所述第一供给口以使所述中央开口与所述第一流动空间连通的方式与所述主体结合。6.根据权利要求5所述的气体供给结构体，其中，所述中央开口和所述中央孔具有相同的共同中心且被设置为彼此重叠。7.根据权利要求1所述的气体供给结构体，进一步包括喷头，所述喷头设置在所述主体的下部且与所述背面之间限定有储存气体的头部空间，所述喷头具备用于将所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：金仁教，李殷守，郑石源，朱儇佑，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：