显示装置和制造该显示装置的方法制造方法及图纸

公开了一种具有提高的可靠性的显示装置和制造该显示装置的方法。在该显示装置中，设置在氧化物半导体层和发光器件之间的多个介电膜中的至少一个包括设置在氧化物半导体层上的下部区域以及设置在该下部区域上的上部区域，该上部区域包括被配置为捕获氢的捕获元素，由此提高了包括氧化物半导体层的薄膜晶体管的可靠性。管的可靠性。管的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
显示装置和制造该显示装置的方法


[0001]本专利技术涉及一种显示装置以及制造该显示装置的方法，更具体地，涉及一种可靠性提高的显示装置以及制造该显示装置的方法。

技术介绍

[0002]在显示装置中，使用薄膜晶体管(TFT)作为开关器件和/或驱动器件。基于用作有源层的材料，薄膜晶体管被分类为使用非晶硅的薄膜晶体管、使用多晶硅的薄膜晶体管或使用氧化物半导体的薄膜晶体管。其中，与使用非晶硅的薄膜晶体管相比，使用氧化物半导体的薄膜晶体管具有更高的迁移率和更小的漏电流。
[0003]然而，引入到氧化物半导体层中的过量氢增加了沟道区域的载流子浓度。结果，薄膜晶体管的电学特性(例如阈值电压)发生改变，由此使得薄膜晶体管的可靠性劣化。

技术实现思路

[0004]因此，本专利技术涉及一种显示装置以及制造该显示装置的方法，其基本上消除了由于现有技术的限制和缺点而导致的一个或更多个问题。
[0005]本专利技术的目的是提供一种具有提高的可靠性的显示装置。
[0006]本专利技术的其他优点、目的和特征将在下面的描述中部分地得到阐述，并且部分地对于阅读下面内容的本领域普通技术人员将变得明确，或者可以通过本专利技术的实践来获知。通过书面的说明书及其权利要求以及附图中特别指出的结构可以实现和获得本专利技术的目的和其他优点。
[0007]为了实现这些目的和其他优点，并且根据本专利技术的目的，如本文所体现和广泛描述地，一种显示装置包括设置在基板上的薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括氧化物半导体层、与所述薄膜晶体管电连接的发光器件、以及设置在所述氧化物半导体层和所述发光器件之间的多个介电膜，其中，所述多个介电膜中的至少一个介电膜包括设置在所述氧化物半导体层上的下部区域和设置在所述下部区域上的上部区域，所述上部区域包括被配置为捕获氢的捕获元素。
[0008]所述捕获元素可以是氮、氟和硼中的至少一种。
[0009]所述下部区域的捕获元素的含量可以低于所述上部区域的捕获元素的含量。
[0010]所述下部区域中的捕获元素的含量可以是0％。
[0011]所述捕获元素可以被形成为使得所述捕获元素的含量从所述上部区域的上部到所述上部区域的下部逐渐减小。
[0012]所述下部区域由SiOx形成。
[0013]所述薄膜晶体管可以包括：栅电极，其设置在所述氧化物半导体层上；源电极，其被配置为接触所述氧化物半导体层；以及漏电极，其与所述源电极相对，所述漏电极被配置为接触所述氧化物半导体层，并且所述多个介电膜可以包括设置在所述源电极和所述漏电极中的每一个与所述栅电极之间的层间介电膜，以及设置在所述氧化物半导体层和所述栅
电极之间的栅极介电膜。
[0014]所述层间介电膜和所述栅极介电膜中的至少一个可以包括作为所述下部区域的下层间区域和作为所述上部区域的上层间区域。
[0015]所述栅电极可以包括上栅极区域和下栅区域，所述上栅极区域包括所述捕获元素，所述下栅区域设置在所述氧化物半导体层和所述上栅极区域之间。
[0016]包括在所述栅极介电膜的上层间区域中的捕获元素可以设置在除了被配置为与所述栅电极交叠的区域之外的剩余区域中。
[0017]包括在所述栅极介电膜的上层间区域中的捕获元素可以设置在除了被配置为与所述氧化物半导体层的沟道区域交叠的区域之外的剩余区域中。
[0018]所述显示装置还可以包括第一上缓冲层和第二上缓冲层以及存储电容器，所述第一上缓冲层和所述第二上缓冲层以及所述存储电容器设置在所述氧化物半导体层下方。所述第一上缓冲层和所述第一上缓冲层中的至少一个的至少一部分以及所述存储电容器的下存储电容器电极可以包括所述捕获元素。
[0019]所述存储电容器的上存储电容器电极可以电连接到所述薄膜晶体管的漏电极。
[0020]所述显示装置还可以包括设置在所述发光器件上的封装单元。所述封装单元可以包括多个无机封装层和设置在所述多个无机封装层之间的有机封装层。
[0021]一种制造显示装置的方法可以包括以下步骤：在基板上形成薄膜晶体管的氧化物半导体层；在所述氧化物半导体层形成栅极介电膜，并且在所述栅极介电膜上形成所述薄膜晶体管的栅电极；使用包括捕获元素的源气体对所述栅电极和所述栅极介电膜中的每一个的表面进行初步等离子处理，使得所述栅电极和所述栅极介电膜中的至少一个包括包含捕获元素的上部区域和不包含捕获元素的下部区域；在所述栅电极和所述栅极介电膜上形成层间介电膜；使用包括捕获元素的气体对所述层间介电膜的表面进行二次等离子处理，使得所述层间介电膜包括包含捕获元素的上部区域和不包含捕获元素的下部区域；以及在所述基板上顺序地形成所述薄膜晶体管的源电极和漏电极、像素连接电极、发光器件以及封装单元。
[0022]应该理解，对本专利技术的以上概述和以下详述都是示例性和解释性的，并旨在对所要求保护的本专利技术提供进一步的解释。
附图说明
[0023]附图被包括以提供对本专利技术的进一步理解，被包括在本申请中并构成本申请的一部分，阐释本专利技术的一个或多个实施方式，并且与说明书一起用于解释本专利技术的原理。在附图中：
[0024]图1是根据本专利技术的实施方式的显示装置的框图；
[0025]图2是图1所示的根据本专利技术的实施方式的显示装置的截面图；
[0026]图3是示出根据本专利技术的实施方式的氢从图2所示的无机封装层移动的过程的视图；
[0027]图4是图1所示的根据本专利技术的实施方式的显示装置的另一实施方式的截面图；
[0028]图5是示出氢从图4所示的无机封装层移动的过程的视图；
[0029]图6是示出图4所示的捕获元素和氢相互结合的过程的视图；
[0030]图7A至图7G是示出根据本专利技术的实施方式的制造图4所示的显示装置的方法的截面图；以及
[0031]图8是示出根据本专利技术的实施方式的薄膜晶体管的阈值电压的波动的视图，该波动取决于包括捕获元素的源气体的流速。
具体实施方式
[0032]以下，将参考附图详细描述本专利技术的实施方式。
[0033]图1是根据本专利技术的实施方式的有机发光显示装置的框图。
[0034]图1所示的有机发光显示装置包括有机发光显示面板10和被配置为驱动显示面板10的面板驱动单元。面板驱动单元包括数据驱动单元20、选通驱动单元40A和40B、以及定时控制器30。
[0035]定时控制器30生成用于控制数据驱动单元20和选通驱动单元40A和40B的驱动定时的数据控制信号和选通控制信号，并将其提供给数据驱动单元20和选通驱动单元40A和40B。定时控制器30对图像数据进行图像处理并将其提供给数据驱动单元20。
[0036]数据驱动单元20由从定时控制器30提供的数据控制信号控制，并将从定时控制器30提供的图像数据转换为模拟数据信号，并将其提供给显示面板10的数据线DL。
[0037]选通驱动单元40A和40B中的每一个通过以薄膜晶体管的形式直接形成在显示面板10上的非显示本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示装置，所述显示装置包括：设置在基板上的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括氧化物半导体层；发光器件，所述发光器件电连接到所述薄膜晶体管；以及多个介电膜，所述多个介电膜设置在所述氧化物半导体层和所述发光器件之间，其中，所述多个介电膜中的至少一个包括：设置在所述氧化物半导体层上的下部区域；以及设置在所述下部区域上的上部区域，所述上部区域包括被配置为捕获氢的捕获元素。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述捕获元素包括氮、氟和硼中的至少一种。3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述下部区域的捕获元素的含量低于所述上部区域的捕获元素的含量。4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述下部区域中的捕获元素的含量为0％。5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述捕获元素被形成为使得所述捕获元素的含量从所述上部区域的上部到所述上部区域的下部逐渐减小。6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述下部区域由SiOx形成。7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述薄膜晶体管包括：设置在所述氧化物半导体层上的栅电极；被配置为接触所述氧化物半导体层的源电极；以及与所述源电极相对的漏电极，所述漏电极被配置为接触所述氧化物半导体层，并且其中，所述多个介电膜包括：层间介电膜，所述层间介电膜设置在所述源电极和所述漏电极中的每一个与所述栅电极之间；以及栅极介电膜，所述栅极介电膜设置在所述氧化物半导体层和所述栅电极之间。8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述层间介电膜和所述栅极介电膜中的至少一个包括：下层间区域，所述下层间区域是所述下部区域；以及上层间区域，所述上层间区域是所述上部区域。9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述栅电极包括：上栅极区域，所述上栅极区域包括所述捕获元素；以及下栅极区域，所述下栅极区域设置在所述氧化物半导体层和所述上栅极区...

【专利技术属性】
技术研发人员：金在铉，全镇埰，崔善英，郑美真，李正仁，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：