摄像装置制造方法及图纸

提供了一种摄像装置，其包括：半导体基板，所述半导体基板包括针对二维布置的像素中的各者设置的光电转换部，其中，所述光电转换部对入射光执行光电转换；和凹凸结构，所述凹凸结构设置在所述半导体基板的光接收侧主表面上，其中，所述凹凸结构包括以比属于可见光波段的光的波长小的周期布置的多个支柱。段的光的波长小的周期布置的多个支柱。段的光的波长小的周期布置的多个支柱。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】摄像装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2019年10年24日提交的日本专利申请JP2019
‑
193308的优先权权益，因此将该专利申请的全部内容通过引用并入本文中。


[0003]本公开涉及摄像装置。

技术介绍

[0004]近年来，抑制光斑(flare)或重影(ghost)的技术在摄像装置中得到了发展。例如，由于入射光在摄像装置内部被反射之后通过非预期的光路进入摄像装置内部的光电转换部，从而发生光斑或重影。
[0005]因此，为了减少摄像装置内部的入射光的反射，已经考虑了如下的技术：该技术在设置有光电转换部的半导体基板的一个主表面上采用与入射光的波长区域相对应的凹凸结构(也称为蛾眼结构)(例如，PTL 1)。蛾眼结构是以比可见光波段中的光的波长小的周期布置的凹凸结构，并且能够使入射光的折射率持续变化，从而可以减少入射光的反射。
[0006]引用列表
[0007]专利文献
[0008][PTL 1]国际公开号WO2015/001987

技术实现思路

[0009]技术问题
[0010]这里，蛾眼结构的反射抑制效果取决于其凹凸结构的具体形状。因此，期望通过考虑蛾眼结构的凹凸结构的具体形状来进一步抑制摄像装置内部的入射光的反射，并且期望进一步抑制通过非预期的光路进入光电转换部的入射光。
[0011]因此，期望提供一种进一步抑制光斑或重影等的发生的摄像装置。
[0012]解决问题的技术方案/>[0013]根据本公开实施例的摄像装置包括：半导体基板，所述半导体基板包括针对二维布置的像素中的各者设置的光电转换部，其中，所述光电转换部对入射光执行光电转换；和凹凸结构，所述凹凸结构设置在所述半导体基板的光接收侧主表面上，其中，所述凹凸结构包括以比属于可见光波段的光的波长小的周期布置的多个支柱。各所述支柱的纵横比为1以上，所述纵横比是通过将各所述支柱的高度除以各所述支柱的基部的在任意方向上的直径而确定的。
[0014]根据本公开实施例的摄像装置包括：半导体基板，所述半导体基板包括针对二维布置的像素中的各者设置的光电转换部，其中，所述光电转换部对入射光执行光电转换；和凹凸结构，所述凹凸结构设置在所述半导体基板的光接收侧主表面上，其中，所述凹凸结构包括以比属于可见光波段的光的波长小的周期布置的多个支柱。各所述支柱在其顶端处具
有平坦部，所述平坦部的在任意方向上的直径为10nm以下。
[0015]根据本公开实施例的摄像装置包括：半导体基板，所述半导体基板包括针对二维布置的像素中的各者设置的光电转换部，其中，所述光电转换部对入射光执行光电转换；和凹凸结构，所述凹凸结构设置在所述半导体基板的光接收侧主表面上，其中，所述凹凸结构包括以比属于可见光波段的光的波长小的周期布置的多个支柱。各所述支柱的纵横比为1以上，所述纵横比是通过将各所述支柱的高度除以各所述支柱的基部的在任意方向上的直径而确定的，或者在各所述支柱的顶端处的平坦部的在任意方向上的直径为10nm以下。因此，例如，可以进一步抑制入射光在半导体基板的光接收侧主表面上的反射。
附图说明
[0016][图1]图1是描述应用了根据本公开的技术的摄像装置的示意性构造的说明性示意图。
[0017][图2]图2是根据本公开的第一实施例的摄像装置中的像素的构造的纵向截面图。
[0018][图3A]图3A是第一实施例中的凹凸结构的具体形状的纵向截面图。
[0019][图3B]图3B是示出由凹凸结构产生的光反射抑制效果的模拟结果的曲线图。
[0020][图4A]图4A是第一实施例中的凹凸结构的具体形状的变化的纵向截面图。
[0021][图4B]图4B是第一实施例中的凹凸结构的具体形状的变化的纵向截面图。
[0022][图4C]图4C是第一实施例中的凹凸结构的具体形状的变化的纵向截面图。
[0023][图5]图5是根据第一实施例的变形例的摄像装置中的像素的构造的纵向截面图。
[0024][图6A]图6A是描述根据第一实施例的摄像装置中的凹凸结构的一个形成步骤的纵向截面图。
[0025][图6B]图6B是描述根据第一实施例的摄像装置中的凹凸结构的一个形成步骤的纵向截面图。
[0026][图6C]图6C是描述根据第一实施例的摄像装置中的凹凸结构的一个形成步骤的纵向截面图。
[0027][图6D]图6D是描述根据第一实施例的摄像装置中的凹凸结构的一个形成步骤的纵向截面图。
[0028][图6E]图6E是描述根据第一实施例的摄像装置中的凹凸结构的一个形成步骤的纵向截面图。
[0029][图6F]图6F是描述根据第一实施例的摄像装置中的凹凸结构的一个形成步骤的纵向截面图。
[0030][图6G]图6G是描述根据第一实施例的摄像装置中的凹凸结构的一个形成步骤的纵向截面图。
[0031][图7]图7是根据本公开的第二实施例的摄像装置中的像素的构造的纵向截面图。
[0032][图8]图8是根据第二实施例的第一变形例的摄像装置中的像素的构造的纵向截面图。
[0033][图9]图9是根据第二实施例的第二变形例的摄像装置中的像素的构造的纵向截面图。
[0034][图10]图10是根据第二实施例的第三变形例的摄像装置中的像素的构造的纵向
截面图。
[0035][图11]图11是根据第二实施例的第三变形例的摄像装置中的像素的构造的纵向截面图。
[0036][图12A]图12A是描述根据第二实施例的摄像装置的一个形成步骤的纵向截面图。
[0037][图12B]图12B是描述根据第二实施例的摄像装置的一个形成步骤的纵向截面图。
[0038][图12C]图12C是描述根据第二实施例的摄像装置的一个形成步骤的纵向截面图。
[0039][图12D]图12D是描述根据第二实施例的摄像装置的一个形成步骤的纵向截面图。
[0040][图12E]图12E是描述根据第二实施例的摄像装置的一个形成步骤的纵向截面图。
[0041][图12F]图12F是描述根据第二实施例的摄像装置的一个形成步骤的纵向截面图。
[0042][图13]图13是根据本公开的第三实施例的摄像装置中的像素的构造的示例的纵向截面图。
[0043][图14]图14是根据第三实施例的摄像装置中的像素的构造的变形例的纵向截面图。
[0044][图15]图15是根据本公开的第四实施例的摄像装置中的像素的构造的示例的纵向截面图。
[0045][图16]图16是根据第四实施例的摄像装置中的像素的构造的变形例的纵向截面图。
[0046][图17]图17是根据本公开的第五实施例的摄像装置中的像素的构造的示例的纵向截面图。
[0047][图18]图18是根据第五实施例的摄像装置中的像素的构造的变形例的纵向截面图。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种摄像装置，其包括：半导体基板，所述半导体基板包括针对二维布置的像素中的各者设置的光电转换部，所述光电转换部对入射光执行光电转换；和凹凸结构，所述凹凸结构设置在所述半导体基板的光接收侧主表面上，所述凹凸结构包括以比属于可见光波段的光的波长小的周期布置的多个支柱，各所述支柱的纵横比为1以上，所述纵横比是通过将各所述支柱的高度除以各所述支柱的基部的在任意方向上的直径而确定的。2.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，各所述支柱在其顶端处具有平坦部，并且所述平坦部的在任意方向上的直径为10nm以下。3.一种摄像装置，其包括：半导体基板，所述半导体基板包括针对二维布置的像素中的各者设置的光电转换部，所述光电转换部对入射光执行光电转换；和凹凸结构，所述凹凸结构设置在所述半导体基板的光接收侧主表面上，所述凹凸结构包括以比属于可见光波段的光的波长小的周期布置的多个支柱，各所述支柱在其顶端处具有平坦部，所述平坦部的在任意方向上的直径为10nm以下。4.根据权利要求3所述的摄像装置，其中，各所述支柱的纵横比为1以上，所述纵横比是通过将各所述支柱的高度除以各所述支柱的基部的在任意方向上的直径而确定的。5.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，各所述支柱具有在所述半导体基板的厚度方向上延伸的突起形状。6.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，各所述支柱的顶端具有带顶点的形状或半球形形状。7.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，所述支柱以200nm以下的周期布置在所述光接收侧主表面上。8.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，所述支柱以随机排列、方格排列或六方密堆积排列布置在所述光接收侧主表面上。9.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：押山到，绪方亮，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：