用于流量限制器的密封件制造技术

用于控制气流的装置是输送用于半导体制造的工艺气体的重要部件。这些用于控制气流的装置经常依赖于有效密封的流量限制器，这可以消除流量限制器周围的工艺气体泄漏。在一个实施例中，公开了一种用于流量限制器的密封件，该密封件包括收缩配合到流量限制器的密封部分上的塑料圆柱体。在另一个实施例中，公开了一种用于流量限制器的密封件，该密封件具有带流量孔的第一密封环、安装在流量孔中的流量限制器。制器。制器。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于流量限制器的密封件
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2019年8月5日提交的美国临时专利申请号62/882,814的权益，其全部内容通过引用并入本文。

技术介绍

[0003]质量流量控制一直是半导体芯片制造的关键技术之一。用于控制质量流量的设备对于为半导体制造和其他工业过程提供已知的工艺气体流速很重要。此类设备用于测量和准确控制各种应用的流体流动。这种控制可以通过使用精确校准的流量限制器和密封件来实现，这些流量限制器和密封件可确保流量限制器与其安装的通道之间的泄漏最小。
[0004]随着芯片制造技术的进步，对流量控制设备的需求也随之提高。半导体制造工艺越来越需要提高性能，包括更准确的测量、更低的设备成本、改进的瞬态响应时间以及更好的气体输送时间的一致性。为了提高气体输送的一致性，需要改进的流量限制器及其密封件。

技术实现思路

[0005]本技术涉及用于在质量流量控制器或其他气体输送装置中使用的流量限制器的密封件。这些气体输送装置中的一种或多种可用于广泛的工艺，例如半导体芯片制造、太阳能电池板制造等。
[0006]在一种实施方式中，本专利技术是用于气体流量限制器的密封件，该密封件具有第一端、第二端和用于接收流量限制器的孔，以在流量限制器和密封件之间形成流体密封连接。
[0007]在另一个实施方式中，本专利技术是一种阀组件，该阀组件具有阀、流量限制器和密封件。阀具有通道。流量限制器具有第一端、第二端、从第一端延伸到第二端的纵向轴线、以及沿纵向轴线位于第一端和第二端之间的密封部分。密封件与流量限制器的密封部分和阀的通道接触。
[0008]在又一实施方式中，本专利技术是一种阀组件，该阀组件具有阀，该阀具有第一通道、第二通道、第一密封凹部和第二凹部。阀组件具有基部，该基部具有第三密封凹部和第四密封凹部。阀组件具有流量限制器，流量限制器具有第一端、第二端、从第一端延伸到第二端的纵向轴线，以及沿着纵向轴线位于第一端和第二端之间的流量限制器的表面。最后，阀组件具有密封件，其与流量限制器的表面和阀的第一密封凹部接触。
[0009]本技术的其他应用领域将从下文提供的详细描述中变得显而易见。应当理解，详细描述和具体示例虽然指示了优选实施方式，但仅旨在用于说明的目的，而不旨在限制本技术的范围。
附图说明
[0010]本公开的专利技术将通过详细描述和附图变得更被充分地理解，其中：
[0011]图1是使用一个或多个流量限制器的工艺的示意图。
[0012]图2是可以在图1的工艺中使用的质量流量控制器的示意图。
[0013]图3是阀的示意图，该阀结合了可用于图2的质量流量控制器的流量限制器和密封件的第一实施例。
[0014]图4是可用于图3的阀的流量限制器和密封件的第一实施例的立体图。
[0015]图5是图4的沿线V
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V截取的流量限制器和密封件的剖视图。
[0016]图6是图4的无密封件的流量限制器的立体图。
[0017]图7是图4的无流量限制器的密封件的立体图。
[0018]图8是阀的示意图，该阀结合了可用于图2的质量流量控制器的流量限制器和密封件的第二实施例。
[0019]图9是可用于图8的阀的流量限制器和密封件的第二实施例的立体图。
[0020]图10是图9沿线X
‑
X截取的流量限制器和密封件的剖视图。
[0021]图11是图9的无流量限制器的密封件的立体图。
[0022]图12是图11的沿线XII
‑
XII截取的密封件的剖视图。
[0023]图13是图11的密封件的正视图。
[0024]图14是图11的密封件的俯视图。
具体实施方式
[0025]根据本专利技术原理的说明性实施例的描述旨在结合附图来阅读，这些附图被认为是整个书面描述的一部分。在本文所公开的本专利技术的实施例的描述中，任何对方向或方向的提及仅是为了描述的方便，而不是以任何方式限制本专利技术的范围。相对术语，例如“下”、“上”、“水平”、“垂直”、“之上”、“之下”、“向上”、“向下”、“左”、“右”、“顶”和“底”及其派生词(例如，“水平地”、“向下地”、“向上地”等)应被解释为指的是随后描述的或讨论中的附图中所示的方向。这些相对术语仅是为了便于描述，并且不要求装置以特定方向构造或操作，除非明确指出。诸如“附接”、“固定”、“连接”、“联接”、“互连”和类似术语是指一种关系，其中结构通过中间结构直接或间接地相互固定或连接，以及两者可移动的或刚性的附接或关系，除非另有明确说明。此外，本专利技术的特征和优点通过参考优选实施例来说明。因此，本专利技术明确地不应限于这样的优选实施例，这些优选实施例示出了可以单独存在或以其他特征组合存在的特征的一些可能的非限制性组合；本专利技术的范围由所附权利要求限定。
[0026]本专利技术涉及用于控制气流的装置中的流量限制器的密封件。在一些实施例中，该装置可以用作质量流量控制器以将已知质量流量的气体输送到半导体或类似工艺。半导体制造是一个需要高性能控制气流的行业。随着半导体制造技术的进步，客户已经认识到需要在输送气流质量方面具有更高准确性和可重复性的流量控制装置。现代半导体工艺要求严格控制气流的质量、最小化响应时间以及高度准确的气流。本专利技术的密封件确保流量限制器更有效地密封在其流动通道中并且成本降低。
[0027]图1示出了使用一个或多个流量限制器的示例性处理系统1000的示意图。处理系统1000可以利用流体地联接到处理室1300的多个用于控制流量的装置100。多个用于控制流量的装置100用于将一种或多种不同的工艺气体供应到处理室1300。可以在处理室1300内处理诸如半导体之类的物品。阀1100将每个用于控制流量的装置100与处理室1300隔离，使得每个用于控制流量的装置100能够选择性地与处理室1300连接或隔离，从而促进各种
不同的处理步骤。处理室1300可以包含施加器以施加由多个用于控制流量的装置100输送的工艺气体，从而能够选择性地或扩散地分配由多个用于控制流量的装置100供应的气体。此外，处理系统1000还可以包括真空源1200，真空源1200通过阀1100与处理室1300隔离以实现工艺气体的抽空或便于净化一个或多个用于控制流量的装置100以实现在同一用于控制流量100的装置中的工艺气体之间的切换。可选地，用于控制流量的装置100可以是质量流量控制器、分流器或控制处理系统中的工艺气体的流量的任何其他装置。此外，如果需要，可以将阀1100集成到用于控制流量的装置100中。
[0028]可以在处理系统100中执行的工艺可以包括湿法清洁、光刻、离子注入、干法蚀刻、原子层蚀刻、湿法蚀刻、等离子灰化、快速热退火、炉退火、热氧化、化学气相沉积、原子层沉积、物理气相沉积、分子束外延、激光剥离、电化学沉积、化学机械抛光、晶圆测试，或使用受控容积的工艺气体的任何其他工艺。
[0029]图2示出了示例性质量流量控制器101的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于气体流量限制器的密封件，该密封件包括：第一端；第二端，从所述第一端延伸到所述第二端的纵向轴线；以及孔，该孔容纳所述流量限制器以在所述流量限制器和所述密封件之间形成流体密封连接。2.根据权利要求1所述的密封件，其中，所述密封件被配置成插入到阀的孔口中。3.根据权利要求1所述的密封件，其中，所述密封件是非金属的。4.根据权利要求1所述的密封件，其中，所述密封件由聚四氟乙烯形成。5.根据权利要求1所述的密封件，其中，所述密封件具有第一端和第二端，所述密封件沿着所述纵向轴线从所述第一端延伸到所述第二端。6.根据权利要求1所述的密封件，其中，密封腹板沿着所述纵向轴线位于所述第一端和所述第二端之间。7.根据权利要求6所述的密封件，其中，所述密封腹板包括流量孔，所述流量孔是矩形的。8.根据权利要求1所述的密封件，其中，所述密封件包括第一密封环和第二密封环。9.根据权利要求1所述的密封件，其中，所述密封件包括垫片。10.一种阀组件，包括：包括有通道的阀；流量限制器，该流量限制器包括：第一端；第二端；从所述第一端延伸至所述第二端的纵向轴线；密封部分，其沿所述纵向轴线位于所述第一端与所述第二端之间；以及密封件，其与所述流量限制器的密封部分和所述阀的通道接触。11.根据权利要求10所述的阀组件，其中，所述密封件由聚四氟乙烯形成。12.根据权利要求10所述的阀组件，其中，所述密封件是非金属的。13.根据权利要求10所述的阀组件，其中，所述密封件是金属的。14.根据权利要求10所述的阀组件，其中，所述密封件沿着所述纵向轴线从第一端延伸到第二端。15.根据权利要求10所述的阀组件，其中，所述流量限制器还包括脊部，所述密封件与所述脊部接触。16.根据权利要求10所述的阀组件，其中，所述流量限制器还包括未密封部分，所述未密封部分具有第一直径，所述密封部分具有第二直径。17.根据权利要求16所述的阀组件，其中，所述第一直径大于所述第二直径。18.根据权利要求16所述的阀组件，其中，所述密封件的外表面具有...

【专利技术属性】
技术研发人员：马修，
申请(专利权)人：艾科系统公司，
类型：发明
国别省市：