公开设备及方法，其包含位于快闪存储器装置的快闪存储器阵列内的循序映射表。选定实例包含所述快闪存储器装置中的用以在通电时将所述循序映射表加载到高速缓存中并使用所述循序映射表执行读取及写入操作的固件。选定实例包含所述快闪存储器装置中的用以在所述快闪存储器装置断电时将更新循序映射表存储到所述快闪存储器阵列中的固件。所述快闪存储器阵列中的固件。所述快闪存储器阵列中的固件。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】存储器映射装置及方法
[0001]本公开的实施例大体上涉及将逻辑位置映射到存储器中的物理位置；且更具体来说涉及用于此映射的减小大小数据结构。
技术介绍
[0002]存储器装置是为主机系统(例如，计算机或其它电子装置)提供数据的电子存储的半导体电路。存储器装置可为易失性或非易失性的。易失性存储器需要电力来维持其数据且包含例如随机存取存储器(RAM)、静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)或同步动态随机存取存储器(SDRAM)等的装置。非易失性存储器可在未被供电时留存所存储数据，且包含例如快闪存储器、只读存储器(ROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、可擦除可编程ROM(EPROM)、例如相变随机存取存储器(PCRAM)的电阻可变存储器、电阻随机存取存储器(RRAM)或磁阻随机存取存储器(MRAM)等的装置。
[0003]主机系统通常包含主机处理器、用以支持主机处理器的第一量的主存储器(例如，通常为易失性存储器，例如DRAM)以及一或多个存储系统(例如，通常为非易失性存储器，例如快闪存储器)，其除主存储器之外或独立于主存储器提供额外存储来留存数据。
[0004]存储器通常通过虚拟的逻辑块及物理块来描述及组织。物理块通过一或多个半导体裸片内的位置中的实际物理位置来描述。逻辑块是概念性的，并且可在软件环境中使用。在例如此的存储器组织中，映射表可用于追踪虚拟块与物理块的关联方式。随着存储器装置在大小及复杂性方面增加，期望用以提高存储器映射表的效率的装置及方法。
[0005]存储器通常通过虚拟的并且与物理块相关的逻辑块来描述及组织。物理块通过一或多个存储器阵列内的实际物理位置来描述，例如一或多个半导体存储器裸片。逻辑块是概念性的，并且可在软件环境中使用。在例如此的存储器组织中，例如映射表的数据结构可用于追踪虚拟块与物理块的关联方式。随着存储器装置在大小及复杂性方面增加，期望用以提高存储器映射表的效率的装置及方法。
附图说明
[0006]在不一定按比例绘制的图式中，相似数字可描述不同视图中的类似组件。具有不同字母下标的相似数字可表示类似组件的不同例子。图式大体上通过实例而非限制方式说明本文献中论述的各种实施例。
[0007]图1说明包含主机装置及存储系统的实例主机系统。
[0008]图2说明根据一些实例实施例的存储器装置的框图。
[0009]图3说明根据一些实例实施例的循序映射表。
[0010]图4说明根据一些实例实施例的实例方法流程图。
[0011]图5A到5F说明根据一些实例实施例的一系列实例循序映射表操作。
[0012]图6说明根据一些实例实施例的实例循序映射表。
[0013]图7说明根据一些实例实施例的信息处置系统的实例框图。
具体实施方式
[0014]以下描述及图式充分说明特定实施例，以使所属领域的技术人员能够对其进行实践。其它实施例可并入结构、逻辑、电气、工艺及其它改变。一些实施例的部分及特征可被包含在其它实施例的部分及特征中或代替其它实施例的部分及特征。权利要求书中阐述的实施例涵盖所述权利要求书的所有可用等效物。
[0015]许多存储装置(例如快闪装置)使用数据结构(例如转译表)将逻辑元素(例如，页面或块)映射到逻辑元素的物理等效物(此类转译表，称为“L2P表”)。此类L2P表通常存储在存储装置中，并且在操作期间，所述表或其部分通常被加载到控制器的内部存储器中。如果表大小大于控制器的内部存储器(例如，随机存取存储器(RAM)，例如动态RAM(DRAM)或静态RAM(SRAM)，那么表的一部分加载到内部存储器中，并且表的其余部分存储在其它存储装置中，例如主存储装置(在一些实例中，NAND快闪存储器存储装置)。如果转译请求(例如，逻辑到物理(L2P)映射)不在内部存储器中，那么控制器将用来自其它存储装置的适当部分替换表的内部存储器部分。在执行例如读取或写入存储装置的操作时，此过程可增加延时。
[0016]在包含有限的可用于存储L2P表的一部分的RAM(这将通常为对可存储的L2P表的量的进一步限制)的装置中，此问题会加剧。如本文描述的实施例包含L2P表的全部或一部分的减小大小的表示的产生及使用。在下文描述的实例中，当多个循序逻辑地址对应于多个循序物理地址时，可通过序列的初始逻辑地址、序列的初始物理地址以及循序对应逻辑及物理地址的数目来指示对应关系。
[0017]举例来说，对应于一群组循序逻辑地址(例如逻辑块地址，“LBA”)的物理地址(例如物理块地址，“PBA”)的序列可由以下表示：PBA的序列的初始块的PBA；与循序LBA的所述群组相关联的循序LBA的群组的初始块的LBA；以及与循序LBA的群组相关联的循序PBA的数目的指示符。出于本描述的目的，在下面的选定论述实例中，此类表示可在表中呈现，在本文中称为“循序映射表”。在许多实例中，循序映射表还将包含非循序逻辑及物理地址的表示。
[0018]存储器装置包含个别存储器裸片，其可例如包含包括实施一种(或多种)选定存储技术的一或多个存储器单元阵列的存储区域。此存储器裸片通常将包含用于操作存储器阵列的支持电路系统。有时通常被称为“被管理存储器装置”的其它实例包含与控制器功能性相关联的一或多个存储器裸片的组合件，所述控制器功能性经配置以控制一或多个存储器裸片的操作。此控制器功能性可简化与外部装置(如“主机”)的互操作性，如本文稍后所论述。在此类被管理存储器装置中，控制器功能性可在也并入存储器阵列的一或多个裸片上或在单独裸片上实施。在其它实例中，一或多个存储器装置可与控制器功能性组合以形成固态驱动器(SSD)存储卷。
[0019]在实施NAND闪存单元的被管理存储器装置(被称为“被管理NAND”装置)的实例中描述本公开的实施例。然而，这些实例不限制本公开的范围，本公开可以其它形式的存储器装置及/或用其它形式的存储技术来实施。
[0020]NOR或NAND架构半导体存储器阵列中的每一快闪存储器单元可个别或共同编程到一个或若干编程状态。举例来说，单电平单元(SLC)可表示两个编程状态(例如，1或0)中的一者，其表示一个数据位。快闪存储器单元还可表示两个以上编程状态，这允许在不增加存储器单元的数目的情况下制造较高密度存储器，这是因为每一单元可表示一个以上二进制
数字(例如，一个以上位)。此类单元可被称为多状态存储器单元、多数字单元或多电平单元(MLC)。在某些实例中，MLC可指代每单元可存储两个数据位(例如，四个编程状态中的一者)的存储器单元，三电平单元(TLC)可指代每单元可存储三个数据位(例如，八个编程状态中的一者)的存储器单元，且四电平单元(QLC)可每单元存储四个数据位。MLC在本文中在其更广泛的上下文中用于指代每单元可存储一个以上数据位的任何存储器单元(即，其可表示两个以上编程状态)。
[0021]可根据公认的行业标准来配置及操作被管理存储器装置。举例来说，被管理NAND装置可为(作为非限制性实例)、通本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种存储器装置，其包括：至少一个存储器存储阵列，其包括存储器单元的物理块；控制器，其可响应存储在所述存储器装置中的指令而操作，其中所述指令在由所述控制器执行时致使所述控制器执行包括以下的操作：响应于对所述存储器装置的第一读取请求，读取存储在所述存储器装置内的循序映射表，所述循序映射表包含将逻辑块地址(LBA)与所述存储阵列的块的物理块地址(PBA)相关联的多个循序写入条目，其中所述循序映射表包含；循序块写入长度指示符，其标识对应于第一群组循序LBA的多个循序PBA的数目；及所述循序PBA的起始PBA。2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述操作进一步包括：通过参考所述循序映射表，响应于所述第一读取请求标识含有多个存储器单元的多个PBA；及响应于所述第一读取请求存取所述多个PBA并读取所述存储器单元的电性质。3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中存储器单元的所述物理块内的存储器单元以页面的形式布置，且其中响应于所述第一读取请求读取所述存储器单元的电性质包括读取以相应物理块的形式布置的多个页面。4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述操作进一步包括：读取存储在所述存储器存储阵列中的逻辑到物理(L2P)表的至少一部分；及产生代表所述L2P表的至少一部分的所述循序映射表。5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述操作进一步包括：识别在所述存储器装置中执行的对物理块地址的循序写入；及在所述存储器装置中执行在写入时产生所述循序映射表的描述符。6.根据权利要求5所述的存储器装置，其中所述操作进一步包括，将所述循序映射表存储在所述存储器存储阵列内；及将所述循序映射表写入所述存储器装置的高速缓冲存储器；其中所述循序映射表的所述读取包括从所述高速缓冲存储器读取所述循序映射表。7.根据权利要求6所述的存储器装置，其中所述高速缓冲存储器包括易失性存储器。8.根据权利要求7所述的存储器装置，其中所述高速缓冲存储器包括SRAM。9.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述循序映射表包含针对以下的数据字段：与所述存储阵列相关联的LBA；所述存储阵列的PBA；及所述循序块写入长度指示符。10.根据权利要求1所述的存储器装置，其进一步包含个别映射表。11.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述快闪存储器存储阵列包含NAND存储阵列。12.根据权利要求1所述的存储器装置，其进一步包含所述存储器装置内的控制器，所述控制器包含用以在所述主机装置断电时从主机装置更新所述循序映射表的固件。13.根据权利要求1所述的存储器装置，其进一步包含所述存储器装置内的控制器，所述控制器...
【专利技术属性】
技术研发人员：段星辉，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：
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