异质结太阳能电池和光伏组件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种异质结太阳能电池和光伏组件，异质结太阳能电池包括：硅片衬底，硅片衬底的相对两侧分别形成有受光面和背光面，受光面为金字塔绒面，背光面为金字塔绒面或平面，受光面的加权平均反射率为A，背光面的的加权平均反射率为B，其中，A、B满足关系式：B＞A。由此，通过将受光面设置为金字塔绒面，将背光面设置为金字塔绒面或平面，并且将背光面的加权平均反射率设置地大于受光面的加权平均反射率，这样可以增强背光面对太阳光的反射，可以减少太阳光从背光面透出，从而可以增加异质结太阳能电池对太阳光的吸收利用，可以提升异质结太阳能电池的光电转换效率，可以提升异质结太阳能电池的短路电流。升异质结太阳能电池的短路电流。升异质结太阳能电池的短路电流。

【技术实现步骤摘要】
异质结太阳能电池和光伏组件


[0001]本技术涉及光伏制造
，尤其是涉及一种异质结电太阳能电池和光伏组件。

技术介绍

[0002]随着新能源的持续发展，异质结太阳能电池的应用越来越广泛。异质结太阳能电池一般由硅片衬底以及在硅片衬底两侧依次层叠设置的本征非晶硅层、掺杂非晶硅层和透明导电层构成，以实现对太阳能的吸收和利用。
[0003]在现有技术中，因制绒工艺，异质结太阳能电池的受光面和背光面的绒面结构基本一致，受光面反射率较低，可以对入射光能形成很好的陷光效果，但背光面由于反射率较低，对长波光的透光率也较大，这样会导致异质结太阳能电池的短路电流较低。

技术实现思路

[0004]本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本技术提出了一种异质结太阳能电池，该异质结太阳能电池的背光面反射率较高，异质结太阳能电池的短路电流较高。
[0005]本技术进一步地提出了一种光伏组件。
[0006]根据本技术实施例的异质结太阳能电池，包括：硅片衬底，所述硅片衬底的相对两侧分别形成有受光面和背光面，所述受光面为金字塔绒面，所述背光面为金字塔绒面或平面，所述受光面的加权平均反射率为A，所述背光面的的加权平均反射率为B，其中，A、B满足关系式：B＞A。
[0007]由此，通过将受光面设置为金字塔绒面，将背光面设置为金字塔绒面或平面，并且将背光面的加权平均反射率设置地大于受光面的加权平均反射率，这样可以增强背光面对太阳光的反射，可以减少太阳光从背光面透出，从而可以增加异质结太阳能电池对太阳光的吸收利用，可以提升异质结太阳能电池的光电转换效率，可以提升异质结太阳能电池的短路电流。
[0008]根据本技术的一些实施例，A、B满足关系式：(B
‑
A)/A＞10％。
[0009]根据本技术的一些实施例，A、B满足关系式：9％≤A≤12％，12％≤B≤35％。
[0010]根据本技术的一些实施例，所述受光面的金字塔均匀分布且所述背光面的金字塔均匀分布，所述受光面的金字塔数量为C1，所述背光面的金字塔数量为C2，C1、C2满足关系式：C1＞C2。
[0011]根据本技术的一些实施例，C1、C2满足关系式：(C1
‑
C2)/C1＞10％。
[0012]根据本技术的一些实施例，所述受光面的金字塔尺寸中位值为D1，所述背光面的金字塔尺寸中位值为D2，D1、D2满足关系式：D1＜D2。
[0013]根据本技术的一些实施例，D1、D2满足关系式：(D2
‑
D1)/D1＞10％。
[0014]根据本技术的一些实施例，D1满足关系式：0.5μm≤D1≤3.5μm。
[0015]根据本技术的一些实施例，所述异质结太阳能电池还包括依次层叠设置于所述受光面的第一本征非晶层、第一掺杂非晶层和第一透明导电层，以及包括依次层叠设置于所述背光面的第二本征非晶层、第二掺杂非晶层和第二透明导电层。
[0016]根据本技术实施例的光伏组件，包括：以上所述的异质结太阳能电池。
[0017]本技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本技术的实践了解到。
附图说明
[0018]本技术的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
[0019]图1是根据本技术实施例的异质结太阳能电池的示意图；
[0020]图2是根据本技术另一实施例的异质结太阳能电池的示意图；
[0021]图3是根据本技术另一实施例的异质结太阳能电池的示意图。
[0022]附图标记：
[0023]100、异质结太阳能电池；
[0024]10、硅片衬底；11、受光面；12、背光面；13、金字塔；
[0025]20、第一本征非晶层；21、第一掺杂非晶层；22、第一透明导电层；
[0026]30、第二本征非晶层；31、第二掺杂非晶层；32、第二透明导电层。
具体实施方式
[0027]下面详细描述本技术的实施例，参考附图描述的实施例是示例性的。
[0028]下面参考图1
‑
图3描述根据本技术实施例的异质结太阳能电池100，异质结太阳能电池100可以应用于光伏组件。
[0029]结合图1
‑
图3所示，根据本技术实施例的异质结太阳能电池100可以主要包括：硅片衬底10，硅片衬底10的相对两侧分别形成有受光面11和背光面12。具体地，异质结太阳能电池100在工作时，太阳光照射硅片衬底10，硅片衬底10上直接接收太阳光照射的一侧表面为受光面11，硅片衬底10上非直接接收太阳光照射的一侧表面背光面12，受光面11和背光面12相对设置，这样太阳光可以从受光面11进入硅片衬底10内部，并且从背光面12透出，硅片衬底10可以对太阳光进行吸收和利用，从而可以实现异质结太阳能电池100的光电转换。
[0030]结合图1
‑
图3所示，受光面11为金字塔绒面，背光面12为金字塔绒面或平面。具体地，将受光面11设置为金字塔绒面，多个金字塔13可以对太阳光进行多次反射和折射，这样可以改变太阳光的传播路径，使入射的太阳光更多地进入硅片衬底10内部，可以减小受光面11对太阳光的反射，从而可以增加异质结太阳能电池100对太阳光的吸收利用，可以提升异质结太阳能电池100的光电转换效率。
[0031]进一步地，将背光面12设置为金字塔绒面或平面，这样可以保持或增强背光面12的反射率，从而可以减少太阳光从硅片衬底10的背光面12透出，可以进一步地增加异质结太阳能电池100对太阳光的吸收利用，可以进一步地提升异质结太阳能电池100的光电转换效率。
[0032]受光面11的加权平均反射率为A，背光面12的加权平均反射率为B，其中，A、B满足关系式：B＞A。具体地，将背光面12的加权平均反射率设置地大于受光面11的加权平均反射率，这样一方面可以保证受光面11的加权平均反射率较小，可以提升受光面11的陷光效果，从而可以使更多的太阳光从受光面11进入硅片衬底10内部，可以增加硅片衬底10对太阳光的吸收利用，可以保证异质结太阳能电池100的光电转换效率，另一方面可以保证背光面12的加权平均反射率较大，这样可以提升背光面12对太阳光的反射，可以减少太阳光从背光面12透出，从而可以进一步地提升硅片衬底10对太阳光的吸收利用，可以提升异质结太阳能电池100的短路电流。
[0033]需要说明的是，加权平均反射率为光伏制造行业标准的、公认的指标，行业内有统一的测量和计算方法，上述的受光面11和背光面12的加权平均反射率由行业内通用的反射率测量仪器检测所得。
[0034]由此，通过将受光面11设置为金字塔绒面，将背光面12设置为金字塔绒面或平面，并且将背光面1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种异质结太阳能电池，其特征在于，包括：硅片衬底，所述硅片衬底的相对两侧分别形成有受光面和背光面，所述受光面为金字塔绒面，所述背光面为金字塔绒面或平面，所述受光面的加权平均反射率为A，所述背光面的加权平均反射率为B，其中，A、B满足关系式：B＞A。2.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，A、B满足关系式：(B
‑
A)/A＞10％。3.根据权利要求2所述的异质结太阳能电池，其特征在于，A、B满足关系式：9％≤A≤12％，12％≤B≤35％。4.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述受光面的金字塔均匀分布且所述背光面的金字塔均匀分布，所述受光面的金字塔数量为C1，所述背光面的金字塔数量为C2，C1、C2满足关系式：C1＞C2。5.根据权利要求4所述的异质结太阳能电池，其特征在于，C1、C2满足关系式：(C1
‑<...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴华德，钟观发，吴坚，
申请(专利权)人：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司，
类型：新型
国别省市：