整流桥堆及电子设备制造技术

本实用新型专利技术公开了一种整流桥堆及电子设备，整流桥堆包括：第一框架、第二框架、第三框架、第四框架、第一芯片、第二芯片、第三芯片、第四芯片、第五芯片、第六芯片、第七芯片和第八芯片；第一芯片的N电极和第二芯片的N电极分别层叠于第一框架的正反两面，第三芯片的N电极和第四芯片的N电极分别层叠于第二框架的正反两面，第五芯片的N电极和第六芯片的N电极分别层叠于第三框架的正反两面，第七芯片的N电极和第八芯片的N电极分别层叠于第三框架的正反两面。本实用新型专利技术不仅能提供大功率，而且结构更紧凑、体积更小。体积更小。体积更小。

【技术实现步骤摘要】
整流桥堆及电子设备


[0001]本技术涉及整流桥堆
，更具体地，涉及一种整流桥堆及电子设备。

技术介绍

[0002]整流桥堆是由四个二极管芯片作桥式连接，外用绝缘材料封装而成，引出四个引脚，分别用于连接直流电源的正、负极以及交流电源的两电极，其作用是将交流电源的交流电转化成直流电源的直流电。
[0003]适用于大功率电子设备的大功率整流器，通常是将两个相同型号的整流桥堆焊接一起并联形成，原理如图1所示，然而由两个整流桥堆焊接在一起形成的大功率整流器虽然能满足功率需求，但是，体积较大，无法满足小型化的大功率电子设备(例如充电器、电源适配器或LED驱动电源等)的需求。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于克服现有技术存在的上述缺陷，提供一种整流桥堆及电子设备，不仅能提供大功率，而且结构更紧凑、体积更小。
[0005]为实现上述目的，本技术的技术方案如下：
[0006]一种整流桥堆，包括：第一框架、第二框架、第三框架、第四框架、第一芯片、第二芯片、第三芯片、第四芯片、第五芯片、第六芯片、第七芯片和第八芯片；
[0007]所述第一框架、所述第二框架、所述第三框架和所述第四框架均位于同一平面，且相互间隔设置，所述第一框架、所述第二框架、所述第三框架和所述第四框架分别具有正面和反面，所述第一框架、所述第二框架、所述第三框架和所述第四框架的正面和反面分别均位于同一侧；
[0008]所述第一框架和所述第二框架分别用于与交流电源的两电极电连接；所述第三框架用于与直流电源正极电连接，所述第四框架用于与直流电源负极电连接；
[0009]所述第一芯片、所述第二芯片、所述第三芯片、所述第四芯片、所述第五芯片、所述第六芯片、所述第七芯片和所述第八芯片分别具有P电极和N电极，
[0010]所述第一芯片的N电极和所述第二芯片的N电极分别层叠于所述第一框架的正反两面，所述第三芯片的N电极和所述第四芯片的N电极分别层叠于所述第二框架的正反两面，所述第五芯片的N电极和所述第六芯片的N电极分别层叠于所述第三框架的正反两面，所述第七芯片的N电极和所述第八芯片的N电极分别层叠于所述第三框架的正反两面；
[0011]所述第一芯片的P电极通过第一连接线与所述第四框架相连接，所述第三芯片的P电极通过第二连接线与所述第四框架相连接，所述第五芯片的P电极通过第三连接线与所述第二框架相连接，所述第七芯片的P电极通过第四连接线与所述第一框架相连接，所述第二芯片的P电极通过第五连接线与所述第四框架相连接，所述第四芯片的P电极通过第六连接线与所述第四框架相连接，所述第六芯片的P电极通过第七连接线与所述第二框架相连接，所述第八芯片的P电极通过第八连接线与所述第一框架相连接。
[0012]本技术还公开了一种包括上述整流桥堆的电子设备。
[0013]实施本技术实施例，将具有如下有益效果：
[0014]本技术实施例通过在各框架的正反两面分别层叠芯片，使各框架上均形成并联的两个芯片，并联的两个芯片能提供双倍功率，与现有技术中将两个相同型号的整流桥堆焊接一起并联形成的整流器的功率相当，然而，本技术的并联的两个芯片共用一个框架，能够显著降低整流桥堆的厚度，以及整合简化整流桥堆的结构，使整流桥堆整体体积更小，以满足小型化的大功率电子设备。
附图说明
[0015]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0016]其中：
[0017]图1是现有技术中两个相同型号的整流桥堆并联的原理示意图。
[0018]图2是本技术的整流桥堆的原理示意图。
[0019]图3是本技术一具体实施例的在各框架的正面点结合材的结构示意图。
[0020]图4是在图3所示结构上放置各芯片的结构示意图。
[0021]图5是在图4所示结构的各框架的反面点结合材的结构示意图。
[0022]图6是在图5所示结构上放置各芯片的结构示意图。
[0023]图7是在图4所示结构上放置各连接线的结构示意图。
[0024]图8是在图6所示结构上放置各连接线的结构示意图。
[0025]图9是对图8所示结构封装绝缘封装体后的结构示意图。
[0026]图10是图9所示结构的侧视图。
[0027]图11是本技术一具体实施例的芯片的结构示意图。
具体实施方式
[0028]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0029]本技术公开了一种整流桥堆，包括框架10分别层叠至框架10两侧的各芯片20以及连接框架10和芯片20的连接线30，具体的，框架10包括四个框架，分别为第一框架11、第二框架12、第三框架13和第四框架14，芯片20包括八个芯片，分别为第一芯片21、第二芯片22、第三芯片23、第四芯片24、第五芯片25、第六芯片26、第七芯片27和第八芯片28，连接线30包括八个连接线，分别为第一连接线31、第二连接线32、第三连接线33、第四连接线34、第五连接线35、第六连接线36、第七连接线37和第八连接线38，第一框架11、第二框架12、第三框架13和第四框架14均位于同一平面，且相互间隔设置，第一框架11、第二框架12、第三框架13和第四框架14分别具有正面和反面，第一框架11、第二框架12、第三框架13和第四框
架14的正面和反面分别均位于同一侧；第一框架11和第二框架12分别用于与交流电源的两电极电连接；第三框架13用于与直流电源正极电连接，第四框架14用于与直流电源负极电连接；第一芯片21、第二芯片22、第三芯片23、第四芯片24、第五芯片25、第六芯片26、第七芯片27和第八芯片28分别具有P电极201和N电极202，第一芯片21的N电极202和第二芯片22的N电极202分别层叠于第一框架11的正反两面，第三芯片23的N电极202和第四芯片24的N电极202分别层叠于第二框架12的正反两面，第五芯片25的N电极202和第六芯片26的N电极202分别层叠于第三框架13的正反两面，第七芯片27的N电极202和第八芯片28的N电极202分别层叠于第三框架13的正反两面；第一芯片21的P电极201通过第一连接线31与第四框架14相连接，第三芯片23的P电极201通过第二连接线32与第四框架14相连接，第五芯片25的P电极201通过第三连接线33与第二框架12相连接，第七芯片27的P电极201通过第四连接线34与第一框本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种整流桥堆，其特征在于，包括：第一框架、第二框架、第三框架、第四框架、第一芯片、第二芯片、第三芯片、第四芯片、第五芯片、第六芯片、第七芯片和第八芯片；所述第一框架、所述第二框架、所述第三框架和所述第四框架均位于同一平面，且相互间隔设置，所述第一框架、所述第二框架、所述第三框架和所述第四框架分别具有正面和反面，所述第一框架、所述第二框架、所述第三框架和所述第四框架的正面和反面分别均位于同一侧；所述第一框架和所述第二框架分别用于与交流电源的两电极电连接；所述第三框架用于与直流电源正极电连接，所述第四框架用于与直流电源负极电连接；所述第一芯片、所述第二芯片、所述第三芯片、所述第四芯片、所述第五芯片、所述第六芯片、所述第七芯片和所述第八芯片分别具有P电极和N电极；所述第一芯片的N电极和所述第二芯片的N电极分别层叠于所述第一框架的正反两面，所述第三芯片的N电极和所述第四芯片的N电极分别层叠于所述第二框架的正反两面，所述第五芯片的N电极和所述第六芯片的N电极分别层叠于所述第三框架的正反两面，所述第七芯片的N电极和所述第八芯片的N电极分别层叠于所述第三框架的正反两面；所述第一芯片的P电极通过第一连接线与所述第四框架相连接，所述第三芯片的P电极通过第二连接线与所述第四框架相连接，所述第五芯片的P电极通过第三连接线与所述第二框架相连接，所述第七芯片的P电极通过第四连接线与所述第一框架相连接，所述第二芯片的P电极通过第五连接线与所述第四框架相连接，所述第四芯片的P电极通过第六连接线与所述第四框架相连接，所述第六芯片的P电极通过第七连接线与所述第二框架相连接，所述第八芯片的P电极通过第八连接线与所述第一框架相连接。2.根据权利要求1所述的整流桥堆，其特征在于，还包括包覆所述第一框架、所述第二框架、所述第三框架、所述第四框架、所述第一芯片、所述第二芯片、所述第三芯片、所述第四芯片、所述第五芯片、所述第六芯片、所述第七芯片、所述第八芯片、所述第一连接线、所述第二连接线、所述第三连接线、所述第四连接线、所述第五连接线、所述第六连接线、所述第七连接线和所述第八连接线的绝缘封装...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨旭日，赵宇，
申请(专利权)人：深圳市旭昌辉半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：