一种炉门及半导体热处理设备制造技术

一种炉门及半导体热处理设备，炉门包括炉门本体，炉门本体朝向反应腔室的端面开设有环形的密封槽，密封槽用于容纳密封圈，炉门本体背离反应腔室的端面开设有散热槽，散热槽内设置有散热片。本实用新型专利技术涉及的炉门，通具有散热片的散热槽增加密封槽底部的散热面积，既能达到密封圈散热的目的，还能解决炉门表面副产物凝结的问题，且结构加工工艺简单，成本较低。成本较低。成本较低。

【技术实现步骤摘要】
一种炉门及半导体热处理设备


[0001]本技术属于半导体
，更具体地，涉及一种炉门及半导体热处理设备。

技术介绍

[0002]在半导体工艺中，低压化学气相沉积(LPCVD)工艺中颗粒污染较难控制，例如SIN机台，工艺后产生的副产物主要是氯化氨，氯化氨在高于100℃时为气态，低于100℃时则容易凝结为固态，因此，该副产物容易在反应腔体温度较低的地方进行凝结,进而在工艺过程中产生颗粒污染，影响产品质量。在半导体立式热处理设备中，设备的炉门，即工艺门作为承载运送晶圆的装置，同时起到对反应腔室的密封作用，隔绝与外界环境的接触，以免在反应过程中掺入其它如氧气、水汽等非工艺特气。工艺门表面洁净度的要求非常高，经过反复工艺，如果工艺门表面出现副产物附着，此时工艺过程中及加载卸载时会掉落在晶圆的表面，造成颗粒超标影响晶圆质量。而在炉管反应腔体中，工艺门的内侧设有密封槽，用于安装密封圈，通过在工艺门外侧的循环水冷机构来给密封圈降温，从而使密封圈在可耐受温度范围内工作，而过一定沉积工艺后，工艺门上内表面与反应气体直接接触，温度偏低的地方容易出现氯化氨副产物，导致在工艺过程中副产物随气流扰动从而转移到晶圆表面，造成产品颗粒严重超标；如果频繁的定期清理导致机台的可利用率降低，影响机台的效率。
[0003]因此，需要一种新的工艺门，在保证密封圈的耐受温度的同时，又能够满足工艺门表面的温度不会太低而产生副产物。

技术实现思路

[0004]本技术的目的是提供一种炉门及半导体热处理设备，在保证密封圈的耐受温度的同时，又能够满足炉门表面的温度不会太低而产生副产物。
[0005]为了实现上述目的，本技术提供一种炉门，用于密封半导体热处理设备的反应腔室，所述炉门包括炉门本体，所述炉门本体朝向所述反应腔室的端面开设有环形的密封槽，所述密封槽用于容纳密封圈，所述炉门本体背离所述反应腔室的端面开设有散热槽，所述散热槽内设置有散热片。
[0006]优选地，所述散热槽的位置与所述密封槽的位置相对应。
[0007]优选地，所述散热槽内设置有多个所述散热片，所述散热片由所述的底壁向所述反应腔室的方向延伸，每相邻的两个所述散热片之间和所述散热槽的内侧壁与所述散热片之间均形成散热间隙。
[0008]优选地，所述散热槽为与所述炉门本体同心设置的环形凹槽，多个所述散热片环绕所述散热槽的中心由内向外依次设置，所述散热槽与所述密封槽同心设置。
[0009]优选地，所述散热片的横截面为矩形或V形。
[0010]优选地，所述散热间隙的横截面为矩形、三角形或梯形。
[0011]优选地，所述密封槽的横截面为梯形。
[0012]优选地，所述炉门本体为圆形。
[0013]本技术还提供一种半导体热处理设备，包括由炉体和设置于炉体底部的炉门构成的反应腔室，所述炉门为上述的炉门。
[0014]优选地，所述密封槽与所述炉体的底壁相配合，当所述炉门运动至与所述炉体贴合位置时，所述炉门通过所述密封圈密封所述炉体。
[0015]本技术涉及的炉门，其有益效果在于，通过具有散热片的散热槽增加密封槽底部的散热面积，既能达到密封圈散热的目的，还能解决炉门表面副产物凝结的问题，且结构加工工艺简单，成本较低。
[0016]本技术的其它特征和优点将在随后具体实施方式部分予以详细说明。
附图说明
[0017]通过结合附图对本技术示例性实施方式进行更详细的描述，本技术的上述以及其它目的、特征和优势将变得更加明显，其中，在本技术示例性实施方式中，相同的参考标号通常代表相同部件。
[0018]图1示出了根据本技术的示例性实施例的炉门的剖视图；
[0019]图2示出了根据本技术的示例性实施例的炉门的仰视图；
[0020]图3示出了根据本技术的示例性实施例的半导体热处理设备的结构示意图。
[0021]附图标记说明：
[0022]1、外管，2内管，3晶舟，4炉门，401炉门本体，402密封槽，403散热槽，404散热片，5进气管，6排气管。
具体实施方式
[0023]下面将更详细地描述本技术的优选实施方式。虽然以下描述了本技术的优选实施方式，然而应该理解，可以以各种形式实现本技术而不应被这里阐述的实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了使本技术更加透彻和完整，并且能够将本技术的范围完整地传达给本领域的技术人员。
[0024]为解决现有技术存在的问题，本技术提供了一种炉门，用于密封半导体热处理设备的反应腔室，图1为炉门的剖视图，图2为炉门的仰视图，请参阅图1和图2，炉门包括炉门本体401，炉门本体401朝向反应腔室的端面开设有环形的密封槽402，密封槽402用于容纳密封圈，炉门本体401背离反应腔室的端面开设有散热槽403，散热槽403内设置有散热片。
[0025]本技术涉及的炉门，通过具有散热片404的散热槽403增加密封槽402底部的散热面积，既能达到密封圈散热的目的，还能避免采用水冷结构造成炉门的局部温度过低，炉门表面会副产物凝结的问题，且结构加工工艺简单，成本较低，还可以避免水冷结构带来的漏液风险。
[0026]炉门用于安装在反应腔室的底部，用于承载晶舟和密封整个反应腔室，其中，炉门本体404为圆形。
[0027]散热槽403的位置与密封槽402的位置相对应，以对密封槽402散热。
[0028]本实施例中，散热槽403位于密封槽402的下方，以便于对密封圈(未示出)进行散热降温。具有散热片404的散热槽403可以增加密封槽402底部的散热面积，既能够达到对密
封圈进行散热，还能够由于并未降到很低的温度而避免炉门表面副产物凝结，达到优化颗粒效果。
[0029]散热槽403内设置有多个散热片404，散热片404由散热槽403的底壁向背离反应腔室的方向向延伸，每相邻的两个散热片404之间和散热槽403的内侧壁与散热片404之间均形成散热间隙。
[0030]散热片404的数量可以根据反应腔室的温度的高低进行调节，如果反应腔室的温度较高，可以根据需求增加散热片404的数量。本实施例中，散热片404的数量为两个，散热间隙为三个。通过散热片404的散热结构增大散热面积，同样可以达到冷却密封槽402的目的。
[0031]本实施例中，散热槽403为与炉门本体401同心设置的环形凹槽，多个散热片404环绕散热槽403的中心由内向外依次设置，多个散热槽403与密封槽402同心设置。
[0032]散热片404的横截面为矩形或V形。散热间隙的横截面为矩形、三角形或梯形。密封槽402的横截面为梯形，避免密封圈脱落。散热片404以及散热间隙的横截面具体可以根据实际需求而定，本实施例中，散热间隙的横截面为矩形。
[0033]请参阅图3，本技术还提供一种半导体热处理设备，包括有炉体和设置于炉体底部的炉门4构成的反应腔室，其中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种炉门，用于密封半导体热处理设备的反应腔室，其特征在于，所述炉门包括炉门本体(401)，所述炉门本体(401)朝向所述反应腔室的端面开设有环形的密封槽(402)，所述密封槽(402)用于容纳密封圈，所述炉门本体(401)背离所述反应腔室的端面开设有散热槽(403)，所述散热槽(403)内设置有散热片(404)。2.根据权利要求1所述的炉门，其特征在于，所述散热槽(403)的位置与所述密封槽(402)的位置相对应。3.根据权利要求1所述的炉门，其特征在于，所述散热槽(403)内设置有多个所述散热片(404)，所述散热片(404)由散热槽(403)的底壁向背离所述反应腔室的方向延伸，每相邻的两个所述散热片(404)之间和所述散热槽的内侧壁与所述散热片之间均形成散热间隙。4.根据权利要求3所述的炉门，其特征在于，所述散热槽(403)为与所述炉门本体(401)同心设置的环形...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏明蕊，孙妍，王尉，刘贝贝，武鹏科，董曼飞，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：新型
国别省市：