电池和光伏组件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种电池和光伏组件，电池包括：硅衬底；第一本征非晶硅层和第二本征非晶硅层；第一掺杂非晶硅层和第二掺杂非晶硅层；第一透明导电膜层；以及至少两组第二透明导电膜层，至少两组第二透明导电膜层在第二掺杂非晶硅层的背面上层叠设置，每组第二透明导电膜层包括：至少两层第二透明导电膜层，至少两层第二透明导电膜层层叠设置且折射率不同。由此，通过在电池的背面设置至少两组第二透明导电膜层，并且每组第二透明导电膜层包括：至少两层层叠设置的第二透明导电膜层，至少两层第二透明导电膜的折射率不同，这样可以提高电池背面的反射率，使透过硅衬底的光可以更多地返回至硅衬底，从而提升电池的光电转换效率。从而提升电池的光电转换效率。从而提升电池的光电转换效率。

【技术实现步骤摘要】
电池和光伏组件


[0001]本技术涉及电池
，尤其是涉及一种用于电池和光伏组件。

技术介绍

[0002]随着新能源的持续发展，异质结电池的应用越来越广泛。异质结电池一般由硅片以及在硅片两侧依次层叠设置的本征非晶硅层、掺杂非晶硅层和透明导电膜层构成，以实现对太阳能的吸收和利用。异质结电池的制造成本较高，降低硅片厚度是降低异质结电池制造成本的有效手段之一。
[0003]在现有技术中，随着硅片厚度的降低，照射在异质结电池上的光透过硅片的比例不断提高，但传统的透明导电薄膜没有特殊的光反射设计，不能有效地将透过硅片的光返回至硅片，这样会造成异质结电池的光电转换效率的降低，会制约异质结电池的发展。

技术实现思路

[0004]本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本技术提出了一种电池，该电池的背面光反射率高，光电转换效率高。
[0005]本技术进一步地提出了一种光伏组件。
[0006]根据本技术实施例的电池，包括：硅衬底；第一本征非晶硅层和第二本征非晶硅层，所述第一本征非晶硅层设置于所述硅衬底的正面，所述第二本征非晶硅层设置于所述硅衬底的背面；第一掺杂非晶硅层和第二掺杂非晶硅层，所述第一掺杂非晶硅层设置于所述第一本征非晶硅层的正面，所述第二掺杂非晶硅层设置于所述第二本征非晶硅层的背面；第一透明导电膜层，所述第一透明导电膜层设置于所述第一掺杂非晶硅层的正面；以及至少两组第二透明导电膜层，至少两组所述第二透明导电膜层在所述第二掺杂非晶硅层的背面上层叠设置，每组所述第二透明导电膜层包括：至少两层第二透明导电膜层，至少两层所述第二透明导电膜层层叠设置且折射率不同。
[0007]由此，通过在电池的背面设置至少两组第二透明导电膜层，并且每组第二透明导电膜层包括：至少两层第二透明导电膜层，至少两层第二透明导电膜层层叠设置，至少两层第二透明导电膜的折射率不同，这样可以增加电池背面对光的反射，使透过硅衬底的光，在至少两组第二透明导电膜层的反射作用下，更多地返回硅衬底，从而提升电池的光电转换效率。
[0008]根据本技术的一些实施例，每组所述第二透明导电膜层包括：两层所述第二透明导电膜层，邻近所述第二掺杂非晶硅层的所述第二透明导电膜层的折射率大于远离所述第二掺杂非晶硅层的所述第二透明导电膜层的折射率；或邻近所述第二掺杂非晶硅层的所述第二透明导电膜层的折射率小于远离所述第二掺杂非晶硅层的所述第二透明导电膜层的折射率。
[0009]根据本技术的一些实施例，每组所述第二透明导电膜层包括：至少三层所述第二透明导电膜层，在远离所述第二掺杂非晶硅层的层叠方向上，至少三层所述第二透明
导电膜层的折射率呈递增趋势。
[0010]根据本技术的一些实施例，所述第二透明导电膜层的折射率为n，n满足关系式：1.6≤n≤3.0。
[0011]根据本技术的一些实施例，在每组所述第二透明导电膜层中，相邻两层的所述第二透明导电膜层之间的折射率差值为n
差
，n
差
满足关系式：n
差
＞0.1。
[0012]根据本技术的一些实施例，所述第二透明导电膜层的厚度为d，d满足关系式：5nm≤d≤200nm。
[0013]根据本技术的一些实施例，所述第二透明导电膜层的组数是a，a满足关系式：2≤a≤10。
[0014]根据本技术的一些实施例，在每组所述第二透明导电膜层中，所述第二透明导电膜层的层数为b，b满足关系式：2≤b≤5。
[0015]根据本技术的一些实施例，所述第二透明导电膜层为透明导电氧化膜层和/或透明导电高分子膜层。
[0016]根据本技术实施例的光伏组件，包括：以上所述的电池。
[0017]本技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本技术的实践了解到。
附图说明
[0018]本技术的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
[0019]图1是根据本技术实施例的电池的示意图。
[0020]附图标记：
[0021]100、电池；
[0022]10、硅衬底；
[0023]20、第一本征非晶硅层；21、第一掺杂非晶硅层；22、第一透明导电膜层；
[0024]30、第二本征非晶硅层；31、第二掺杂非晶硅层；32、第二透明导电膜层。
具体实施方式
[0025]下面详细描述本技术的实施例，参考附图描述的实施例是示例性的。
[0026]下面参考图1描述根据本技术实施例的电池100，电池100可以应用于光伏组件。
[0027]结合图1所示，根据本技术实施例的电池100可以主要包括：硅衬底10、第一本征非晶硅层20、第二本征非晶硅层30、第一掺杂非晶硅层21、第二掺杂非晶硅层31、第一透明导电膜层22和至少两组第二透明导电膜层32。其中，第一本征非晶体硅层设置于硅衬底10的正面，第一掺杂非晶硅层21设置于第一本征非晶硅层20的正面，第一透明导电膜层22设置于第一掺杂非晶硅层21的正面，并且第二本征非晶体硅层设置于硅衬底10的背面，第二掺杂非晶硅层31设置于第二本征非晶硅层30的背面，至少两组第二透明导电膜层32设置于第二掺杂非晶硅层31的背面，这样可以构成电池100的基本结构，在有太阳光照射电池100时，硅衬底10可以对太阳光进行吸收和利用，从而可以实现电池100的光电转换，可以将
太阳能转换为电能，可以保证电池100的正常工作。
[0028]需要说明的是，电池100直接接收太阳光照射的一侧表面为正面，电池100非直接接收太阳光照射的一侧表面为背面，正面和背面相对设置，太阳光从电池100正面射入，并且从电池100背面射出。
[0029]进一步地，至少两组第二透明导电膜层32在第二掺杂非晶硅层31的背面上层叠设置，每组第二透明导电膜层32可以主要包括：至少两层第二透明导电膜层32，至少两层第二透明导电膜层32层叠设置，并且组内每层第二透明导电膜层32的折射率不同。具体地，在第二掺杂非晶硅层31的背面设置多组的第二透明导电膜层32，并且使组内每层第二透明导电膜层32的折射率不同，这样可以提高电池100背面的光反射率，使透过硅衬底10的太阳光可以在至少两组第二透明导电膜层32的反射作用下，更多地返回至硅衬底10，从而可以提升电池100的对太阳光的吸收利用，可以提升电池100的光电转换效率。
[0030]由此，通过在电池100的背面设置至少两组第二透明导电膜层32，并且每组第二透明导电膜层32包括：至少两层第二透明导电膜层32，至少两层第二透明导电膜层32层叠设置，至少两层第二透明导电膜的折射率不同，这样可以提高电池100背面的反射率，使透过硅衬底10的光，在至少两组第二透明导电膜层32的反射作用下，更多地返回硅衬底10，从而提升电池1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电池，其特征在于，包括：硅衬底；第一本征非晶硅层和第二本征非晶硅层，所述第一本征非晶硅层设置于所述硅衬底的正面，所述第二本征非晶硅层设置于所述硅衬底的背面；第一掺杂非晶硅层和第二掺杂非晶硅层，所述第一掺杂非晶硅层设置于所述第一本征非晶硅层的正面，所述第二掺杂非晶硅层设置于所述第二本征非晶硅层的背面；第一透明导电膜层，所述第一透明导电膜层设置于所述第一掺杂非晶硅层的正面；以及至少两组第二透明导电膜层，至少两组所述第二透明导电膜层在所述第二掺杂非晶硅层的背面上层叠设置，每组所述第二透明导电膜层包括：至少两层第二透明导电膜层，至少两层所述第二透明导电膜层层叠设置且折射率不同。2.根据权利要求1所述的电池，其特征在于，每组所述第二透明导电膜层包括：两层所述第二透明导电膜层，邻近所述第二掺杂非晶硅层的所述第二透明导电膜层的折射率大于远离所述第二掺杂非晶硅层的所述第二透明导电膜层的折射率；或邻近所述第二掺杂非晶硅层的所述第二透明导电膜层的折射率小于远离所述第二掺杂非晶硅层的所述第二透明导电膜层的折射率。3.根据权利要求1所述的电池，其特征在于，每组所述第二透明导电膜层包括：至少三层所述第二透明导电...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔巍，姚铮，
申请(专利权)人：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司，
类型：新型
国别省市：