本实用新型专利技术公开了一种TCT型SVC高压静止无功补偿装置,包括一个TCT高阻抗变压器的调感单元,TCT的主要特征是阻抗电压典型值为100%,副边额定电压在1000V~2000V,高低压联结组别为D,yn。此外还包含可控硅柜,FC无源滤波支路,控制柜。控制柜主要由调节器,PLC以及触摸屏组成。调节器由DSP作为处理器,采集系统的电压、电流,快速计算系统所需的无功功率,并将与无功对应的触发脉冲经由脉冲输出板调制后输出到可控硅。响应速度达到10ms以内。成套装置智能化和自动化程度高,保护功能完善,可达到无人职守的要求。同时成本相对较低,更加适合SVC静止无功补偿装置的推广与普及。(*该技术在2018年保护过期,可自由使用*)
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种无功功率补偿装置,特别是一种基于晶闸管控制变压器(TCT)的静止型(SVC)高压无功补偿装置。
技术介绍
随着电网容量不断扩大,应用电力电子元件的非线性负荷、电弧炉、轧 机等冲击性负荷以及电力机车等大型不平衡负荷接入电网中,给电网带来了 谐波、闪变等诸多电能质量问题。其中造成电压波动的一个根本原因是负荷 的无功快速变化引起的,然而常规的无功补偿设备,由于响应速度较慢,无 法解决这一问题,因此出现了以晶闸管等半导体元件作为调节执行机构的 静止型补偿设备,即SVC (Static VarCompensator)。 SVC可以给系统 提供快速、连续的无功功率补偿,减少负荷的无功冲击从而减少电压波动与 闪变,同时由于SVC中一般有滤波支路,可以对负荷产生的谐波进行滤除。 SVC主要分为两部分,即可调电感部分与滤波及无功补偿部分。滤波及无功 补偿部分通常由2路(或更多)无源滤波支路组成,提供补偿所需的容性功 率以及谐波滤波通道;可调电感部分主要有TCR型(晶闸管控制电抗器)与 MCR型(磁控电抗器)两种,详述如下1. MCR型主要缺点是响应时间较慢, 一般在300ms左右,而TCR通 常响应时间为10ms;其次由于MCR采用的是磁饱和工作原理,其电感的线 性度也较差;此外,MCR中使用的可控硅处在高电位上,需采用光电隔离等 触发方式解决控制信号(低电位)与可控硅(高电位)间的绝缘问题。高电 位运行对可控硅的触发、保护、监测等带来了一系列较难处理的问题。2. TCR型与MCR—样,TCR直接将可控硅用在高压中,存在上述MCR同样的问题,不同之处在于,TCR中的可控硅通常需要多只串联,设计成大 容量的硅阀,这对可控硅的触发、散热、均压等要求很高,因此可控硅部分 比MCR结构更复杂,难度更大,且占地面积大,维护量大。为解决以上2类可调电感存在的问题,TCT (晶闸管控制变压器)型SVC 应运而生,衡阳炼钢分厂早在上世纪末采用TCT型静止无功功率补偿装置 (以下简称TCT型SVC),解决了2X30t电弧炉对电网产生的高次谐波、电 压波动、电压畸变等问题,TCT的基本原理是通过短路高阻抗变压器的副边 提供感性无功功率,TCT具有与TCR几乎一样的电气特性,例如响应时间、 线性度等;还有与TCR相当的灵活的控制特性,能够全范围从90。 180° 分相控制晶闸管的导通角;此外TCT的某些特性还优于TCR,如过负荷能力 比TCR更强、占地面积更小、电磁泄漏更少等。且无需使用高压硅阀,可靠 性高、结构简单、使用维护方便,解决了TCR以及MCR均需要复杂的可控硅 系统带来的问题。TCT型SVC由TCT高阻抗变压器与可控硅两部分组成可调电感部分,其 基本原理图见附图l。采取TCT支路作为调感支路须满足以下两点其一, 必须满足SVC的基本需求,即TCT支路能对外提供连续变化的感性无功功率, 从TCT支路的等效电气原理图2所示可以看出,TCT支路的等效电路与TCR 支路类似,通过控制TCT副边的可控硅的导通角即可对外提供连续可调的感 性无功功率。其二,能解决TCR与MCR存在的问题,可使可控硅工作在较低 电压下,同时具有响应时间快、控制灵活的优点。
技术实现思路
本技术的目的在于,提供一种基于晶闸管控制变压器的静止型高压 无功补偿装置。为了实现上述任务,本技术采取如下的技术解决方案 一种基于晶闸管控制变压器的静止型高压无功补偿装置,其特征在于,该装置包括连接在线路上的TCT高阻抗变压器,该TCT高阻抗变压器的阻抗电压典 型值为100%,副边额定电压在1000 2000V,高低压联结组别为D, yn;TCT高阻抗变压器上连接有可控硅柜,TCT高阻抗变压器和可控硅柜组 成调感支路,当TCT高阻抗变压器阻抗电压典型值为100%,在TCT变压器 原边达到额定电压时,副边则短路运行,并可连续长期运行;至少一路连接在线路上的滤波支路,由滤波电抗与滤波电容匹配组成, 用于根据系统的特征谐波次数以及大小,给系统特征谐波提供一个低阻抗通 道,滤波支路在滤除谐波的同时,还提供无功功率;一控制柜,分别与TCT高阻抗变压器、滤波支路和可控硅柜连接,用于 对TCT高阻抗变压器、滤波支路和可控硅柜进行控制、监视和保护,同时提 供人机界面接口,还具有记录历史运行数据的功能。本技术带来的技术效果是① 由于无需采用高压硅阀,大大简化了系统的复杂程度,提高了系统 的可靠性与安全性,运行维护也变得更简单。② TCT提供的是变压器短路产生的感性电流,因此其过负荷能力大大 优于TCR。③ 由于使用可控硅作为主调节器件,调节时无拉弧、涌流,设备使用 寿命长。且可通过改变导通角连续调节无功功率。④ TCT型SVC高压静止无功补偿装置的控制至少包含有一个由DSP全 数字电路实现的调节器,采用实时操作系统,响应速度快,小于10ms,调 节精度高。且同时采集系统电流与负荷电流,瞬时开环调节与PI闭环调节 结合,既保证响应速度又能优化补偿效果。⑤ 至少包含一个主要由PLC实现对装置完善的保护功能,包括对调节 器的监视,使成套装置简单、稳定。◎至少包含一个触摸屏作为人机操作界面,可记录系统电参量数据, 并掉电保持。⑦可自由选择多种通讯接口,适应于各种工业场合或变电站。附图说明图1为TCT型SVC的电原理图; 图2为TCT支路的等效电气原理图。 图3为本技术的结构示意图。 图4为调节器方框图。图5-1、 5-2、 5-3、 5-4、 5-5为调节器电路图。 图6为调节器软件主流程图。以下结合附图和具体实例对本技术作进一步的详细说明。具体实施方式根据申请人的进一步研究,TCT必须具备以下3个特征1. 阻抗电压远高于普通变压器, 一般在80%以上,典型设计值通常为 100%。由于调感支路需要输出一定的感性无功电流, 一般较直观的方法是直 接在变压器后串接电感,而本技术采取的思路是提高变压器的阻抗电 压,当变压器阻抗电压达到100%时,可允许变压器在原边为额定电压、副 边完全短路下长期连续运行,此时变压器对外输出感性无功功率。这种高阻 抗变压器的思路实际上是将变压器与电抗器集成到一起,既能通过变压器降 压使可控硅工作在较低电压下,又能通过变压器高阻抗对外提供大量感性无 功功率,从而由TCT与低压可控硅构成了一个SVC系统必须具备的连续调感 的支路。因此100%阻抗电压的变压器作为可调电抗支路是本技术的最 显著特征,此外由于短路阻抗高,TCT补偿的线性度也好。2. 副边输出电压为1000V 2000V。 TCR (晶闸管控制电抗器)或MCR (磁控电抗器)支路这两种可调电感都需要将可控硅放在高电位上,这给可控硅的触发、保护等应用带来了麻烦,同时成套装置的可靠性也降低。为解决这一问题,通过变压器将电压降到适合可控硅工作的电压,如1000V 2000V,可控硅即可直接应用(无需串联成硅阀),这样做的好处是使可控硅 元件大量减少(相比于TCR中的硅阀),系统复杂度降低,可靠性提高。3.变压器的联结组别为D, yn,原边绕组采用D型接法为3次谐波提 供了通道,避免了 TCT的3次谐波漏磁过大造成变压器发热严重,也避免了 TCT产生的3次谐波给电网注入本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种基于晶闸管控制变压器的静止型高压无功补偿装置,其特征在于,该装置包括: 连接在线路上的TCT高阻抗变压器,该TCT高阻抗变压器的阻抗电压典型值为100%,副边额定电压在1000~2000V,高低压联结组别为D,yn; TCT 高阻抗变压器上连接有可控硅柜,TCT高阻抗变压器和可控硅柜组成调感支路,当TCT高阻抗变压器阻抗电压典型值为100%,在TCT变压器原边达到额定电压时,副边则短路运行,并可连续长期运行; 至少一路连接在线路上的滤波支路,由滤波电抗与滤 波电容匹配组成,用于根据系统的特征谐波次数以及大小,给系统特征谐波提供一个低阻抗通道,滤波支路在滤除谐波的同时,还提供无功功率; 一控制柜,分别与TCT高阻抗变压器、滤波支路和可控硅柜连接,用于对TCT高阻抗变压器、滤波支路和可控硅柜 进行控制、监视和保护,同时提供人机界面接口,还具有记录历史运行数据的功能。
【技术特征摘要】
1. 一种基于晶闸管控制变压器的静止型高压无功补偿装置,其特征在于,该装置包括连接在线路上的TCT高阻抗变压器,该TCT高阻抗变压器的阻抗电压典型值为100%,副边额定电压在1000~2000V,高低压联结组别为D,yn;TCT高阻抗变压器上连接有可控硅柜,TCT高阻抗变压器和可控硅柜组成调感支路,当TCT高阻抗变压器阻抗电压典型值为100%,在TCT变压器原边达到额定电压时,副边则短路运行,并可连续长期运行;至少一路连接在线路上的滤波支路,由滤波电抗与滤波电容匹配组成,用于根据系统的特征谐波次数以及大小,给系统特征谐波提供一个低阻抗通道,滤波支路在滤除谐波的同时,还提供无功功率;一控制柜,分别与TCT高阻抗变压器、滤波支路和可控硅柜连接,用于对TCT高阻抗变压器、滤波支路和可控硅柜进行控制、监视...
【专利技术属性】
技术研发人员:金黎,
申请(专利权)人:西安森宝电气工程有限公司,
类型:实用新型
国别省市:87[中国|西安]
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