【技术实现步骤摘要】
Nor Flash、字线电压异常检测方法和控制装置
[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种Nor Flash、字线电压异常检测方法、控制装置和计算机存储介质。
技术介绍
[0002]Nor Flash用来存储非易失性数据，其通常包括将存储单元并联起来的字线和将存储单元串联起来的位线。Nor Flash通常通过读数据、写数据、擦除数据三项基本功能完成数据的读取与改写功能。而在写数据和擦除数据过程中需要在字线上加上一个高电压。若字线上的电压异常即没有正确地加上该高电压，则写数据和擦除数据功能则无法完成，Nor Flash无法正常工作，因此对字线电压进行异常检测是十分必要的。
[0003]传统的Nor Flash的字线电压异常检测方法通常需要将Nor Flash外面的塑料保护层切开，从而让Nor Flash内部的字线与外部的探针连接，再通过字线加上待检测电压源的驱动电压后得出的电压与预设的电压阈值的对比从而判断所测字线上的电压是否异常，但是这种方法需要人工进行操作，且每次检测需要在检测前将塑料保护层切开和让Nor Flash内部的字线与外部的探针连接，整个检测十分的不便且花费大量的时间。
技术实现思路
[0004]以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
[0005]本专利技术实施例提供了一种Nor Flash、字线电压异常检测方法、控制装置和计算机存储介质，能够为整个字线电压异常检测提供便利，且减少整个字线电压异常检测所花费的时间。>[0006]第一方面，本专利技术实施例提供了一种Nor Flash，包括：
[0007]存储单元阵列，包括多个存储单元，所述存储阵列中同一行的所述存储单元连接在同一条字线上；
[0008]待检测电压源，用于向待检测字线提供驱动电压；
[0009]字线电压异常检测阵列，包括多个字线电压异常检测电路，所述字线电压异常检测电路与所述待检测字线一一对应连接，所述字线电压异常检测电路包括测试开关、测试单元和比较电路，所述测试单元的栅极通过所述测试开关与对应的一个所述待检测字线连接，所述测试单元的源极接地，所述测试单元的漏极连接所述比较电路，在所述测试开关导通的情况下，所述比较电路根据所述测试单元的漏极输出的电流和参考阈值电流输出用于代表比较结果的电平信号。
[0010]第二方面，本专利技术实施例提供了一种Nor Flash的字线电压异常检测方法，所述Nor Flash包括：
[0011]存储单元阵列，包括多个存储单元，所述存储阵列中同一行的所述存储单元连接在同一条字线上；
[0012]待检测电压源，用于向待检测字线提供驱动电压；
[0013]字线电压异常检测阵列，包括多个字线电压异常检测电路，所述字线电压异常检测电路与所述待检测字线一一对应连接，所述字线电压异常检测电路包括测试开关、测试单元和比较电路，所述测试单元的栅极通过所述测试开关与对应的一个所述待检测字线连接，所述测试单元的源极接地，所述测试单元的漏极连接所述比较电路，所述测试开关在导通的情况下，所述比较电路根据所述测试单元的漏极输出的电流和参考阈值电流输出用于代表比较结果的电平信号；
[0014]所述字线电压异常检测方法包括：
[0015]接收检测信号，根据所述检测信号确定所述待检测字线；
[0016]根据预设的检测电压值选定所述待检测电压源和调节所述测试单元的阈值电压；
[0017]根据所述阈值电压确定所述参考阈值电流；
[0018]控制所述待检测电压源连接到所述待检测字线，控制所述待检测字线对应的所述测试开关导通；
[0019]接收所述比较电路输出的所述电平信号，根据所述电平信号确定所述待检测字线的检测结果。
[0020]第三方面，本专利技术实施例还提供一种字线电压异常检测的控制装置，包括至少一个处理器和用于与所述至少一个处理器通信连接的存储器；所述存储器存储有能够被所述至少一个处理器执行的指令，所述指令被所述至少一个处理器执行，以使所述至少一个处理器能够执行如上述第二方面所述的字线电压异常检测方法。
[0021]第四方面，本专利技术实施例还提供一种计算机可读介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机可执行指令，所述计算机可执行指令用于使计算机执行如上述第二方面所述的字线电压异常检测方法。
[0022]本专利技术实施例，至少具有以下有益效果：
[0023]本专利技术实施例的Nor Flash，在内部设置了字线电压异常检测阵列，而字线电压异常检测阵列包括多个字线电压异常检测电路，每个字线电压异常检测电路与每个待检测字线一一连接。其中，字线电压异常检测电路包括测试开关、测试单元和比较电路，测试单元的栅极通过测试开关与对应的一个待检测字线连接，测试单元的源极接地，测试单元的漏极连接比较电路，在测试开关在导通的情况下，待检测字线上的电压加上测试单元的栅极，而比较电路用于根据测试单元的漏极输出的电流与预设的参考阈值电流的比较输出用于代表比较结果的电平信号，而根据电平信号可以判断所检测的待检测字线上的电压是否异常，所以本专利技术实施例能过通过内部设置的字线电压异常检测阵列代替传统的外部探针实现检测待检测的字线上的电压是否异常，而因为字线电压异常检测阵列是内置的，所以无需在检测前将塑料保护层切开和让Nor Flash内部的字线与外部的探针连接，故本专利技术实施例较之现有技术，可以为Nor Flash的字线电压异常检测提供便利和减少Nor Flash的字线电压异常检测所花费的时间。
[0024]本专利技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
[0025]附图用来提供对本专利技术技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本专利技术的示例一起用于解释本专利技术的技术方案，并不构成对本专利技术技术方案的限制。
[0026]图1是本专利技术实施例提供的Nor Flash的结构示意图；
[0027]图2是本专利技术实施例提供的Nor Flash的字线电压异常检测方法的总体流程图；
[0028]图3是本专利技术一实施例提供的步骤S100的细化流程图；
[0029]图4是本专利技术一实施例提供的步骤S200的细化流程图；
[0030]图5是本专利技术一实施例提供的步骤S300的细化流程图；
[0031]图6是本专利技术一实施例提供的步骤S500的细化流程图；
[0032]图7是本专利技术实施例提供的字线电压异常检测的控制装置的结构示意图。
具体实施方式
[0033]下面详细描述本专利技术的实施例，实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本专利技术，而不能理解为对本专利技术的限制。
[0034]在本发本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种Nor Flash，其特征在于，所述Nor Flash包括：存储单元阵列，包括多个存储单元，所述存储阵列中同一行的所述存储单元连接在同一条字线上；待检测电压源，用于向待检测字线提供驱动电压；字线电压异常检测阵列，包括多个字线电压异常检测电路，所述字线电压异常检测电路与所述待检测字线一一对应连接，所述字线电压异常检测电路包括测试开关、测试单元和比较电路，所述测试单元的栅极通过所述测试开关与对应的一个所述待检测字线连接，所述测试单元的源极接地，所述测试单元的漏极连接所述比较电路，在所述测试开关导通的情况下，所述比较电路根据所述测试单元的漏极输出的电流和参考阈值电流输出用于代表比较结果的电平信号。2.根据权利要求1所述的Nor Flash，其特征在于，所述比较电路为电流型比较器，所述电流型比较器包括第一输入端、第二输入端和输出端，所述第一输入端连接所述测试单元的漏极，所述第二输入端用于连接参考阈值电流产生电路，所述电流型比较器的所述输出端用于输出所述电平信号，所述参考阈值电流产生电路用于产生所述参考阈值电流。3.根据权利要求2所述的Nor Flash，其特征在于，所述比较电路还用于：当所述测试单元的漏极输出的电流小于所述参考阈值电流，输出低电平信号，当所述测试单元的漏极输出的电流大于或等于所述参考阈值电流，输出高电平信号。4.一种Nor Flash的字线电压异常检测方法，其特征在于，所述Nor Flash包括：存储单元阵列，包括多个存储单元，所述存储阵列中同一行的所述存储单元连接在同一条字线上；待检测电压源，用于向待检测字线提供驱动电压；字线电压异常检测阵列，包括多个字线电压异常检测电路，所述字线电压异常检测电路与所述待检测字线一一对应连接，所述字线电压异常检测电路包括测试开关、测试单元和比较电路，所述测试单元的栅极通过所述测试开关与对应的一个所述待检测字线连接，所述测试单元的源极接地，所述测试单元的漏极连接所述比较电路，在所述测试开关导通的情况下，所述比较电路根据所述测试单元的漏极输出的电流和参考阈值电流输出用于代表比较结果的电平信号；所述字线电压异常检测方法包括：接收检测信号，根据所述检测信号确定所述待检测字线；根据预设的检测电压值选定所述待检测电压源和调节所述测试单元的阈值电压；根据所述阈值电压...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄星月，安友伟，陈晓君，漆俊贤，付杰，那万臣，胡涛，陆兵，黄立翠，
申请(专利权)人：珠海博雅科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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