一种双断口真空灭弧室瓷座结构及双断口真空断路器制造技术

本发明专利技术公开一种双断口真空灭弧室瓷座结构及双断口真空断路器，属于真空断路器技术领域，包括从内到外依次套接的内瓷座、挡弧罩和外瓷座；内瓷座和外瓷座下部分别呈渐缩结构和减扩结构，并形成挡弧空间；挡弧罩包括夹合于外瓷座与内瓷座之间的挡弧罩筒体和连接于挡弧罩筒体下端的罩体；罩体设置于挡弧空间内，用于隔挡分合闸电弧。结构简单，体积小巧，易于实现瓷座烧制；具有良好的耐冲击性能和高强度结构形式，有效避免冲击断裂；有效增大内、外绝缘爬电距离，保证真空灭弧室的安全性能；罩体可对电弧产生的金属蒸发气体进行隔离和阻挡，避免对挡弧空间侧壁产生污染，而破坏外瓷座和内瓷座的绝缘性能，保证使用的安全性和可靠性。性。性。

【技术实现步骤摘要】
一种双断口真空灭弧室瓷座结构及双断口真空断路器


[0001]本专利技术属于真空断路器
，具体地说是一种双断口真空灭弧室瓷座结构及双断口真空断路器。

技术介绍

[0002]真空断路器因其灭弧介质和灭弧后触头间隙的绝缘介质都是高真空而得名；其具有体积小、重量轻、适用于频繁操作、灭弧不用检修的优点，在配电网中应用较为普及。真空断路器是三相交流系统中的户内配电装置，可供工矿企业、发电厂、变电站中作为电器设备的保护和控制之用，特别适用于要求无油化、少检修及频繁操作的使用场所，断路器可配置在中置柜、双层柜以及固定柜中作为控制和保护高压电气设备用。
[0003]双断口断路器相比单断口断路器，由于其具有开断能力高，触头开距小，导向装置运行距离短，分合闸时间短，能提高快速分合闸能力，有效保证快速分合闸中的辅助触头的使用寿命，并对合闸时的弹跳进行抑制和抵消，提高整体电气性能和机械寿命等优点，得到广泛应用。
[0004]现今，双断口真空断路器的瓷座一般为阶梯状结构，存在错位缺陷，在受到辅助动触头闭合冲击时，瓷座在阶梯连接部位容易发生断裂，存在安全隐患；且由于瓷座自身陶瓷材质的特点，成型后需要一次烧制，钎焊是需要二次烧制，对于烧制工艺，要求壁厚尽可能均匀；而阶梯状结构的瓷座对于烧制工艺无法很好适应。

技术实现思路

[0005]为解决上述问题，本专利技术提供一种双断口真空灭弧室瓷座结构及双断口真空断路器，体积小巧，实现容易，瓷座具有耐冲击性能和高强度结构形式，有效增大内、外绝缘爬电距离，具有挡弧功能，保证使用的安全性和可靠性。
[0006]本专利技术一方面是通过下述技术方案来实现的：
[0007]一种双断口真空灭弧室瓷座结构，包括从内到外依次套接的内瓷座、挡弧罩和外瓷座；内瓷座和外瓷座下部分别呈渐缩结构和减扩结构，并形成挡弧空间；挡弧罩包括夹合于外瓷座与内瓷座之间的挡弧罩筒体和连接于挡弧罩筒体下端的罩体；罩体设置于挡弧空间内，用于隔挡分合闸电弧。
[0008]本专利技术的进一步改进还有，内瓷座和外瓷座上部均呈圆筒状结构，且内瓷座的壁厚和外瓷座的壁厚分别一致。
[0009]本专利技术的进一步改进还有，挡弧罩上端内壁设有定位条，内瓷座外壁上开设有对定位条卡合定位的限位槽。
[0010]本专利技术的进一步改进还有，挡弧罩筒体上部开设有若干开口向上的卸荷槽。
[0011]本专利技术的进一步改进还有，挡弧罩筒体上开设有与卸荷槽底部连通的圆形通孔，通孔直径大于卸荷槽宽度。
[0012]本专利技术的进一步改进还有，罩体截面呈开口向下的半圆形。
[0013]本专利技术的进一步改进还有，外瓷座和内瓷座之间通过钎焊连接固定。
[0014]本专利技术另一方面是通过下述技术方案来实现的：
[0015]一种双断口真空断路器，包括进端导电杆、导流铜套、出端铜座、动导杆和所述的双断口真空灭弧室瓷座结构；进端导电杆贯穿设置于内瓷座中部，且其下端连接设有内触头；导流铜套贴合设置于外瓷座底部，且其上端内侧连接设有外触头；内触头与外触头之间留有间隙；出端铜座与导流铜套下端连接安装，动导杆滑动贯穿出端铜座中部，且其上端设有能够连接内触头与外触头的辅助触头；导流铜套、外瓷座和进端导电杆外部密封设有固封树脂层。
[0016]本专利技术的进一步改进还有，外瓷座外侧面覆有固封硅胶层。
[0017]本专利技术的进一步改进还有，动导杆上端通过瓷块安装有对辅助触头定位安装的安装架；安装架与瓷块之间设有屏蔽罩；动导杆上部套设有对动导杆具有向上支撑力的波纹管。
[0018]从以上技术方案可以看出，本专利技术的有益效果是：
[0019]整体结构简单，体积小巧，易于实现瓷座的烧制工艺，实用性好。内瓷座和外瓷座下部呈大圆弧过渡，形成对罩体容纳的挡弧空间，使瓷座具有良好的耐冲击性能和高强度结构形式，有效避免由于开合闸冲击发生断裂情况，保证使用的可靠性和安全性；且通过内瓷座和外瓷座下部的大圆弧平滑弯曲，有效增大外绝缘爬电距离和内绝缘爬电距离，保证真空灭弧室的安全性能；设置于挡弧空间内的罩体可对开合闸中电弧产生的金属蒸发气体进行隔离和阻挡，避免对挡弧空间侧壁产生污染，而破坏外瓷座和内瓷座的绝缘性能，保证使用的安全性和可靠性。
附图说明
[0020]为了更清楚地说明本专利技术的技术方案，下面将对描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0021]图1为本专利技术具体实施方式的瓷座结构示意图。
[0022]图2为本专利技术具体实施方式的瓷座剖面结构示意图。
[0023]图3为图2中A部的局部放大结构示意图。
[0024]图4为本专利技术具体实施方式的挡弧罩结构示意图。
[0025]图5为本专利技术具体实施方式的双断口真空断路器结构示意图。
[0026]附图中：1、外瓷座，2、挡弧罩，21、挡弧罩筒体，22、定位条，23、卸荷槽，24、通孔，25、罩体，3、内瓷座，4、进端导电杆，5、固封树脂层，6、固封硅胶层，7、内触头，8、外触头，9、辅助触头，10、屏蔽罩，11、导流铜套，12、瓷块，13、波纹管，14、出端铜座，15、动导杆。
具体实施方式
[0027]为使得本专利技术的目的、特征、优点能够更加的明显和易懂，下面将结合本具体实施例中的附图，对本专利技术中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，下面所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而非全部的实施例。基于本专利中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利保护的范围。
[0028]如图1
‑
4所示，本专利技术公开一种双断口真空灭弧室瓷座结构，包括从内到外依次套接的内瓷座3、挡弧罩2和外瓷座1；内瓷座3和外瓷座1上部贴合设置，内瓷座3和外瓷座1下部分别呈渐缩结构和减扩结构，且均为大圆弧平滑过渡，内瓷座3下部与外瓷座1下部之间形成挡弧空间；挡弧罩2包括夹合于外瓷座1与内瓷座3之间的挡弧罩筒体21和连接于挡弧罩筒体21下端的罩体25；罩体25设置于挡弧空间内，用于隔挡分合闸电弧产生的金属蒸发气体。
[0029]内瓷座3和外瓷座1下部呈大圆弧过渡，形成对罩体25容纳的挡弧空间，使瓷座具有良好的耐冲击性能和高强度结构形式，有效避免由于开合闸冲击发生断裂情况，保证使用的可靠性和安全性；且通过内瓷座3和外瓷座1下部的大圆弧平滑弯曲，有效增大外绝缘爬电距离和内绝缘爬电距离，保证满足真空灭弧室的绝缘安全要求；设置于挡弧空间内的罩体25可对开合闸中电弧产生的金属蒸发气体进行隔离和阻挡，避免对挡弧空间侧壁(外瓷座1内壁下部和内瓷座3外壁下部)产生污染，而破坏外瓷座1和内瓷座3的绝缘性能，保证使用的安全性和可靠性。整体结构简单，易于实现瓷座的烧制工艺，后续金属化、以及钎焊的再次高温时内应力均匀，实用性好。
[0030]其中，内瓷座3和外瓷座1上本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双断口真空灭弧室瓷座结构，其特征在于，包括从内到外依次套接的内瓷座(3)、挡弧罩(2)和外瓷座(1)；内瓷座(3)和外瓷座(1)下部分别呈渐缩结构和减扩结构，并形成挡弧空间；挡弧罩(2)包括夹合于外瓷座(1)与内瓷座(3)之间的挡弧罩筒体(21)和连接于挡弧罩筒体(21)下端的罩体(25)；罩体(25)设置于挡弧空间内，用于隔挡分合闸电弧。2.根据权利要求1所述的双断口真空灭弧室瓷座结构，其特征在于，内瓷座(3)和外瓷座(1)上部均呈圆筒状结构，且内瓷座(3)的壁厚和外瓷座(1)的壁厚分别一致。3.根据权利要求1所述的双断口真空灭弧室瓷座结构，其特征在于，挡弧罩(2)上端内壁设有定位条(22)，内瓷座(3)外壁上开设有对定位条(22)卡合定位的限位槽。4.根据权利要求1所述的双断口真空灭弧室瓷座结构，其特征在于，挡弧罩筒体(21)上部开设有若干开口向上的卸荷槽(23)。5.根据权利要求4所述的双断口真空灭弧室瓷座结构，其特征在于，挡弧罩筒体(21)上开设有与卸荷槽(23)底部连通的圆形通孔(24)，通孔(24)直径大于卸荷槽(23)宽度。6.根据权利要求1所述的双断口真空灭弧室瓷座结构，其特征在于，罩体(25)截面呈开口向下的半圆形。7.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑文武，李海国，
申请(专利权)人：山东普益电气有限公司，
类型：发明
国别省市：